- •5. Классификация резисторов.
- •3. Физические явления в p-n переходе
- •8 . Биполярные транзисторы, их структура и свойства. Принцип работы и т.Д.
- •9 . Статические вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов в схеме оэ. Основные электрические параметры и частотные свойства.
- •1 1. Схемы замещения биполярных транзисторов в физических параметрах.
- •12. Схема замещения биполярных транзисторов в h-параметрах.
- •13. Полевые транзисторы, их структура и т.Д
- •1 4. Использование принципа полевого транзистора в современных элементах и устройствах электроники.
- •1 0. Математические модели биполярных транзисторов. Их использование при анализе и расчете электронных схем. Модель Эберса-Молла.
- •14. Тиристоры, их структура, свойства, принцип работы, область применения, вольт-амперная характеристика, основные электрические параметры.
- •4. Емкости p-n перехода, причины их возникновения и влияние на частотные свойства полупроводниковых приборов
- •7. Полупроводниковые стабилитроны, их назначение, свойства, вольт-амперная характеристика, условные обозначения на схемах, основные электрические параметры.
- •19. Электрические сглаживающие фильтры. Их классификация, основные параметры и характеристики. Достоинства и недостатки различных типов фильтров. Электронные фильтры, их особенности
- •2. Конденсаторы, применяемые в электронных устройствах, их типы, основные электрические параметры и характеристики, частотные свойства, схема замещения на высоких частотах
- •17. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы, их свойства, применение, условные обозначения на схемах
- •18. Однофазные неуправляемые выпрямители, их структура, свойства, назначение, типы, достоинства и недостатки, параметры и характеристики.
- •20. Стабилизаторы напряжения и тока, их классификация, назначение, основные параметры и характеристики
- •23. Основные функциональные блоки электронно-лучевого осциллографа, их назначение, характеристики.
- •24. Конструкция электронно-лучевой трубки осциллографа.Назначение элементов конструкцииЭлт. Особенности конструкции кинескопа и его характеристик
- •25. Основные функциональные блоки электронного цифрового вольтметра и их назначение. Преимущества электронных измерительных приборов перед электромеханическими.
17. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы, их свойства, применение, условные обозначения на схемах
Оптоэлектронными называют приборы, преобразующие электрические сигналы в оптические (лучистую энергию), передающие эту энергию индикаторам или фотоэлектрическим преобразователям. Наиболее распространенным типом оптоэлектронных приборов является оптрон, состоящий из источника и приемника излучения, имеющих между собой определенную оптическую и электрическую связь и помещенных в один корпус
В электронных устройствах оптроны выполняют обычную функцию элемента связи, информация в
котором передается оптически. Этим достигается гальваническая развязка входных и выходных цепей электронного устройства, т. е. отсутствие паразитных обратных связей, ухудшающих стабильность и другие свойства электронных устройств. Излучателями в современных оптронах чаще всего являются светодиоды, а приемниками излучения—фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы и фототиристоры. В зависимости от используемого типа фотоприемника различают фоторезисторные, фотодиодные, фототранзисторные и фототиристорные оптроны.
Входные и выходные характеристики оптронов зависят от используемых в них источников и приемников излучения. Важной для оптронов является передаточная характеристика. Для фоторезисторных оптронов она определяется отношением темнового сопротивления к световому Rт/Rcв, для фотодиодных и фототранзисторных — коэффициентом передачи тока Кi = Iвых/Iвх, а для фототиристорных — минимальным входным током, обеспечивающим спрямление характеристики Iспр.вх. Инерционность оптронов характеризуется временем включения tвкл. и выключения tвыкл. в импульсном режиме работы и граничной частотой fгр при работе в области высоких частот. Гальваническую развязку оптронов характеризуют напряжение Uc, сопротивление Rс и емкость Сс связи излучателя и приемника. Фоторезисторные оптроны имеют линейную выходную вольт-амперную характеристику, высокое отношение RT/Rcв (до 107), но из-за большой инерционности (tвкл(выкл)=10-110-2с) их применение ограничено. Гораздо более широкое развитие получили фотодиодные и фототранзисторные оптроны.
Фототиристорные оптроны могут применяться для коммутации силовых цепей с напряжением до 1300 В и токами до 300 А. Помимо рассмотренных элементарных оптронов в последнее время находят все более широкое применение оптоэлектронные интегральные микросхемы (ОЭИМС). Они объединяют в одном унифицированном для микросхем корпусе один или несколько элементарных бескорпусных оптронов и типовую интегральную микросхему, подключаемую к фотоприемнику оптрона. В последние годы разрабатываются и начинают применяться оптроны с управляемым оптическим каналом между источником излучения и фотоприемником. Принцип действия таких оптоэлектронных устройств основан на управлении оптическими параметрами среды, связывающей источник и приемник излучения. Оптоэлектронное устройство с управляемым электрическим напряжением световодом можно представить в виде шестиполюсника с двумя входами: вход 1 — управление источником излучения ИИ, вход 2 — управление оптическим каналом УОК и одним выходом в цепи фотоприемника ФП.
Оптоэлектронные устройства широко применяют в вычислительной технике, автоматике, контрольно-
измерительных устройствах. В дальнейшем применение этих устройств будет расширяться по мере улучшения их характеристик: надежности, долговечности и температурной стабильности.