Никитенко Нестационарные процессы переноса и 2011

плотного слоя тех же наночастиц (без полимера), см. рис. 8.7. Таким образом, показано эффективное разделение фотогенерированных зарядов в полимерной матрице, что подтверждается и наблюдавшимся фотовольтаическим эффектом. Важно отметить, что квантовый выход ФЛ слабо зависит от концентрации (массовой доли) наночастиц, пока она не достигает 60 % (см. спектры ФЛ на рис. 8.8). При дальнейшем росте концентрации наночастицы существенно взаимодействуют друг с другом и перенос заряда в полимер происходит менее эффективно.

8.3. Электронные свойства границ раздела между слоями органических материалов

Как отмечено в разделе 7.6, кинетика ЭЛ определяется структурой тонкого (несколько нм) переходного слоя (интерфейса) между активными слоями светодиода. Однако электропроводности вдоль границ раздела органических слоёв уделялось много меньше внимания, чем электропроводности в объёме слоёв. В последние годы ситуация изменилась в связи с развитием тонкоплёночных полевых транзисторов [1:53], в которых основную роль играет электропроводность в тонком (несколько нм) слое, примыкающем к поверхности затвора. Между тем поверхностная (квазидвумерная) электропроводность вдоль интерфейса проявляет необычные и важные для технических применений свойства, существенно отличаясь от объёмной электропроводности в каждом из органических слоёв.

Недавно появились сообщения о высокой подвижности и проводимости вдоль границы раздела, разделяющей слои донорного и акцепторного материалов (см. например [8:22–25]). Объёмная проводимость в каждом материале была на несколько порядков меньше. В работе [8:22] показано, проводимость перестаёт возрастать с ростом толщины акцепторного слоя, если толщина превышает 2 нм. Обнаружена холловская проводимость [8:23] как электронов, так и дырок, вдоль интерфейса фталоцианина меди (CuPc) и гексадекафторофталоцианина (F16СuPc), превышающая 1 cм2В-1с-1. Величина проводимости соответствует достаточно высокой (5×1010 см-2) поверхностной плотности делокализованных носителей заряда. Однако зависимость от температуры была термоактивирован-

301

ной, что можно объяснить наличием ловушек. В работе [8:24] была измерена температурная зависимость проводимости металлического типа вдоль границы раздела органических кристаллов тетратиафульвален (TTF) – донор и тетрацианохинодиметан (TCNQ) – акцептор, каждый из которых является диэлектриком. Надо заметить, что композитный кристалл TTF-TCNQ давно известен как материал с одномерной металлической проводимостью, однако металлический характер проводимости исчезает при низких температурах (T<50 K), что характерно для одномерных проводников

[8:25].

	Рис. 8.9. Схема образования 2D-
EC	электронного газа у границы раздела неор-
	ганических полупроводников. Показаны
EF	край подвижности (дно зоны проводимо-
	сти) EC и уровень Ферми EF
	В данном эксперименте неус-
	тойчивость металлической прово-
	димости при низких температурах
	отсутствовала, что свидетельству-

ет о её квазидвумерном (2D), а не квазиодномерном характере. При этом величина проводимости значительно превышала величину

минимальной металлической проводимости Мотта, e2 h , см. раз-

дел 1.3, приближаясь к 10-3 Ом-1, подвижность – несколько более 1 cм2В-1с-1, поверхностная плотность подвижных зарядов – 1014 см-2. Был сделан вывод [8:24, 26] о формировании двумерного электронного газа в тонком поверхностном слое, толщиной порядка 1 нм, вследствие перехода электрона – полного [8:27] или частичного [8:28] – c состояний НОМО донора на LUMO акцептора, подобно тому, как это происходит при контакте неорганических полупроводников [8:26; 1:4]. Так, в неорганических полупроводниках известна ситуация, когда приложение электрического поля приводит к обеднению приповерхностного слоя электронами, и зона проводимости искривляется так, что её часть, прилегающая к поверхности, оказывается ниже уровня Ферми. Поэтому возникает инверсионный слой (например, на границе Si – SiO2), в котором энергии электронов в направлении поперёк слоя квантуются

