5. Порядок выполнения работы

   1. Подготовка к работе

5.1.1 Вызовите пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB).

Составьте схему для исследования полевого транзистора (рис. 16). Тип транзистора выберите из таблицы 10 согласно номеру рабочего места в лаборатории.

И

Таблица 3

№	Тип транзистора
1	BFR30LT1
2	MMBF4391
3	MMBF4392
4	MMBF4393
5	MMBF4416
6	MMBF5457
7	MMBF5484
8	MMBFJ309LT1
9	MMBFJ310LT1
10	MMBFU310LT1

c

и

з

сточники напряжения и символ заземления находятся в группе «Sources», миллиамперметры – в группе «Indicators», транзисторы - в группе «Transistors». Все типы транзисторов можно найти в библиотеке «Motorola» или «National» на закладке «Models».

После выбора транзистора нажмите кнопку «Edit» и выпишите значение напряжения отсечки U_ЗИ.отс, параметр (VTO).

Установка напряжения источников V1, V2 подробно описаны в предыдущих работах.

5.1.2 Заготовить данные для первой строки таблицы 8. Для этого значение напряжения отсечки U_ЗИ.отс поделить на восемь. Полученные значения округлить до сотых долей вольта кратных пяти, если напряжение отсечки менее двух вольт. Если напряжение осечки более двух вольт, то округлить до десятых долей кратных пяти. Необходимо получить восемь значений напряжения U_ЗИ.

Полученные значения напряжений внесите в первую строку таблицы 8.

5.1.3 Установите напряжение сток-исток U_СИ = 25 В (V2) и напряжение затвор-исток U_ЗИ = 0 В (V1 = 0 B).

Включите процесс моделирования нажатием клавиши «O/I» в правом верхнем углу окна программы.

Убедитесь, что на электродах транзистора имеется напряжение и течет ток стока.

Если амперметр М2 показывает ток со знаком минус, то следует выключить амперметр из цепи, развернуть его на 180⁰ и снова включить в схему.

5.2 Проведение измерений

5.2.1 Снимите передаточную характеристику I_С = f (U_ЗИ) рисунок 15. Напряжение затвор-исток U_ЗИ изменяйте от нуля до напряжения отсечки U_ЗИ.отс, задавая напряжения согласно таблицы 8.

Уменьшите напряжение сток-исток до U_СИ  = 5 В. Повторите измерения.

26

5.2.2 Измерьте ток затвора транзистора I_З (M1) при напряжении затвор-исток, равном напряжению отсечки U_ЗИ.отс. Рассчитайте входное статическое сопротивление транзистора R_ЗИ = U_ЗИ.отс /I_З.

Табл. 8. Результаты измерений.

	UЗИ V (V1)	0	0.25	0.50	. . .	UЗИ.отс
UСИ = 25 В.	IС mА (М2)	IС НАЧ
UСИ = 5 В.	IС mА	IС НАЧ

5.2.3 Снимите семейство выходных статических характеристик транзистора I_С = f(U_СИ) при четырех значениях напряжения затвор-исток U_ЗИ. Одно значение равно нулю, а остальные три выбрать из ближайших к значению U_ЗИ.отс/4, имеющихся в таблице 8.

Для получения характеристики устанавливается напряжение V1 = 0 (U_ЗИ = 0 В) и изменяется напряжение на стоке (V2) от нуля до 25 В, причем до напряжения 5 В с шагом 1 В, а далее – с шагом 5 В. Заполняется вторая строка таблицы 9.

Далее устанавливается напряжение V1 равным U_ЗИ.отс/4 и повторяется измерение. Проделать аналогичное измерение еще для двух значений напряжения на затворе.

5.2.4 Установить температуру транзистора 57⁰С и снять одну характеристику для режима U_ЗИ.отс/4.

Для установки температуры выбрать опцию Analysis options меню Analysis. В открывшемся окне выделить вкладку Global и установить значение переменной в окне Simulation temperature (TEMP) равное 57 degrees C (57ºС).

Табл. 9. Результаты измерений.

	UСИ В (V2)	0	1	2	3	. . .	10	. . .	20	25
UЗИ = 0 В.	IС мА (M2)
UЗИ.отс/4	IС мА
UЗИ.отс/2	IС мА
UЗИ.отс/1	IС мА
UЗИ.отс/4. t = 57^0C	IС мА