- •Электроника
- •Екатеринбург
- •Содержание
- •Пояснительная записка
- •Практическое занятие 1 характеристики и параметры полупроводниковых диодов
- •1. Цель работы
- •2. Домашнее задание
- •Основные теоретические положения
- •5. Порядок проведения измерений
- •6. Обработка результатов измерений
- •7. Отчет по работе
- •8. Контрольные вопросы
- •2. Домашнее задание
- •3. Расчетная часть
- •4. Основные теоретические положения
- •5. Проведение измерений
- •5.1 Подготовка к работе
- •6. Обработка результатов измерений
- •8. Контрольные вопросы
- •Практическое занятие 3 характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом
- •Порядок выполнения работы
- •6. Обработка результатов измерений
- •Содержание отчёта
- •Контрольные вопросы
- •2. Подготовка к выполнению работы
- •3. Расчетная часть
- •4. Общие положения, термины и определения
- •5. Проведение измерений
- •5.1 Подготовка к работе
- •6. Обработка результатов измерений
- •8. Контрольные вопросы
- •Практическое занятие 5 Логические элементы цифровых микросхем
- •5. Порядок выполнения работы
- •7. Контрольные вопросы
- •Электроника
- •620109, Екатеринбург, ул. Репина, 15
5. Проведение измерений
5.1 Подготовка к работе
Вызвать пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB) двойным щелчком по ярлыку . Он находится на рабочем столе компьютера и имеет имя «WEWB32».
О ткрывается окно EWB, содержащее ряд кнопок для выбора компонент схем и наборное поле, на котором размещается схема.
Собрать схему согласно рисунку 11. На схеме I – источник тока для задания тока базы и вольтметр М1 для измерения напряжения UБЭ транзистора, V1 – источник напряжения питания коллекторной цепи транзистора и амперметр М2 для измерения тока коллектора, RЭ = 1 Ом.
Измерительные приборы находятся в группе «Indicators» за красной цифрой 8.
Установить значение тока источника I равным 1мкА (1 μА), напряжение V1 (ЕК) равным 5В. Включить режим моделирования и убедиться, что схема работает, т.е. появилось напряжение на базе и ток коллектора (М2).
18
5.2 Проведение измерений
5.2.1 Снять две входных характеристики транзистора IБ = ƒ(UБЭ) при UКЭ = Const т.е. зависимость тока базы от напряжения база–эмиттер. Ток базы изменять от 1 μА до 120 μА. Рекомендуемый ряд значений тока приведен в таблице 5, строка IБ.
По результатам измерений заполнить таблицу 5.
Для получения значения напряжения UКЭ = 0 отключить прибор М2 от источника V1 и присоединить его к общей шине (можно установить напряжение V1 равным нулю).
Повторить измерение и ввести данные в таблицу 4.
Установить напряжение V1 = 5B. Температуру окружающей среды t = 57ºС.
Табл. 5. Результаты измерений.
-
tºС
IБ (μА)
1
2
5
10
20
40
60
80
100
120
27
UКЭ = 0В
UБЭ (mV)
UКЭ = 5В
UБЭ (mV)
57
UКЭ = 5В
UБЭ (mV)
Для установки температуры выбрать опцию Analysis options меню Analysis. В открывшемся окне выделить вкладку Global и установить значение переменной в окне Simulation temperature (TEMP) равное 57 degrees C (57ºС).
Снять одну входную характеристику IБ = ƒ(UБЭ)|t = 57.
Установить прежнее значение температуры 27 degrees C (27ºС).
5.2.2 Снять семейство выходных (коллекторных) характеристик IК = ƒ (UКЭ) при IБ = Const рисунок 10 (ток IК измеряется миллиамперметром М2, напряжение UКЭ устанавливается источником V1 (ЕК).
Характеристика снимается следующим образом.
Устанавливается ток базы например, IБ = 10мкА (μА). Напряжение UКЭ (ЕК) изменяется от нуля до 20В как рекомендовано в таблице 5. Заполняется строчка, соответствующая току IБ = 10мкА. Ток базы устанавливается равным 20мкА и опыт повторяется.
Результаты измерений занести в таблицу 6.
Снять одну коллекторную характеристику IК = ƒ(UКЭ) при температуре окружающей среды Т = 57ºС и токе IБ = 60 мкА.
Табл. 6. Результаты измерений.
t ºС |
UКЭ (В) |
0.2 |
0.5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
15 |
20 |
||||||||||||
27 |
IБ = 10 |
IК |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
IБ = 20 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
IБ = 60 |
|
|
|
|
* |
|
|
|
|||||||||||||
IБ = 100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
IБ = 120 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
57 |
IБ = 60 |
IК |
|
|
|
|
|
|
|
|
19
5.2.3 Сохранить схему в архиве EWB.