- •Билет 1
- •1)Закон Ома для цепи синусоидального тока.
- •2)Комплексная проводимость и операции с комплексными числами.
- •3)Электропроводность полупроводников.
- •Билет 2
- •1)Основы символического метода расчета цепей синусоидального тока
- •2)Законы Кирхгофа в символической форме записи.
- •3)Симметричный и несимметричный p-n-переходы.
- •Билет 3
- •1)Резистивный, индуктивный, емкостной элементы в цепи синусоидального тока)
- •1. Резистивный элемент (резистор)
- •2. Индуктивный элемент (катушка индуктивности)
- •3. Емкостный элемент (конденсатор)
- •2)Методы расчета электрических цепей синусоидального тока.)
- •3)Приложение прямого напряжения к переходу
- •Билет 4
- •1) Синусоидальный ток.
- •2) Векторные диаграммы при расчете электрической цепи синусоидального тока.
- •3) Приложение обратного напряжения к переходу.
- •Билет 5
- •1)Краткие выводы по методам расчета электрических цепей.
- •2) Мощность. Выражение мощности в комплексной форме записи.
- •3) Обратный ток реального р-п-перехода.
- •Билет 6
- •1)Метод эквивалентного генератора
- •2) Резонансный режим работы двухполюсника.
- •3) Пробой p-n-перехода
- •Билет 7
- •1)Методы узловых потенциалов
- •2 )Резонанс токов
- •3)Полупроводниковые диоды. Общие понятия
- •Билет 8
- •1)Метод двух узлов.
- •2)Резонанс напряжений
- •3)Выпрямительные диоды
- •Билет 9
- •1)Перенос источников эдс и источников тока.
- •2)Передача энергии от активного двухполюсника нагрузке.
- •3)Импульсный диод
- •Билет 10
- •2)Согласующий трансформа́тор — трансформатор, применяемый для согласования сопротивления различных частей (каскадов) электронных схем.
- •1)Преобразование звезды в треугольник и треугольника в звезду
- •2) Расчет электрических цепей при наличии магнитно-связанных катушек.
- •3)Туннельный и обращенный диоды
- •Билет 12
- •1) Теоремы взаимности и компенсации.
- •2) Резонанс в магнитно-связанных колебательных контурах.
- •3) Диоды Шотки.
- •Билет 13
- •1)Входные и взаимные проводимости ветвей. Входное сопротивление
- •2)Трехфазная система эдс.
- •3)Устройство и основные физические процессы биполярного транзистора.
- •Билет 14
- •1) Принцип наложения и метод наложения.
- •2) Основные схемы соединения трехфазных цепей.
- •3) Модель Эберса - Молла с двумя источниками тока, управляемыми токами.
- •Билет 15
- •1) Метод контурных токов.
- •2) Расчет трех фазных цепей. Общие рекомендации.
- •3) Модель Эберса - Молла с одним источником тока, управляемым током.
- •Билет 16
- •1) Метод пропорциональных величин.
- •2) Расчет трехфазных цепей при соединении звезда - звезда с нулевым проводом.
- •3) Эквивалентная схема транзистора для расчета схем с общим эмиттером.
- •Билет 17
- •2)Расчёт трёхфазных цепей при соединении нагрузки треугольником
- •3)Схема включения транзистора с общей базой
- •Билет 18
- •1)Закон ома для ветвей с источником эдс
- •2)Расчет трехфазных цепей при соединении звезда-звезда без нулевого провода
- •3)Схема включения транзистора с общим эмиттером
- •Билет 19
- •1)Дуальность элементов и цепей. Принцип дуальности
- •2)Мощность в трехфазных цепях
- •3)Схема включения транзистора с общим коллектором
- •Билет 20
- •1)Второй закон Кирхгофа
- •2)Круговое вращающееся магнитное поле
- •Билет 21
- •1)Первый закон Кирхгофа
- •2)Общие сведения о переходных процессах
- •3)Параметры и характеристики усилителей на транзисторах
- •Билет 22 (не полностью)
- •1) Основные понятия геометрии цепей.
- •1) Законы коммутации.
- •3) Начальный режим работы транзистора в схеме с общим эмиттером. Билет 23
- •1) Источник тока.
- •2) Независимые и зависимые начальные условия.
- •3) Схемы стабилизации транзистора (коллекторная, эмиттерная).
- •Билет 24 (не полностью)
- •2) Составление уравнений для свободных токов и напряжений.
- •Билет 25
- •1)Емкостной элемент и его характеристики
- •2)Алгебраизация системы уравнений для свободных токов
- •3)Усилители с эммитерной стабилизацией
- •Билет 26
- •1)Индуктивный элемент и его характерестики
- •2) Составление характеристического уравнения системы
- •3) Анализ усилителя с эмиттерной стабилизацией
- •Билет 27
- •2)Расчёт трёхфазных цепей при соединении нагрузки треугольником
- •3)Анализ усилителя на основе эквивалентной схемы для средних частот
- •Билет 28
- •1)Энергия и мощность.
- •2)Классический метод расчета переходных процессов в линейных цепях.
- •3)Статические характеристики и режимы работ транзисторного ключа.
- •Билет 29
- •1)Напряжение.
- •2)Расчет переходных процессов с применением преобразования Лапласа.
- •3)Динамический режим работы транзисторного ключа.
- •Билет 30
- •1) Ток в электрической цепи.
- •2) Расчет переходных процессов операторным методом.
- •3) Схемы транзисторных ключей.
