- •Физика конденсированного состояния вещества
- •Вводная глава
- •§1. Понятие пространства и времени.
- •§2.Масса, энергия, относительность
- •§3.Симметрия и асимметрия в неживой природе.
- •Глава I. Абстрактные группы
- •§1.Группа
- •§2.Сдвиг по группе
- •§3.Подгруппа
- •§4.Сопряжённые элементы и класс
- •§5.Инвариантная подгруппа
- •§6.Фактор – группа
- •§7. Изоморфизм и гомоморфизм групп
- •§8. Представления групп
- •§9. Характеры представлений
- •§10.Регулярное представление
- •§11. Примеры групп имеющих, приложение в физике
- •§12.Теория групп и квантовая механика
- •Глава II.Описание структуры кристаллов
- •§1.Общие свойства макроскопических тел
- •§2. Точечные группы.
- •§3. Симметрия кристаллов
- •§4.Сингонии.
- •§5.Неприводимые представления группы трансляций
- •§5.Конкретные примеры прямой и обратной решёток
- •1) Прямые решётки.
- •§6.Обозначения узлов, направлений и плоскостей в кристалле
- •§7.Определение структуры кристаллов.
- •§8. Атомный и геометрический структурный факторы
- •Глава III Движение электрона в периодическом поле
- •§1. Адиабатическое приближение
- •§2. Уравнения Хартри
- •§3 Уравнения Хартри-Фока
- •§4.Обменное взаимодействие
- •§5. Кристаллический потенциал и свойства симметрии гамильтониана
- •§6. Теорема Блоха
- •§7. Одноэлектронное уравнение Шрёдингера
- •§8. Приближение свободных электронов
- •§9. Плотность состояний
- •§10. Эффективная масса электронов
- •§11.Приближение почти свободных электронов
- •§12.Метод сильной связи
- •§13. Поверхность Ферми
- •§14. Химический потенциал и физическая статистика
- •Глава IV. Силы связи в кристаллах
- •§1. Силы Ван - дер – Ваальса
- •§2. Ионные кристаллы
- •§3.Ковалентная связь
- •§4. Металлическая связь
- •§5.Водородная связь.
- •Глава V. Динамика решётки.
- •§1. Силы упругости в кристаллах.
- •§2.Колебания и волны в одномерной атомной цепочке.
- •§3. Колебания и волны в двухатомной одномерной цепочке
- •§ 4.Нормальные колебания в трёхмерных кристаллах
- •§5. Понятие о фононах
- •§6.Спектр нормальных колебаний решётки.
- •§7.Теплоёмкость твёрдого тела
- •§8.Теплоёмкость электронного газа
- •Глава VI. Физика полупроводников
- •§1.Собственные полупроводники
- •§2. Примесные полупроводники
- •§3.Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •§4.Положение уровня Ферми и концентрация носителей в собственных полупроводниках
- •§5. Положение уровня Ферми и концентрация носителей в примесных полупроводниках.
- •Глава VII Кинетические свойства твёрдых тел
- •§1. Электропроводность
- •§2. Вычисление времени релаксации
- •§3. Кинетическое уравнение Больцмана
- •§4.Статическая проводимость
- •§5. Классическая теория электропроводности в магнитном поле
- •Глава VIII Растворы и химические соединения Введение
- •§1. Фазовая диаграмма.
- •§2. Упорядоченные растворы.
- •§3.Фазовые превращения.
- •§4. Типы фазовых диаграмм.
- •§5. Системы с образованием химических соединений
- •§6. Сплавы типа растворов внедрения.
- •§7. Упорядочение в сплавах
- •§8. Электронное строение сплавов и неупорядоченных систем
- •§9. Ближний порядок в сплавах
- •§10. Статистическая теория ближнего порядка
- •§11. Факторы, обусловливающие ближний порядок
- •Глава IX.Строение жидкостей и аморфных тел
- •§1. Особенности твёрдого, жидкого и газообразного состояний вещества
- •§2. Радиальные функции распределения межатомных расстояний и атомной плотности
- •§3. Функции распределения в статистической физике
- •§4.Уравнение для бинарной функции распределения
- •§5. Решение уравнения для бинарной функции распределения
- •§6.Уравнение Перкуса – Йевика
- •Глава X.Элементы физики жидких кристаллов Введение
- •§1.Классификация жидких кристаллов
- •2.Смектики c.
- •Смектики b.
