Лекции МГУ / EM11
.pdfФренелевский контраст
Контраст, связанный с дефокусированным изображением, называют френелевским. Наиболее простая иллюстрация френелевского контраста приведена на рис. 11.20, где тонкая проволока (<=1мкм) введена на оптическую ось на пути пучка [45]. На проволоку подается небольшой потенциал (~10в). Электронный пучок расщепляется, как свет в оптической призме, и отклоняется в электростатическом поле. Создается два виртуальных когерентных источника, s1 и s2, и на фотопластинке появляются интерференционные линии.
Это - схема т.н. бипризмы Френеля. С помощью этой схемы можно определять степень пространственной когерентности γ:
γ = (Imax-Imin)/ (Imax+Imin) |
(11.31) |
|
|
Контраст |
стенок |
доменов. |
Лоренцевская |
||||||
Рис. 11.20. Схема |
|
просвечивающая электронная микроскопия (ЛПЭМ). |
|
||||||||
бипризмы Френеля |
|
В магнитных материалах на электрон пучка действует |
|||||||||
|
|
||||||||||
|
|
|
|
сила Лоренца, F = (e/c)[vB]. |
|||||||
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
Изменение |
направления |
вектора |
|||||
|
|
|
|
намагниченности |
B |
приводит |
к |
||||
|
|
|
|
изменению |
|
направления |
силы |
||||
|
|
|
|
Лоренца. Как |
иллюстрируется на |
||||||
|
|
|
|
рис. 10.21, электроны, проходящие |
|||||||
|
|
|
|
через |
пленку |
в |
соседних |
||||
|
|
|
|
магнитных |
доменах, |
отклоняются |
|||||
|
|
|
|
в разные стороны, что приводит |
|||||||
|
|
|
|
либо к сгущению, либо к |
|||||||
|
|
|
|
ослаблению |
интенсивности |
на |
|||||
Рис. 11.21а. Схема, |
|
|
|
экране [45]. Этот простой принцип |
|||||||
|
|
|
лежит в основе т.н. лоренцевской |
||||||||
поясняющая метод |
|
|
|
просвечивающей |
|
электронной |
|||||
ЛПЭМ, и б) изображение |
|
|
|
микроскопии |
|
|
(ЛПЭМ). |
||||
доменной стенки. |
|
Рис. 11.21б |
|
Изображение |
доменной |
стенки |
|||||
|
|
|
имеет |
|
вид |
параллельных |
|||||
|
|
|
|
|
чередуюшихся темных и светлых интерференционных линий (рис. 11.21б [46]). Контраст возникает в дефокусированном изображении, причем знак контраста меняется при изменении знака дефокусировки. ЛПЭМ - весьма перспективный метод исследования микромагнитной структуры, поскольку сочетается с высоким пространственным разрешением.
В качестве примера, на рис.10.22а приведено изображение микромагнитной структуры магнитной пленки FeZrN, а на рис. 10.22б приведена поясняющая схема формирования этой структуры [47].
13
Рис. 11.22. ЛПЭМ изображение а) и схема формирования б) доменной стенки типа «колючей проволоки» и линий Блоха в пленках FeZrN.
Френелевский контраст от пор, газовых пузырей
Если вокруг пор или газовых пузырей нет упругих напряжений и деформаций, то изображение их – задача не простая. Однако, это можно сделать с помощью френелевского контраста в дефокусированном изображении. Пример такого контраста приведен на рис. 11.23 [48].
Рис.11.23. Френелевский контраст от пузырей He в Au. а) перефокусированное и б) недофокусированное изображение.
14