- •1. Теория и практика формообразования заготовок.
- •2. Основы технологии формообразования отливок из черных и цветных сплавов.
- •3. Основы технологии формообразования сварных конструкций из различных сплавов. Понятие о технологичности заготовок.
- •4. Пайка материалов.
- •6. Понятие о технологичности деталей.
- •Закономерности и связи, проявляющиеся в процессе проектирования и создания машин.
- •Методы разработки технологического процесса изготовления машины.
- •9. Принципы построения производственного процесса изготовления машины.
- •10. Технология сборки.
- •11. Разработка технологического процесса изготовления деталей.
- •13. Требования к деталям, критерии работоспособности и влияющие на них факторы.
- •14. Механические передачи
- •18. Муфты механических приводов
- •20. Технические регламенты.
- •21. Стандартизация.
- •22. Подтверждение соответствия.
- •23. Государственный контроль (надзор) за соблюдением требований технических регламентов.
- •24.Метрология. Прямые и косвенные измерения.
- •25. Основные понятия и определения: информация, алгоритм, программа, команда, данные, технические устройства.
- •26. Системы счисления. Представление чисел в позиционных и непозиционных системах
- •27. Системы счисления. Перевод чисел из одной системы счисления в другую.
- •Принцип двоичного кодирования
- •30. Принципы организации вычислительного процесса. Гарвардская архитектура эвм.
- •31 Архитектура и устройство базовой эвм.
- •32 Адресация оперативной памяти. Сегментные регистры.
- •33 Система команд процессора i32. Способы адресации.
- •34 Система команд процессора i32. Машинная обработка. Байт способа адресации.
- •35 Разветвляющий вычислительный процесс.
- •36. Циклический вычислительный процесс
- •37. Рекурсивный вычислительный процесс.
- •39. Типы данных
- •42. Объектно-ориентированное программирование
- •Функции устройств ввода/вывода
- •Методы адресации
- •58,. Базовый функциональный блок микроконтроллера включает:
- •62. Модули последовательного ввода/вывода
- •67.Приборы силовой электроники.
- •69. Полевой транзистор
- •71. Цепи формирования траектории рабочей точки транзистора
- •72. Цфтрт с рекуперацией энергии
- •73. Последовательное соединение приборов
- •74. Параллельное соединение приборов.
- •76. Защита силовых приборов от перенапряжения.
- •77. Расчет драйвера igbt-транзистора.
- •78. Трансформаторы.
- •79. Машины постоянного тока.
- •80. Асинхронные и синхронные машины.
- •81. Элементная база современных электронных устройств.
- •82. Усилители электрических сигналов.
- •83. Основы цифровой электроники.
67.Приборы силовой электроники.
Приборы силовой электроники делятся на:
-полевые транзисторы MOSFET
-биполярные транзисторы и их модернизируемый вариант,коммутируемые по затвору,запираемые тиристоры
-биполярные транзисторы с изолированным затвором(малая мощность управления и малые коммутационные потери,низкое прямое падение напряжения)
Устройства и особенности работы биполярных транзисторов с изолированным затвором.IGBT-полностью управляемый полупроводниковый прибор,в основе которого лежит трехслойная труктура.
Состоит из 2-х транзисттров-полевой и биполярный.Сочетание 2-х приборов в одной структуре позволило объединить достоинства высокой токовой нагрузки и малым сопротивлением.Для IGBT с U=600...1200B в в полностью в включенном состоянии прямое падение напряжения так же как и для биполярных транзисторов находится в интервале 1,5-3В.Это значительное падение в отличии от MOSFET. MOSFET имеют более низкое значение напряжение во включенном состоянии и остаются непревзойденными в этом отношении.По быстродействию IGBT уступают MOSFET,но значительно превосходят биполярные.Область безопасной работы IGBT позволяет обеспечить его безопасную работу без применения дополнительных цепей формирования подключения при частоте 10-20 Гц,для модуля в несколько сотен ампер,таким качеством не обладают БТ,соединенные по схеме Дарлинтона. Ток управления IGBT мал,поэтому цепь управления –драйвер..В IGBT предусматривается система управления ШИМ.
68 .Биполярный транзистор.
Биполярный транзистор - трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя, расположенными на близком расстоянии параллельными pn - переходами. Средняя область называется базой, одна из крайних областей - эмиттером, другая - коллектором. Соответственно в транзисторе два p-n-перехода: эмиттерный - между базой и эмиттером и коллекторный - между базой и коллектором. Область базы должна быть очень тонкой, гораздо тоньше эмиттерной и коллекторной областей. От этого зависит условие хорошей работы транзистора.Транзистор работает в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах. При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, на коллекторном - обратное. В режиме отсечки на оба перехода подано обратное напряжение. Если на эти переходы подать прямое напряжение, то транзистор будет работать в режиме насыщения.
С О.Э. С О.Б. С О.К.
Rвх.-маленькое Rвх-среднее Rвх-высокое
Rвнутр.=Rн
БТ-токовый прибор.
Работа БТ в режиме включения
69. Полевой транзистор
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками).
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ). На практике чаще всего применяется схема с ОИ, аналогичная схеме на биполярном транзисторе с ОЭ. Каскад с общим истоком даёт очень большое усиление тока и мощности. Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ. Она не даёт усиления тока, и поэтому усиление мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме ОИ. Каскад ОЗ обладает низким входным сопротивлением, в связи с чем он имеет ограниченное практическое применение.
П о физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы. Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник (барьер Шоттки), вторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т. н. транзисторы МДП (металл — диэлектрик — полупроводник).
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом — это полевой транзистор, затвор которого изолирован от канала p-n переходом, смещённым в обратном направлении. VT имеет два невыпрямляющих контакта к области, по которой проходит управляемый ток основных носителей заряда, и один или два управляющих электронно-дырочных перехода, смещённых в обратном направлении . При изменении обратного напряжения на p-n переходе изменяется его толщина и, следовательно, толщина области, по которой проходит управляемый ток основных носителей заряда. Электропроводность канала может быть как n-, так и p-типа.
МДП-транзистор-это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который называют подложкой, созданы две сильнолегированные области с противоположным относительно подложки типом проводимости. На эти области нанесены металлические электроды — исток и сток. Расстояние между сильно легированными областями истока и стока может быть меньше микрона. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем диэлектрика. В качестве диэлектрика используется слой двуокиси кремния SiO2. На слой диэлектрика нанесён металлический электрод — затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП-транзисторами. Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным каналом.