- •Заключение. Фуллерены. Углеродные нити
§6. Теорема Блоха
Поскольку уравнение Шрёдингера является уравнением в частных производных для его решения необходимо установить класс функций и граничные условия для них, которые будут удовлетворять этому уравнению. Задача эта решается учётом симметрии решётки. Поскольку она периодична, распределение зарядовой плотности в каждой ячейке кристалла должно быть одинаковым, а сама ячейка электрически нейтральной. Пусть – волновая функция, описывающая распределение электронов в ячейке, тогда плотность распределения электронов в ячейке, определится соотношением . Так как это распределение должно быть периодическим, с периодом решётки кристалла , то мы должны иметь следующее равенство
. (6.1)
Отсюда можно сделать вывод, что при переходе в ячейку с вектором , волновая функция умножается на некоторое комплексное число , которое можно подчинить условию , т.е. .
Теперь нетрудно получить, выполнив несколько трансляций на разные вектора решётки, следующие соотношения
.
Отсюда немедленно следует, что . Этому условию и условию можно удовлетворить, если положить , где вектор имеет размерность обратной длины. Таким образом, набор функций, среди которых следует искать решения уравнения Шрёдингера должен удовлетворять следующему условию
.(6.2а)
Это условие и составляет содержание теоремы Блоха. Второе условие, которому должно удовлетворять решение дифференциального уравнение второго порядка, требует непрерывности функции при переходе через границу ячейки, т.е. должна быть непрерывной нормальная производная в двух точках и на границах, связанных соотношением . Нормали к границам удовлетворяют условию . Это условие имеет вид
. (6.2б)
Условия (6.2а) и (6.2б) называются блоховскими условиями. Таким образом, если обратиться к теории неприводимых представлений полгруппы трансляций, то можно говорить, что решения уравнения Шрёдингера для кристалла являются собственными функциями оператора трансляций . Вектор , нумерующий эти неприводимые представления, в дальнейшем будем называть волновым вектором и писать в качестве индекса у волновой функции .
§7. Одноэлектронное уравнение Шрёдингера
Уравнения Хартри – Фока(4.2), а также уравнение(5.1) с кристаллическим потенциалом (5.3) называют одноэлектронным уравнением Шрёдингера. Поскольку оно получено с помощью волновых функций приписываемых состяниям отдельного электрона. Так как кристаллический потенциал в этом приближении состоит из двух составляющих кулоновской и обменной, причём, как правило, обменный потенциал используется в приближённой форме, то для получения полного потенциала (5.3) необходимо только найти кулоновский потенциал. Кулоновский потенциал, как хорошо известно, находится спомощью решения уравнения Пуассона по заданному зарядовому распределению в элементарной ячейке кристалла. Запишем уравнение Пуассона
, (7.1)
Где – распределение зарядовой плотности в ячейне кристалла. Его обычно записывают для одноатомных кристаллов в таком виде
. (7.2)
Здесь – заряд ядра, – распределение электронного заряда, – дельта функция Дирака описывает распределение точечного заряда ядра. Для решения уравнения Пуассона необходимо наложить периодические граничные условия, которые подобны условим Блоха для волновой функции:т.е. кулоновский потенциал должен быть периодическим с периодом решётки вместе с непрерывными нормальными производными при переходе через гранцу ячейки. Кроме того, должно выполняться условие электрической нейтральности ячейки
. (7.3)
Таким образом, на основании теоремы Блоха и периодичности кристаллического потенциала, как собственные волновые функции гамильтониана, так и его собственные значения зависят отволнового вектора , т.е. должны одноэлектронное уравнение Шрёдингера переписать ввиде
.(7.4)
Отсюда следует такой вывод: так как волнолвой вектор меняется квази непрерывным образом в зоне Бриллюэна, собственные значения гамильтониана являются квазидискретными функциями этого вектора, т.е. как говорят, они образуют зонный энергетичский спектр собственных значений.
Поскольку в приближении Слэтера (4.7), да в других подобных приближенмях, обменный потенциал зависит от распределения электронной плотности в кристалле, и распределением которой определяется и кулоновский потенциал, задачу вычисления энергетической зонной структуры кристаллов необходимо решать самосгласованным образом. Схема самосогласованного расчёта выглядит так. Вначале тем или иным способом строится электронная плотность в кристалле, по ней с помощью решения уравнения Пуассона определяется кулоновский потенциал. Обменный потенциал строится либо в приближении Слэтера, либо в каком – то другом. Полученный таким способом кристаллический потенциал подставляется в уравнение (7.4) для нахождения функций , которые затем используются для построения новой электронной плотности и так до достижения самосогласования, т.е. до достижения результата, пока полученное решение не будет отличаться от предыдущего с заданной степенью точности.