1. Перечень используемых в рпу сокращений

АМ - амплитудный модулятор (амплитудная модуляция);

АЧХ - аплитудно-частотная характеристика;

АПЧ - автоматическая подстройка частоты;

АЭ - активный элемент;

ВАХ - вольтамперная характеристика;

ГВВ - генератор с внешним возбуждением;

ГУН - генератор, управляемый напряжением;

БМ - балансный модулятор (балансная модуляция);

БТ - биполярный транзистор;

ДГ - диод Ганна;

ДНЗ - диод с накоплением заряда;

ДПКД - делитель частоты с переменным коэффициентом деления;

ЗГ - задающий генератор;

И - интегратор;

ИМ - импульсный модулятор (импульсная модуляция);

М - модулятор (модуляция);

МДМ - мост деления мощностей;

МК - модулируемый каскад;

МСМ - мост сложения мощностей;

ОБП - одна боковая полоса;

ОМ - однополосный модулятор (однополосная модуляция);

ПП - полупроводниковый прибор;

ПТ - полевой транзистор;

ПФ - полосовой фильтр;

РПУ - радиопередающее устройство;

ТД - туннельный диод;

УНЧ - усилитель низкой частоты;

УМ - усилитель мощности;

УМК - усилитель модулированных колебаний;

УЧ - умножитель частоты;

ЧМ - частотный модулятор (частотная модуляция);

Ф - фильтр;

ФАПЧ - фазовая автоматическая подстройка частоты;

ФВ - фазовращатель;

ФВЧ - фильтр верхних частот;

ФМ - фазовый модулятор (фазовая модуляция);

ФНЧ - фильтр низких частот;

ФЧХ - фазочастотная характеристика;

ЦС - цепь согласования;

ЭВП - электровакуумный прибор.

2. Перечень используемых обозначений

E - напряжение источника питания, [В];

_{- пик фактор,} [1], [%];

f₀ - несущая частота, [Гц];

- ток, потребляемый от источника питания, [А];

- размах импульса тока, [А];

_n - амплитуда n-той гармоники тока, [А];

К_f - коэффициент перекрытия частоты, [1], [%];

К_Р - коэффициент усиления по мощности, [1], [дБ];

m - индекс (глубина) модуляции, [1];

Р₀ - мощность, потребляемая от источника питания, [Вт];

Р_n - мощность n-той гармоники, [Вт];

Р_~ - колебательная (полезная) мощность, [Вт];

Р_к - мощность, рассеиваемая на коллекторе, [Вт];

S - крутизна активного элемента, [мА/В];

U_n - амплитуда напряжения n-той гармоники частоты, [В];

L - индуктивность, [Гн];

R - сопротивление, [Ом];

C - емкость, [ф];

t - время, [с];

a - коэффициент передачи тока эмиттера, [1];

a₀ - коэффициент передачи тока эмиттера по постоянному току, [1];

b - коэффициент передачи тока базы, [1];

b₀ - коэффициент передачи тока базы по постоянному току, [1];

a_n(q) - коэффициенты Берга, [1];

g_n(q) - коэффициенты Берга, [1];

g_n(q) - коэффициенты Берга, [1];

w₀ - круговая несущая частота, [рад/с];

w_b - предельная частота усиления тока базы биполярного транзистора,

[рад/с];

w_a - предельная частота усиления тока эмиттера транзистора, [рад/с];

w_т - граничная частота усиления тока базы транзистора, [рад/с];

w_д - девиация частоты, [рад/с];

j - фаза, [рад], [град];

j₀ - начальная фаза, [рад], [град];

q - угол отсечки тока, [рад], [град];

t - временной сдвиг, [с];

e - диэлектрическая проницаемость, [ф/м];

h - коэффициент полезного действия, [1], [%];

Df - абсолютная нестабильность частоты, [Гц];

df - относительная нестабильность частоты, [1], [%];

x - коэффициент использования напряжения, [1];

Q - добротность, [1];

• - длина волны, [м].