13.1Рассчет ДК на полевых и МОП транзисторах

Рис. 13.3: Диф. каскад на FET и МОПТ

13.1.1МОПТ

2 ±				2 0			√		д2 −									2			±			√ 0			√	− д 4 0
		0				2				0										0
1,2 =			[1				4							1] =							[1 д							1 2		]
							=					=							0			0

13.1.2FET

= (1 −					дн			2	= ( зн − отс)							2
							)
				отс
	=				=					; = 2
		2				отс2
										√
1,2	= 2	[1 ±						0
											2 д2 − 1]
							2					4	0
	0								д

Так как выражение для 1,2 громоздкое, то мы не будем брать от него производную и считать крутизну. В рассчетах будем пользоваться в основном вариантом на биполярных транзисторах.

13.2Анализ ДК для малого сигнала на примере БТ

Изобразим ДК:

53

Рис. 13.4: Диф. каскад на БТ

Схема симетричная. Воспользуемся теоремой бисекции: будем рассматривать диф и синф. Дифференциальное - просто разность, д = вх1 + вх2

54

Uвх1

Uсф = (Uвх1+Uвх2)/2

Uвх2

Uдиф

Рис. 13.5: Графики Из графика следует, что все что на оси симметрии можно заземлить!

Рис. 13.6: Схема

Схема развалилась на две независимые схемы, которые можно считать в отдельности.

= 0.5	к|| км/2
	э|| эм/2 +	б	+ э
		1 +

55

Переписуем схему для синфазного сигнала. Из курса электротехники мы знаем, что если точки имеют одинаковый потенциал, их можно объединить. Соединияем точки с одинакомы потенциалом – то есть соединяем точки, симметричные относительно оси. В результате, б и транзисторы запараллелятся. Все, что расположено поперек оси симметрии - заполовинится

Рис. 13.7: Схема

э

э

б

синф =

+ ит +

+

2

2

2

синф

к/2

=

к

<<<< 1

ит

2 ит

Диференциальный каскад подавляет синфазный сигнал (сопротивление источника тока составляет мегаомы, а коллектора - килоомы).

д к

2 э

дд = к

э

В некоторых включениях (например если дальше стоит диф. каскад), можно снимать сигнал с обоих плеч, тогда будет дд

Усиливает диференциальный сигнал.

Вводится коэффициент ослабления (подавления) синфазного сигнала:

осс = 20 lg ддсф

56