- •Лабораторная работа №1 Исследование вах диода.
- •Исследование параметров стабилитрона
- •Исследование работы однополупериодных и двухполупериодных выпрямителей
- •Мостовой выпрямитель
- •Лабораторная работа №2 Исследование биполярного транзистора.
- •Лабораторная работа №3 Исследование характеристик операционного усилителя
- •Неинвертирующая схема включения усилителя
- •Инвертирующая схема включения усилителя
Мостовой выпрямитель
Цель:
Анализ процессов в схеме выпрямительного диодного моста.
Исследование осциллограмм входного и выходного напряжения для выпрямительного моста.
Сравнение осциллограмм выходного напряжения выпрямительного моста и двухполпериодного выпрямителя с выводом средней точки трансформатора.
Измерение среднего значения выходного напряжения (постоянная составляющая) в схеме выпрямительного моста.
Сравнение максимального напряжения на диодах в мостовом и двухполупериодном выпрямителях.
Сравнение частот выходного напряжения в мостовом и двухполупериодном выпрямитлях.
Вычисление максимального обратного напряжения Umax на диоде выпрямительного моста.
Приборы и элементы
Амперметры
Вольтметры
Осциллограф
Источник переменного напряжения 220В
Трансформаторы
Кремниевые диоды согласно первой таблице
Резисторы
Коэффициент трансформации определяется отношением числа витков первичной обмотки к числу витков вторичной обмотки трансформатора и составляет 20:1.
Среднее значение выходного напряжения Ud (постоянная составляющая) мостового выпрямителя вычисляется по формуле:
Ud = 2U2m/π,
где максимум вторичного напряжения на полной обмотке трансформатора U2m вычисляется по формуле:
U2m = U1m(n2/n1) = U1m/20,
U1m - максимальное значение напряжения на первичной обмотке трансформатора.
Максимальное обратное напряжение Umax на каждом диоде для схемы с выпрямительным мостом равно напряжению на вторичной обмотке U2m.
Частота выходного напряжения f для схемы с двухполупериодным мостовым выпрямителем вычисляется по формуле:
f=l/T,
где Т - период напряжения на выходе выпрямителя.
Эксперимент. Исследование входного и выходного напряжений мостового выпрямителя.
а). Включить схему.
На вход А осциллографа подается входной сигнал, а на вход В — выходной. Измерить максимальные входное UВХmax и выходное UВЫХmax напряжения
Измерить период Т по осциллограмме выходного напряжения и вычислить частоту f.
в). Определить максимальное обратное напряжение Uобр max на диоде.
г). Вычислим коэффициент трансформации K как отношение амплитуд напряжений на первичной и вторичной обмотке трансформатора в режиме, близком к холостому ходу
д). Вычислить среднее значение выходного напряжения Ud (постоянная составляющая). Зафиксировать постоянную составляющую напряжения на выходе Ud, измеренную мультиметром. Сравнить полученные данные.
Выполнить сравнительный анализ трех выпрямительных схем по основным харакиеристикам.
Лабораторная работа №2 Исследование биполярного транзистора.
Цель:
Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер.
Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.
Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки.
Получение входных и выходных характеристик транзистора.
Определение коэффициента передачи по переменному току.
Исследование динамического входного сопротивления транзистора.
Приборы и элементы:
вариант
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
Тип транзистора
2222
2712
2923
3391
3414
3707
3859
4400
5088
6715
Источники постоянной ЭДС
Амперметры
Вольтметры
Осциллограф
Диод
Резисторы
Статический коэффициент передачи тока определяется как отношение:
.
Коэффициент передачи по переменному току определяется как
.
Дифференциальное входное сопротивление rВХ транзистора в схеме с общим эмиттером определяется при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер
.
Через параметры транзистора его можно определить как
,
где rБ – распределенное сопротивление базовой области полупроводника,
rЭ – дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое из выражения rЭ=25/IЭ, где IЭ – постоянный ток эмиттера в миллиамперах.
Первое слагаемое rБ в выражении много меньше второго и им можно пренебречь:
.
Дифференциальное сопротивление rЭ перехода база-эмиттер для биполчрного транзистора сравнимо с дифференциальным входным сопротивлением rВХОБ транзистора в схеме с общей базой, которое определяется при фиксированном значении напряжения база-коллектор:
.
Через параметры транзистора оно определяется как
.
Первым слагаемым можно пренебречь, поэтому в первом приближении можно считать:
.
Эксперимент 1. Определение статического коэффициента передачи тока транзистора.
а). Включить схему.
Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. По полученным результатам подсчитать статический коэффициент передачи транзистора βDC.
б). Установить номинал источника EБ равным 3В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. По полученным результатам подсчитать статический коэффициент передачи транзистора βDC.
в). Установить номинал источника EК равным 5В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. По полученным результатам подсчитать статический коэффициент передачи транзистора βDC.
Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.
Вновь установить номинал источника EК равным 10В. Изменить номинал источника ЭДС EБ до 0В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора для данных значений тока базы и напряжения коллектор-эмиттер.
Эксперимент 3. Получение выходной характеристики в схеме с общим эмиттером.
а). Измерить значения тока коллектора IК для каждого значения EК и EБ согласно таблице.
|
EК(В) |
|
||||||||
EБ(В) |
IБ(А) |
|
0.1 |
0.5 |
1 |
5 |
10 |
20 |
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
IК(А) |
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
По данным таблицы построить график зависимости IК от EК в одних осях координат.
б). По выходной характеристике найти коэффициент передачи тока βAC при изменении базового тока с 10мкА до 30мкА при EК=10В.
Эксперимент 4. Получение входной характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером.
а). Установить значение напряжения источника EК равным 10В и произвести измерения тока базы IБ, напряжения база-эмиттер UБЭ, тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения источника EБ в соответствии с таблицей. Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.
EБ(В) |
IБ(А) |
UБЭ(В) |
IК(А) |
1 |
|
|
|
2 |
|
|
|
3 |
|
|
|
4 |
|
|
|
5 |
|
|
|
6 |
|
|
|
По данным таблицы построить график зависимости IБ от UБЭ.
б). По выходной характеристике найти сопротивление rВХ при изменении базового тока с 10мкА до 30мкА.