- •1. Строение конструкционных материалов
- •2. Типы кристаллических решеток
- •3. Анизотропия кристаллов и его влияние на свойства материалов.
- •4. Дефекты кристаллических решеток.
- •5. Влияние дефектов кристаллических решеток на свойства материалов.
- •6. Виды кристаллических решеток сплава.
- •9. Технологические свойства
- •10. 11. 12. 13. Литейные сплавы и их применение.
- •16. Литейные свойства сплавов.
- •17. Способы изготовления отливок.
- •18. Литье в песчаные формы.
- •20. Ручная и механическая формовка песчаных смесей
- •21. Заливка литейных форм.
- •23. Литье в оболочковые формы.
- •24. Литье в кокиль.
- •25. Литье под давлением.
- •26. Центробежное литье
- •27. Общие принципы конструирования литых деталей.
- •28. Сущность процесса обработки материалов давлением
- •29. Виды обработки давлением и типы применяемого оборудования.
- •30. Прокатка
- •31. Волочение
- •32. Прессование
- •33. Ковка
- •34. Штамповка
- •35. Оборудование для обработки давлением
- •36. Физико-механические основы обработки давлением.
- •38.39 Холодная штамповка.
- •40. Выдавливание
- •41. Высадка.
- •42. Объемная холодная формовка
- •43. Листовая штамповка.
- •44. Разделительные операции.
- •45. Формоизменяющие операции.
- •8.3.4.2.1. Гибка
- •8.3.4.2.2. Вытяжка.
- •8.3.4.2.3. Отбортовка
- •8.3.4.2.4.Обжим .
- •8.3.4.2.5. Раздача.
- •46. Горячая объемная штамповка.
- •47. Разработка чертежа поковки.
- •48.49.50. Горячая объемная штамповка.
- •51. Понятие о сварке, физико-химические процессы при сварке.
- •52. Сварка давлением.
- •53. Контактная электрическая сварка.
- •54. Конденсаторная сварка.
- •55. Сварка трением.
- •56. Холодная сварка
- •57. Сварка плавлением.
- •58. Электрическая дуговая сварка
- •59. Ручная дуговая сварка.
- •60. Автоматическая дуговая сварка под флюсом
- •61. Сварка в среде защитных газов.
- •62. Электронно-лучевая сварка.
- •63. Лазерная сварка.
- •64. Электрошлаковая сварка.
- •65. Свариваемость металла
- •66. Дефекты сварных соединений.
- •69. Методы формообразования поверхностей.
- •70. Виды движений при механообработке.
- •71. Понятие о режимах резания (V,s,t).
- •72. Геометрические параметры срезаемого слоя при механообработке (на примере обтачивания)
- •74. Геометрические параметры резца.
- •75. Инструментальные материалы.
- •78. Источники образования тепла и уравнение теплового баланса при резании.
- •80. Схемы обработки поверхностей при токарной обработке.
- •81. Станки токарной группы.
- •82. Сверлильные станки.
- •83. Режущий инструмент и схемы обработки на сверлильных станках.
- •84 Схемы обработки на станках сверлильной группы.
- •86. Обработка на фрезерных станках.
- •87. Обработка на шлифовальных станках.
- •88. Методы зубонарезания.
- •89. Отделочные виды обработки.
- •18.2. Полирование.
- •18.3. Абразивно-жидкостная отделка.
- •18.4. Притирка.
- •18,5. Хонингование.
- •18.6. Суперфиниш
- •4.2.Маркировка сталей.
3. Анизотропия кристаллов и его влияние на свойства материалов.
В различных плоскостях кристаллической решетки атомы расположены с различной плотностью и поэтому многие свойства кристаллов в различных направлениях различны. Такое различие называется анизотропией.
Все кристаллы анизотропны. В отличие от кристаллов аморфные тела (например, смола) в различных направлениях имеют в основном одинаковую плотность атомов и, следовательно, одинаковые свойства, т. е. они изотропны.
Всем кристаллам присуща анизотропия, т.е. неравномерность свойств по направлениям, определяемая различными расстояниями между атомами в кристаллической ячейке. Наиболее сильно анизотропия выражена у металлов, имеющих асимметричное кристаллическое строение. От направления действия сил в кристалле существенно зависят такие показатели физических свойств, как прочностные характеристики, модуль упругости, термический коэффициент расширения, коэффициенты тепло- и электропроводности, показатель светового преломления и др. Анизотропия характерна и для поверхностных слоев кристаллов. Такие свойства, как поверхностное натяжение, электронные потенциалы, адсорбционная способность, химическая активность, существенно различны у различных граней кристалла.
4. Дефекты кристаллических решеток.
Строение и свойства реальных кристаллов отличаются от идеальных, представленных на рис. 1, вследствие наличия в них дефектов, которые подразделяют на поверхностные и внутренние. Реальный единичный кристалл обладает свободной (наружной) поверхностью, на которой уже вследствие поверхностного натяжения решетка будет искажена. Это искажение может распространяться и на прилегающую к поверхности зону. Дефекты внутреннего строения подразделяют на нульмерные (точечные), одномерные — линейные и двухмерные, т. Е. развитые в двух направлениях. К точечным дефектам относятся: вакансии в случае, когда отдельные узлы кристаллической решетки не заняты атомами; дислоцированные атомы, когда отдельные атомы оказываются в между узлами, или примесные атомы, количество которых даже в чистых металлах весьма велико. Около таких дефектов решетка будет упругоискаженной на расстоянии одного - двух ее периодов
(рис. 5, а). Хотя относительная концентрация точечных дефектов может быть невелика, они
вызывают чрезвычайно большие изменения физических свойств кристалла. Например, тысячные доли атомного процента примесей к чистым полупроводниковым кристаллам изменяют их электрическое сопротивление в 105—106 раз.
Рис.5. Дефекты кристаллической решетки:
а — точечные; б — линейные; в- двухмерные (плоскостные)
.
Линейные дефекты малы в двух измерениях кристаллической решетки и достаточно велики в третьем. К таким дефектам относятся смещения атомных плоскостей или дислокации и цепочки вакансий (рис. 5, б). Важнейшим свойством таких дефектов является их подвижность внутри кристалла и активное взаимодействие между собой и с другими дефектами.
Плотность дислокаций в кристаллах велика: в недеформированных кристаллах их количество на 1 см2 достигает 10е—108; при пластической деформации происходит возникновение новых дислокаций, и это число увеличивается в тысячи раз. Двухмерные дефекты характерны для поликристаллических материалов, т. Е. для материалов, состоящих из большого количества мелких кристаллов, различно ориентированных в пространстве.
Граница сросшихся при затвердевании кристаллов представляет собой тонкую, до 10 атомных диаметров, зону с нарушением порядка в расположении атомов. В поликристаллическом теле границы отдельных кристаллов имеют криволинейные поверхности разделов, а сами кристаллы - неправильную форму. Поэтому их в отличие от правильно ограниченных кристаллов называют кристаллитами или зернами. Зерна поликристалла при затвердевании растут из различных центров кристаллизации и ориентация осей кристаллических решеток соседних зерен различна. Зерно металла состоит из отдельных блоков, ориентированных один по отношению к другому под небольшим углом. Границы между ними представляют собой обычно скопления дислокаций (рис. 5, в). Поверхностные дефекты малы только в одном направлении; в двух других они могут достигать размера кристаллита.