- •Методы получения тонких пленок
- •Химические методы осаждения
- •1. Испарение в сверхвысоком вакууме
- •Электронно-лучевое испарение
- •2. Получение тонких пленок распылением материалов ионной бомбардировкой.
- •Катодное распыление
- •Магнетронное распыление-напыление
- •Напыление воздействием высокочастотного электромагнитного поля
- •Ионно-лучевое распыление.
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия
- •Методы химического осаждения пленок. Химическое осаждение из газовой фазы. Газотранспортные реакции.
- •Химическое газофазное нанесение пленок . Cvd (Chemical Vapor Deposition) метод.
- •Метод распылительного-пиролиза
- •Жидкофазная эпитаксия
Метод распылительного-пиролиза
Среди химических методов получения пленок последнее время довольно широко развивается метод распылительного-пиролиза, заключающийся в распылении на разогретые подложки аэрозолей, включающих термически разлагающиеся соли соответствующих компонентов сложных или простых оксидов. Применяя данный способ, следует считаться с тем, что солевые компоненты в силу разной устойчивости к нагреванию могут разлагаться либо ещё на подлете к подложке и тогда часть компонентов будет оседать уже в виде твердых частиц и агломератов, либо подвергаться пиролизу только после достижения микрокаплей заданной температуры подложки. Такое явление может приводить к снижению химической и фазовой гомогенности пленок, также как и возможная высокая летучесть некоторых солевых форм, при этом приходится корректировать состав исходных растворов, повышая в них долю летучих компонентов. Введение в рабочие растворы растворимых в данном растворителе (например, воде) полимеров позволяет снизить отрицательное влияние указанных факторов, т.к. температуры разложения солей нивелируются.
Жидкофазная эпитаксия
Жидкофазная эпитаксия стала важнейшим методом получения различных пленок и полупроводниковых кристаллов. В целом, тонкопленочный рост например пленок феррит-гранатов методом жидкофазной эпитаксии состоит из следующих этапов сперва, смесь оксидов (например, Re2O3, Fe2O3, PbO, B2O3 для получения железотриевого граната) нагревается до температуры выше, чем температуры насыщения (Tнас) и выдерживается в течение длительного промежутка времени, чтобы достичь максимальной гомогенности расплава. Затем температура понижается (меньше, чем Tнас) так, что система некоторое время пребывает в состоянии пересыщения и после этого вводится подложка. В конце процесса роста подложка с пленкой извлекается из системы. (рис ) .