Выполнение работы

1. Определите по справочнику цоколевки, характеристики и параметры транзисторов, предназначенных для исследований. Установите предельные напряжения и токи электродов. Сделайте записи.

2. В соответствие с заданием нарисуйте схему цепи с общим эмиттером или общей базой для снятия входных и выходных характеристик заданного транзистора. Укажите на схеме полярности и предельные значения напряжений и токов электродов.

3. Соберите схему для исследования выходной характеристики транзистора с общим эмиттером.

4. Зарисуйте полученную осциллограмму. По полученной осциллограмме постройте выходную характеристику транзистора в схеме с общим эмиттером.

5. Для получения тока коллектора разделите напряжение, подаваемое на Y вход осциллографа на сопротивление R₁ и получите выходной ток.

6. При помощи амперметра измерьте выходной ток I-базы (для О_э). Выполнение работы.

7.Изменяя с помощью резистора R₂ ток базы, получите выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером для двух других значений тока базы.

Задание 2

1. Соберите схему для исследования входной характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером.

2. Зарисуйте полученную осциллограмму.

3. По полученной осциллограмме постройте входную характеристику транзистора с общим эмиттером. Для вычисления входного тока разделите напряжение, подаваемое на вход Y на сопротивление R_1.

4. При помощи вольтметра измерьте напряжение U_кэ.

5. Изменяя с помощью резистора R₂ напряжение между коллектором и эмиттером (U_кэ), получите осциллограммы для двух других значений U_кэ. Обработайте полученные результаты согласно пп. 2-4.

6. Определите h -параметры транзистора (рисунок 4) по полученным семействам входных и выходных характеристик транзисторов.

Контрольные вопросы

1. Устройство биполярного транзистора.

2. Схемы включения биполярного транзистора.

3. Модель биполярного транзистора в режиме большого сигнала.

4. Статические характеристики биполярного транзистора.

5. Поясните различия в статических характеристиках биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и схеме с общей базой.

6. Модель биполярного транзистора в режиме малого сигнала. Параметры биполярного транзистора в этом режиме.

7. Физический смысл h - параметров биполярного транзистора.

Литература

1. Федотов, В.И. Основы электроники: учеб. пособие для учащихся неэлектортех. спец. техникумов / В.И. Федотов. – М.: Высш. шк., 1990.– 288с.

2. Валенко, В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств / В.С. Валенко; под ред. А.А. Ровдо.- М.: Издат. дом "Додэка-ХХI", 2001.- 368 с.

3. Основы метрологии и электрические измерения: учебник для вузов / Б.Я. Авдеев и др.; под ред. Е.М. Душина.– Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1987. – 480 с.

4. Тугов, Н.М. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков; под ред. В.А. Лабунцова. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.