302

(2D-наноструктура) [1:4], см. рис. 8.9. Но в органических материалах практически нет собственных носителей заряда, и не может произойти обеднения. Более близким примером к ситуации органического материала является образование проводящего слоя на поверхности раздела донорно-акцепторных неорганических слоёв, например арсенида галлия (GaAs) и арcенида галлия, допированного алюминием (AlxGa1-xAs) [8:26] (рис.8.9). Однако подобный механизм должен иметь свои особенности в органических материалах (даже кристаллах), где нет зоны проводимости как таковой вследствие слабости межмолекулярного взаимодействия.

Рис. 8.10. Схема энергетиче-

U

x

ских уровней на границе раздела

0

донорного (слева) и акцепторного

(справа) органических материалов

a

Eacc

По-видимому, образование

EICT+

многочисленных

подвиж-

EICT−

1

ных (возможно, делокали-

зованных) носителей заряда

E

действительно

связано с

полным переходом электро-

Edon

на из донорного в акцеп-

торный материал. В обзоре

[8:27] представлены сильные экспериментальные аргументы в пользу того, что такой переход (англ. integer charge transfer) действительно происходит на донорно-акцепторном интерфейсе, если:

1)взаимодействие между молекулами достаточно слабо, чтобы не было значительной гибридизации молекулярных орбиталей и

2)переход энергетически выгоден, то есть состояния HOMO донора лежат достаточно высоко относительно состояний LUMO акцептора. В результате образуется близкая геминальная пара (состояние с переносом заряда), при этом в состоянии термодинамического равновесия энергетические уровни дырок в доноре и элек-

тронов в акцепторе в среднем равны: EICT+ = EICT− , рис. 8.10 (образо-

вание и рекомбинация пар показаны стрелками). Заряды связаны кулоновским взаимодействием (вследствие чего данные уровни лежат, соответственно, выше и ниже, чем уровни нейтральных со-

303

стояний, Edon и Eacc ), однако при высокой плотности пар, когда

расстояние b между парами сравнимо с разделением зарядов в паре (расстояние a ≤1 нм на рис. 8.10), важную роль играет взаимодействие зарядов различных пар, рис. 8.11 [8:29].

(a)	(б)	Рис. 8.11. Схема процессов на
		донорно-	акцепторном органиче-
		ском интерфейсе: разделение пар в
		результате	их взаимодействия с
b	(в)	нейтральной молекулой (а) и оди-
		ночным зарядом (б); цепочка
a		прыжков в результате взаимодейст-
		вия заряда в паре с соседним оди-

ночным зарядом противоположного знака (в).

С одной стороны, такое взаимодействие приводит к разделению пар с образованием одиночных зарядов, рис.8.11, a, б; c другой стороны, притяжение соседнего одиночного заряда при высокой плотности пар (рис.8.11, в) вызывает цепочку быстрых прыжков [8:30] (не требующих термической активации и, возможно, туннелирования). Последнее утверждение связано с тем, что процессы рождения и рекомбинации пар и переноса заряда создают сильные флуктуации потенциала не только в пространстве, но и во времени, так что время прыжка электрона, согласно принципу неопределённости, может быть меньше времени электронной поляризации (последняя и приводит к локализации зарядов). Надо заметить, что исследования процессов на органических интерфейсах только начинаются как с экспериментальной, так и с теоретической стороны.

