- •Электроника и микросхемотехника
- •1 Аналоговая схемотехника
- •1.1 Резисторы (сопротивления)
- •1.2 Конденсаторы
- •1.3 Индуктивность
- •1.4 Диоды
- •1.5 Биполярные транзисторы
- •1.6 Униполярные транзисторы
- •1.7 Тиристоры
- •1.8 Транзисторы igbt (Ай Жи Би Ти)
- •1.9 Сит транзисторы и сит-тиристоры
- •1.10 Новые разработки транзисторов и тиристоров
- •1.11 Обратные связи
- •1.12 Операционные усилители
- •2 Логические схемы
- •2.1 Основные определения
- •2.2 Диодные логические схемы
- •2.3 Ттл логические схемы
- •2.4 Особенности 530, 531, 533, 555 серий
- •2.5 Логика на униполярных транзисторах
- •2.6 Логика с оптическими связями
- •2.7 Программируемые логические интегральные схемы (плис)
- •2.8 Обобщенная модель плис
- •2.9 Микросхема плм (к556 рт 1)
- •3 Триггеры
- •3.1 Триггеры на биполярных транзисторах
- •3.2 Триггеры на униполярных транзисторах
- •3.3 Триггеры на логических элементах
- •3.4 Синхронный rs–триггер
- •3.5 Счетный триггер на логических элементах
- •3.8 Интегральный шестиэлементный d–триггер тм2
- •3.10 Прозрачные триггеры–защелки
- •3.11 Гонки
- •3.12 Триггеры на приборах с отрицательным сопротивлением. Триггеры на туннельных диодах.
- •3.13 Триггеры на тиристорах
- •3.14 Триггеры на двухбазовых диодах
- •3.15 Триггеры на операционных усилителях
- •4 Генераторы импульсов
- •4.1 Мультивибраторы на биполярных транзисторах
- •4.1.1 Мультивибраторы в ждущем режиме
- •Мультивибраторы на биполярных транзисторах в автоколебательном режиме.
- •4.2 Ждущий мультивибратор на униполярных транзисторах
- •4.3 Генератор импульсов на двух логических элементах с двумя конденсаторами в автоколебательном режиме
- •4.4 Генератор импульсов на четырех логических элементах с одним конденсатором
- •4.5 Генераторы импульсов на логических элементах в ждущем режиме
- •4.6 Генератор импульсов на туннельном диоде в ждущем режиме
- •4.7 Генератор импульсов на туннельном диоде в автоколебательном режиме
- •4.8 Генератор импульсов на тиристоре в ждущем режиме
- •4.9 Генератор импульсов на тиристоре в автоколебательном режиме
- •4.10 Таймеры
- •4.11 Генератор импульсов в ждущем режиме на таймере
- •4.12 Генератор импульсов в автоколебательном режиме на таймере
- •4.13 Блокинг–генераторы в ждущем режиме
- •4.14 Блокинг–генератор в автоколебательном режиме
- •4.15 Магнито–транзисторный преобразователь двухплечевой
- •4.16 Схема с дополнительным трансформатором
- •4.17 Мостовая и полумостовая схемы магнито–транзисторных преобразователей
- •4.18 Генераторы импульсов на оу в автоколебательном режиме
- •4.19 Генератор импульсов на оу в ждущем режиме
- •4.20 Кварцевая стабилизация импульсных генераторов
- •4.21 Генератор импульсов, стабилизированный кварцем
- •5 Генераторы синусоидальных колебаний
- •5.1 Общие определения
- •5.2 Генератор синусоидальных колебаний с lc контуром и трансформаторной ос
- •5.3 Схемы с индуктивной, емкостной трехточками
- •5.4 Rc цепи для генераторов синусоидальных колебаний
- •5.5 Генераторы синусоидальных колебаний с r и c–параллелями
- •5.6 Генераторы синусоидальных колебаний с кварцевой стабилизацией
- •5.7 Генераторы синусоидальных колебаний на оу
- •6 Цифроаналоговые и аналого–цифровые преобразователи
- •6.1 Цифроаналоговые преобразователи
- •6.1.1 Цап с весовыми резисторами
- •6.1.2 Цап с матрицей r–2r
- •6.1.3 Цап с сигма–дельта модуляцией
- •6.1.4 Цап с прямым преобразованием
- •6.2 Аналого–цифровые преобразователи
- •6.2.1 Следящие ацп
- •6.2.2 Развертывающие ацп
- •6.2.3 Ацп с регистром последовательного приближения
- •6.2.4 Ацп с двойным интегрированием
- •6.2.5 Ацп параллельного преобразования
- •6.2.6 Ацп с сигма–дельта ( ) модуляцией
- •6.2.7 Микросхема кр1108 пп–1
- •7 Источники питания электронных устройств
- •7.1 Общие определения
- •7.2 Выпрямители
- •7.3 Параметрические стабилизаторы напряжения
- •7.4 Компенсационные стабилизаторы напряжения
- •7.5 Импульсные стабилизаторы напряжения
- •7.6 Импульсные корректоры коэффициента мощности
4.7 Генератор импульсов на туннельном диоде в автоколебательном режиме
Схема автоколебательного мультивибратора образуется из схемы ждущего путем такого расположения нагрузочной прямой, при котором устанавливается одна точка А неустойчивого равновесия, как на рисунке 4.20.