3)Анализ усилителя на основе эквивалентной схемы для средних частот
Проанализируем эквивалентную схему усилителя зву-Шт частоты, изображенную на рис. 9.31 [32], на низких, шх и высоких частотах. Так как рассматриваемый _._ятель предназначен для работы на не высоких частотах, рбудем учитывать индуктивность выводов компонентов, 6о влияние этих индуктивностей в данном случае пренеб-1|кимо мало. Элемент Со, изображенный на эквивалентной 8>ме, является входной емкостью следующего усилитель- f o каскада. Зададимся условием, что конденсаторы Ск и обладают емкостью порядка десятков пикофарад, а Сэ. Цединиц до десятков микрофарад. На низких частотах реактивные емкостные сопротив-ня параллельно включенных конденсаторов Ск иСо т иметь весьма большую величину и влияния на работу ойства оказывать не будут. Емкость конденсатора Сэ JT относительно большую величину, следовательно, ее остное реактивное сопротивление будет мало. Даже на „шх частотах порядка 20 Гц пренебрегать влиянием этой кости нельзя, так как она выполняет функцию провод¬ка между резистором Дэ и общим проводом, замьпсая на .ссу переменную составляющую сигнала. Таким образом, i низкой частоте схема усилительного каскада будет иметь изображенный на рис. 9.32 [32]. Межкаскадные гальванически развязывающие кон-денсаторы Ср, обладающие емкостью порядка от единиц до десятков микрофарад, последовательно преодолевают сигналы, поступающие от источника напряжения Um. На низких частотах сопротивление этих развязывающих конденсаторов будет велико, что приводит к уменьшению коэффициента усиления каскада, поэтому на амплитуд¬но-частотной характеристике в области от постоянного тока до нескольких десятков герц будет наблюдаться характерный завал. Индуктивность выводов транзистора на низких частотах практически не сказывается. Рис. 9.33. Схема усилительного каскада на средней частоте Так как на средних частотах ни барьерная емкость коллекторного перехода транзистора Ск, ни емкость На средних частотах сопротивления развязывающих конденсаторов снижаются до таких значений, что их влияние на завал амплитудно-частотной характеристики можно не учитывать, а реактивные сопротивления емкос¬тей конденсаторов Ск и Со уменьшаются не на столько, чтобы оказывать значительные шунтирующие действия на амплитуду напряжения сигнала, следовательно, на средних частотах данные элементы также можно не учитывать при анализе. Таким образом, эквивалентная схема для средних частот будет иметь вид, изображен¬ный на рис. 9.33 [32]. Как видим, на ней не осталось конденсаторов. рузки Со не оказывают существенного влияния на акционирование усилителя, коэффициент усиления ада на средних частотах будет наибольшим. Участок, дних частот на амплитудно-частотной характеристи-усилителя низкой частоты обычно выделяется своей гяженностью, а также неизменностью амплитуды одного сигнала в номинальном диапазоне частот, уктивность выводов транзистора на средних частотах, и на низких, почти не влияет на функционирование скада. На высокой частоте развязывающие конденсаторы Ср еют весьма малое сопротивление, так как они включены следовательно, не оказывают существенного влияния режим работы усилителя, а емкости элементов Ск и включенные в параллель, шунтируют коллекторный ;еход транзистора и выход усилителя малым сопро-глением, что приводит к уменьшению коэффициента мления. Эквивалентная схема усилителя на высокой стоте изображена на рис. 9.34 [32]. На амплитудно-частотной характеристике в области от максимально допустимой частоты усилителя и более высоких частотах будет наблюдаться характерный завал. ;На рис. 9.35 показано, как изменение частоты влияет на коэффициент усиления каскада. |
Выходное сопротивление анализируемого каскада сов¬местно с емкостью соединительных проводов и входа тран¬зистора следующего каскада Со образуют своеобразную интегрирующую цепь, замедляющую выходной отклик на входной сигнал, поэтому для успешного усиления высоко¬частотных сигналов необходимо стараться максимально снизить емкость нагрузки каскада. На высоких частотах индуктивность выводов транзистора начинает оказывать влияние на работу устройства, заваливая амплитудно-частотную характеристику. В интервале от сотен тысяч герц до наивысших радиочастот СВЧ-диапазона влияние паразитной индуктивности выводов компонентов наибо¬лее велико. Чем больше будут выходное сопротивление каскада и емкость элемента Со, тем выше частотные искажения сиг¬нала. Чтобы повысить максимальную частоту усиливаемого сигнала, не увеличивая частотные искажения, расширяя диапазон средних частот, требуется уменьшить емкость эле¬мента Со. Входную емкость транзистора следующего каскада можно немного уменьшить, применив соответствующий транзистор, а емкость монтажа уменьшить затруднительно. Выходное сопротивление каскада можно весьма значительно уменьшить, однако коэффициент усиления каскада будет соответственно снижен, следовательно, чтобы частотные искажения усилителя были минимальны, нужно либо уменьшить коэффициент усиления каскада, либо сузить ый диапазон. Сужение диапазона воспроизводимых на практике часто недопустимо, как и повышение отных искажений. В результате коэффициент усиления сокочастотных устройств оказывается низким, часто достигая 10 для отдельно взятого каскада, поэтому холится применять многокаскадные,устройства. Сум* рный коэффициент усиления будет равен произведению ициентов усиления всех каскадов тракта. Например, ~*кадный усилитель, где первый каскад имеет коэффи- ент усиления 10, а второй — 8, суммарный коэффициент тения устройства составит 80. |