5. Классификация резисторов.

D ef полупроводниковым резистором называют полупроводниковые приборы с двумя выводами, в которых используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от напряжения, температуры, освещенности и других управляющих параметров. В полупров-ых резисторах применяется полупроводник, равномерно легированный примесями. В зависимости от типа примесей и констр-ии резистора удается получить различные зависимости от управл. параметров. Классифик-я и условн. обознач.

Л инейные резисторы- полупроводниковый резистор, в котором применяется слаболегированный материал типа кремния или арсенида галлия. Удельное электр. сопрот. такого полупровод. мало зависит от напряжения электрич. поля и плотности электр. тока. Поэтому сопротив. такого лин. сопр-я остается практически пост-ым в широком диапазоне напряж. и токов. Такие резисторы широко примен. в интегральных микросхемах. Варистор-

полупроводниковый резистор, сопротив. которого зависит от приложенного напряжения, поэтому его вольт- амперная хар-ка не линейна. П.М. для изготовления

варистора служит карбид кремния. Карбид кремния смешивают с глиной и после обжига методом горячего распыления наносят электроды. Для защиты от внешних воздействий варистор покрывают электроизоляц. лаком. Нелинейность характеристик варисторов обусловлена локальным разогревом на контактах между многочисл. кристаллами карбида кремния. Сопротивл. контактов при этом существенно снижается, что приводит к уменьшению общего сопротивления варисторов. ВАХ варистора приведена на рисунке. Один из основных параметров варистора- коэфф. нелинейности λ= R/R_д=(U/I)/(dU/dI), где U и I – напряжение и ток варистора. Коэфф. нелинейности для различ. типов варисторов лежит в пределах 2-6. Терморезистор- полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрического сопротив. полупроводника от температуры. Различ. два типа терморез.: термисторы, сопротив. которых с ростом температуры падает и позисторы, у которого сопротив. с повышением температуры возрастает. Материалом для изготовл. термисторов служат обычно полупровод. с электронной электропроводностью, как правило оксиды металлов и смеси оксидов. В широком интервале температ. электрическое сопротивл. термистора может быть выражени экспоненциальным законом: R₁=Ke^β/T, где К- коэфф. зависящий от конструктивных размеров термистора, β- коэфф. зависящий от концентрации примесей в полупроводнике, Т- абсолют. температура. Осн. парам. характ. работу терморезистора, яв-ся температ. коэфф. сопротив. α= (1/R_т)*(dR_т/dt)*100, кот-ый выраж-ет процентное измерение сопротивл. терморезистора при изменении температ.

1 -температ. хар. термистора, 2-температ. хар. позистора. В электрич. цепях термисторы ведут себя как обычные резисторы, сопротив. кот. зависят от температ. окр.

с реды. и действ. тока, причем до высоких частот (100-500МГц) не сказыв. паразитная емкость и собственная индуктивность термисторов.

Это деформационная хар-ка тензорезистора. Позистор имеет положит. темп. коэфф. сопр-я. Изготавл. из титанат-бариевой керамики с примесью

редкоземел. элементов. Терморез-ры примен. в системах регулирования температ, тепловой защиты, противопож. охраны. Тензорезистор- полупр. резистор, в кот-ом испол-я зависим. элект-го спр-я от механ. дефф-ий. Для изготовл. чаще всего примен. кремний с электропровод. как p-типа, так n-типа. Важ-ая хар. тензо-ра яв-ся его деф. хар. Основн. парам. тенз-ра яв-ся R_ном=100500 Ом, и коэф. тензочувст-ти К=(∆R/R)/(∆l/l). Фоторезистор- пол-ый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэфектом, в котором испол-ся яв-е фотопровод., т.е изменения электр. провод-ти полупроводника под действ-ем оптич. излучения.

Фоторез. облад. значит. инертностью, обусловл-ой временем генерации и рекомбинации электронов и дырок, происход. при изменении освещенности фоторезистора. Дост-ва фоторез-ов: высокая чувствит., возможность использ-я в инфрокрасной области спектра излучения, небольшие габариты и применимость для работы в цепях постоянного тока.