Рисунок 4.20 — Процессы генерации в автоколебательном режиме
Цепь запуска в схеме генератора также отсутствует (рисунок 4.21).
Рисунок 4.21 — Схема генератора импульсов на туннельном диоде в автоколебательном режиме
Процессы генерации в схеме начинаются с начала координат по рисунку 4.20 в момент включения напряжения питания +E0 (потому, что включение +E0 сопровождается нарастанием от нуля до максимума). Нагрузочная прямая из положения в начале координат относительно медленно перемещается параллельно своему первоначальному положению в направлении точки 1, затем под действием ЭДС самоиндукции делает скачок в точку 2 (закон сохранения тока), относительно медленное движение в точку 3, скачок в точку 4 и т.д., продолжается непрерывный генерационный процесс. Расчет длительности импульсов, а следовательно, частоты производится по формуле предыдущего раздела 4.7, при этом надо иметь ввиду, что вершины и основания импульсов формируются на интервалах 2 – 3 и 4 – 1 нелинейного участка характеристики туннельного диода. Из графического построения рисунка 4.20 также легко могут быть найдены цифровые значения токов на интервалах скачков.
4.8 Генератор импульсов на тиристоре в ждущем режиме
Характеристики тиристоров проанализированы в разделах 1.5; 1.14; 3.14 импульсных усилителей мощности и триггеров. Расположение нагрузочной прямой в ждущем режиме выбирается таким, чтобы образовалась одна точка устойчивого равновесия 1, как показано на рисунке 4.22.
Рисунок 4.22 — Расположение нагрузочной прямой Rн
Из этого расположения определяются цифры E0 и Rн, их принимают стандартными, ближайшими к расчетным. При нарастании напряжения питания в момент включения от нуля (начала координат) первой встречается точка 1. Эта же точка определяет режим ожидания запускающего импульса. В схеме ждущего мультивибратора на тиристоре, так же как и на туннельном диоде, нужна реактивность, но здесь применяют емкость, в отличие от индуктивности в схеме на туннельном диоде. Для включения емкости общее сопротивление нагрузки Rн делят на две части. Пропорции между ними устанавливаются следующим образом. Откладывается допустимая величина тока Iдоп на характеристике тиристора и в точку E0 проводится нагрузочная прямая R1. Общее сопротивления Rн=R1+R2. При известных Rн и R1, рассчитывают R2. Желательно наклон R1 принимать большим, чем показано на рисунке 4.22 с тем, чтобы уменьшить ток тиристора в сравнении с предельным Iдоп, показанным на рисунке 4.22. Насколько уменьшить – это определяет разработчик схемы, желающий заложить предел прочности.
В итоге получаем все элементы, которые собираем в соответствии с рисунком 4.23
Рисунок 4.23 — Схема генератора импульсов на тиристоре в ждущем режиме
Процессы генерации импульсов иллюстрируются графиком рисунка 4.24.
Рисунок 4.24 — Процессы генерации
Вначале устанавливается режим ожидания в точке 1. Конденсатор C разряжен, тиристор закрыт, тока в цепи нет. Запускающий импульс «спрямляет» характеристику тиристора, т.е открывает его, как показано штриховой линией на рисунке 4.24. Протекают два тока, первый , второй . В первое мгновение фронта импульса второй ток является основным, так как конденсатор C представляет собой практически нулевое сопротивление. Рабочая точка делает скачок из положения 1 в положение 2, т.к. в момент фронта, в сущности, будет цепь: . С течением времени происходит заряд конденсатора C, следовательно, вводится в действие резистор R2. На графике рисунка 4.24 это эквивалентно вращению нагрузочной прямой R1 влево, с центром вращения – точкой E0. Заряд конденсатора C происходит относительно медленно (не скачком), поэтому и вращение постепенное, вплоть до точки 3 – колена тока выключения тиристора. Происходит скачок в точку 4, импульс заканчивается, тиристор закрывается. Переход в точку режима ожидания 1 происходит опять относительно медленно, на этом интервале времени установления конденсатор С разряжается до нуля. Последний элемент схемы – конденсатор С может быть определен из следующих соображений. Обычно разработчик знает длительность импульса, который должен быть прогенерирован. Следовательно, можно рассчитать постоянную времени цепи заряда конденсатора С. Применяется типовая формула оценки длительности импульса:
.
В этой формуле Ясно, что процессы в схеме нелинейны в связи с нелинейностью характеристики тиристора, тем не менее, линейное приближение дает достаточно точную оценку. Таким образом, все координаты и параметры в этой формуле известны, кроме C. По ним рассчитывается емкость конденсатора С.
Время установления может быть определено по экспоненте восстановления
где