- •Глава 1. Основные теории электрических цепей и сигналов.
- •§1. Основные понятия теории электрических цепей.
- •§ 2. Элементы электрических цепей и их уравнения. Классификация цепей по признаку линейности.
- •§ 3. Зависимые (управляемые) источники.
- •§ 4.Топологические параметры. Электрическая цепь и уравнение соединений.
- •Глава 2. Электрические цепи при гармоническом воздействии.
- •§1. Основные понятия линейных цепей. Среднее и действующее значение синусоидального тока.
- •§2. Гармонические колебания. Изображение синусоидальных токов векторами и комплексными числами.
- •§3. Комплексная форма уравнений элементов.
- •§3.1. Цепь переменного тока с резистором, активная мощность.
- •§3.2. Цепь переменного тока с индуктивностью, реактивная мощность.
- •§3.3. Цепь переменного тока с емкостью.
- •§3.4. Расчет цепи с реальной индуктивностью.
- •§3.5. Расчет активно-емкостной цепи, треугольники напряжений, сопротивлений; мощность.
- •§4. Колебательные контуры и их частотные характеристики.
- •§4.1. Последовательный колебательный контур.
- •§4.2. Резонанс напряжения.
- •§4.3. Свободные колебания в реальном lc - контуре.
- •§4.4. Уравнение резонансной кривой последовательного контура.
- •§4.5. Вынужденные колебания в параллельном колебательном контуре. Резонанс токов.
- •§4.6. Связанные контуры как полосовой фильтр.
- •Глава 5. Электронные приборы.
- •§1. Классификация электронных приборов.
- •В газоразрядных (или ионных) приборах движение электронов происходит в атмосфере инертных газов. Электрические процессы в них представляют собой разряд в газе.
- •§2. Полупроводниковые приборы.
- •§2.1. Собственная электропроводность.
- •§2.2. Примесные полупроводники.
- •§2.3. Электронно-дырочный переход.
- •§3. Полупроводниковые диоды, их свойства и назначение.
- •§3.1. Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
- •§3.2. Полупроводниковые стабилитроны.
- •§3.3. Варикапы.
- •§3.4. Тиристор.
- •§3.5. Оптоэлектронные устройства.
- •§3.6. Фотодиоды.
- •§4. Полевые транзисторы.
- •§4.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.
- •§4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •§4.3. Дифференциальные параметры полевых транзисторов.
- •§ 5. Биполярные транзисторы.
- •§ 5.1. Статические характеристики. Дифференциальные параметры транзистора.
- •§ 5.2. Определение н-параметров транзисторов по характеристикам.
- •Глава 6. Усилители.
- •§1. Основные показатели.
- •§2. Резисторный усилитель напряжения.
- •Из последней формулы следует, что для расширения полосы пропускания усилителя в сторону верхних частот необходимо уменьшать с0Rэ.
- •§3. Дифференциальный усилитель.
- •§4. Операционные усилители.
- •§5. Основные схемы включения операционных усилителей.
- •§6. Обратная связь в усилительных устройствах.
- •Коэффициент передачи усилителя с обратной связью:
- •§7. Диаграмма Найквиста
- •§8. Повышение стабильности усиления и расширение полосы
- •§9. Частотно-зависимая обратная связь
- •При малых относительных расстройках .
§3. Полупроводниковые диоды, их свойства и назначение.
П олупроводниковым диодом называется прибор, состоящий из двух полупроводников с различными типами проводимости. Электрические характеристики диодов определяются электрическими свойствами p-n-перехода.
Условное обозначение диода приведено на рис. 8а, а его вольт-амперная характеристика – на рис. 8б. Нелинейные свойства диода видны при рассмотрении его вольт-амперной характеристики (ВАХ).Она показывает, что прямой ток равен десяткам миллиампер при напряжении порядка десятых долей вольта. Поэтому прямое сопротивление диодов не выше десятков Ом. Участок характеристики для обратного тока, малого по сравнению с прямым током, обычно показывают в другом масштабе. У диодов небольшой мощности обратный ток при обратном напряжении до сотен вольт составляет единицы или десятки микроампер. Это соответствует обратному сопротивлению до сотен кОм.
Характеристика прямого тока в начале имеет значительную нелинейность. Но при порядка десятых долей вольта запирающий слой практически исчезает и характеристика становится почти линейной.
О братный ток при увеличении обратного напряжения быстро возрастает. Это вызвано резким снижением диффузионного тока, который направлен навстречу току проводимости: . При дальнейшем повышении , ток растет незначительно, наступает явление, напоминающее насыщение.
При некотором значении возникает пробой p-n-перехода, при котором обратный ток резко возрастает, а сопротивление p-n-перехода резко уменьшается. Следует различать электрический и тепловой пробой p-n-перехода. Электрический пробой, область которого на ВАХ обозначается АБВ, является обратимым. Работа диода в этом режиме допустима. Полупроводниковые стабилитроны, предназначенные для стабилизации напряжения, работают на участке БВ характеристики.
Область теплового пробоя (ВГ) показана на рис. 8б штриховой линией. Тепловой пробой необратим, т. к. он сопровождается разрушением p-n-перехода.
Свойства полупроводниковых диодов сильно зависят от температуры. При повышении температуры возрастает генерация пар носителей заряда, т. е. увеличивается концентрация носителей и растет проводимость.
§3.1. Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
Выпрямление переменного тока является одним из основных процессов в радиоэлектронике.
Так как диоды обладают свойством односторонней проводимости, то основным назначением для диодов является выпрямление переменного тока.
На рис. 9,а показана простейшая схема выпрямителя, на рис. 9,б – график, поясняющий работу выпрямителя. Простейший выпрямитель – однополупериодный, однофазный.
Н а диод VD со вторичной обмотки трансформатора подается напряжение , изменяющееся по гармоническому закону:
.
Во время положительного полупериода (рис. 9б) напряжение на диоде является прямым, диод открыт, через него проходит ток, создающий падение напряжения на резисторе . В течение следующего полупериода напряжение является обратным, диод закрыт, тока практически нет и . Таким образом, на сопротивлении нагрузки создается пульсирующее выпрямленное напряжение. Его среднее значение равно:
Для сглаживания пульсаций выпрямленного напряжения применяют сглаживающие фильтры.
Основным достоинством однополупериодной схемы является ее простота.