304

CПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ СОКРАЩЕНИЙ

Указаны номера страниц, где сокращение встречается первый раз

БР – близнецовая рекомбинация, с. 211 ВПМ – времяпролётный метод, с. 23 ГБ – гауссовского беспорядка (модель), с. 128 ДПС – дырочно-проводящий слой, с. 250

КГБ – коррелированного гауссовского беспорядка (модель), с. 134 ЛС – локализованное состояние, с. 22 МЗ – многократного захвата (модель), с. 35

НОФП – нестационарная отрицательная фотопроводимость, с. 223 НРЭ – нестационарная радиационная электропроводность, с. 23 НТ – неравновесного транспорта (приближение, модель), с. 45 ОСИД – органический светоизлучающий диод, с. 124 ПВДФ – поливинилиденфторид, с. 241 ПВК – поливинилкарбазол, с. 22 ПВФ – поливинилфторид, с. 241 ПП – полипропилен, с. 209 ПС – полистирол, с. 110

ПТФЭ – политетрафторэтилен, c. 110

ПЭВД – полиэтилен высокого давления, с. 110 ПЭЛ – переходная электролюминесценция, с.124 ПЭНФ – полиэтиленнафталат, с. 241 ПЭТФ – полиэтилентерефталат, с. 209

РФВ – Роуза – Фаулера – Вайсберга (модель), с. 112 СНТ – сильно неравновесного транспорта (приближение, модель), с.45 СПД – стимулированная полем диффузия, с. 159 ТОИ – ток, ограниченный инжекцией, с. 263 ТООЗ – ток, ограниченный объёмным зарядом, с. 89 ФВЭ – фотовольтаический элемент, с. 290 ЭЛ – электролюминесценция, с. 125 ЭПС – электроннопроводящий слой, с. 250

ЭДПС – электроннодырочный переходный слой, с. 250

Alq3 – низкомолекулярный металлоорганический комплекс, c. 16 НОМО (англ.) – высшая заполненная молекулярная орбиталь, с. 19 ITO (англ.) – indium tin oxide (In2O3:SnO2), полупроводник, с. 92 LUMO (англ.) – низшая незаполненная молекулярная орбиталь, с.19

MEH-PPV (англ. Poly[2- methoxy-5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene]) – cопряжённый полимер, производная полифенилвинилена, c. 284

MeLPPP (англ. methyl-substituted ladder-type poly(p-phenylene) – полимер, c. 221 P3HT (англ.) – поли-3-гексилтиофен (полимер), с. 296

305

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Глава 1

1.Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. T.3. Квантовая механика.

М.: Наука, 1974. – 750 с.

2.Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1973. – 616 с.

3.Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.

4.Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах.

Т.1. М.: Мир, 1982. – 368 с.

5.Звягин И.П. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. М.:

МГУ, 1984. – 189 с.

6.Краснов К.С. Молекулы и химическая связь. М.: Высш. школа, 1984. – 295 с.

7.Силиньш Э.А. Электронные состояния органических молекулярных кристаллов. Рига: Зинатне, 1978. – 344 с.

8.Ахадов Я. Ю. Диэлектрические свойства бинарных растворов. М.: Наука, 1977. – 400 с.

9.Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твёрдых телах. Ч.1 М.:Мир, 1984. – 352 с.

10.Поуп М, Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах. М.:

Мир, 1985.

11.Pope M., Swenberg H.E. Electronic processes in organic crystals and polymers. Oxford Univ. Press, Oxford, 1999. – 1351 с.

12.Blom P.W.M., Vissenberg M. C. J. M. Charge transport in poly(p-phenylene vinylene) lightemitting diodes // Mater. Sci. Eng. 2000. V. 27. P. 53-94.

13.Тютнев А.П., Саенко В. С., Пожидаев Е.Д., Костиков Н.С. Диэлектрические свойства полимеров в полях ионизирующих излучений. М.: Наука, 2005.

14.Bässler H. Charge transport in disordered organic photoconductors // Phys. Status Solidi B 1993 V. 175. P.1 5-56.

15.Friend R.H. et al. Electroluminescence in conjugated polymers // Nature. 1999.

V.397. P. 121.

16.Sirringhaus et al. // Nature. 1999. V. 401. P. 685.

17.Архипов В.И., Руденко А.И., Андриеш А.М., Иову М.С., Шутов С.Д. Нестационарные инжекционные токи в неупорядоченных твёрдых телах. Кишинёв: Штиинца, 1983.

18.Laquai F., Wegner G., and Bässler H. // Phil. Trans. R. Soc. A. 2007. V. 365.

P.1473-1487.

19.Weiser G., Möller S. // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. P. 045203.

20.Prins P. et al. // Phys. Rev. Lett. 2006. V. 96. P. 146601.

21.Novikov S.V., Dunlap D.H., Kenkre V.M., Parris P.E. and Vannikov A.V. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. P. 4472.

22.Anderson P.W. // Phys. Rev. 1958. V. 109. P. 1492.

23.Ioffe A.F., Regel A.P. Progr. Semicond. // 1960. V. 4. P. 237.

24.Abrahams E., Anderson P.W., Licciardello D.C., Ramakrishnan T.V. // Phys. Rev. Lett. 1979. V. 42. P. 673.

306

25.Zvyagin I.P. Charge transport via delocalized states, in: Charge transport in disordered solids with Applications in Electronics / Ed. By S.D. Baranovskii. Wiley, Chichester. 2006.

26.Rose A. // RCA Rev. 1951. V. 12. P. 362-414.

27.Fowler J.F. // Proc. Roy. Soc. A. 1956. V. 236. P. 464-480.

28.Einstein A. // Ann. Phys. 1905. V. 17. P. 549-560.

29.Einstein A. // Zh. Electrochem. 1908. V. 14. P. 235-239.

30.Arkhipov V.I., Rudenko A.I. // Phil. Mag. B. 1982. V. 45. Nо. 2. P. 189-207.

31.Aрхипов В.И., Руденко А.И. // Физ. техн. полупров. 1979. Т. 13. С. 1352.

32.Aрхипов В.И., Руденко А.И. // Письма ЖЭТФ. 1978. Т.5. С. 614.

33.Архипов В.И., Логин В.М., Руденко А.И. // Физ. техн. полупров. 1984. Т. 20.

С. 1309-1312.

34.Янке Е., Эмде Ф., Лёш Ф. Специальные функции. М.: Наука, 1968. – 308 с.

35.Савельев И.В. Курс общей физики. Т. 3. М.: Наука, 1982. – 304 с.

36.Miller A., Abrahams E. // Phys. Rev. 1960. V. 120. P. 745.

37.Baranovskii S.D., Rubel O. Description of charge transport in disordered organic materials. in: Charge transport in disordered solids with Applications in Electronics / Ed. By S.D. Baranovskii. Wiley, Chichester, 2006.

38.Cleve B., Hartenstein B., Baranovskii S.D., Scheidler M., Thomas P., Bässler H. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 16705.

39.Jadhav P.J., Limketkai B.N., Baldo M.A. // Adv. Polym. Sci. 2010. V. 223. P. 29.

40.Шкловский Б.И. // Физ. техн. полупров. 1973. V. 6. P. 1964.

41.Smith R.A. // Semiconductors. Cambridge University Press. Cambridge. 1978.

42.Roichman Y. and Tessler N. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. P. 1948.

43.Coehoorn R., Pasweer W.F., Bobbert P.A., Michels M.A.J. // Phys. Rev. B. 2005.

V.72. P. 155206.

44.Arkhipov V.I., Bässler H. // Phil. Mag. B. 1995. V. 72. P. 505-512.

45.Pollak M. J. // Non-Cryst. Sol. 1972. V.11. P.1.

46.Розанов Ю.А. Лекции по теории вероятностей. М.: Наука, 1968. – 120 с.

47.Monroe D. // Phys.Rev.Lett. 1985. V. 54. P. 146-149.

48.Zvyagin I.P. Optically excited localized electrons and photoconductivity of disordered semiconductors. in: Transport, Correlation and structural defects / Ed. By H. Fritzsche, World Scientific, 1990. P. 193-211.

49.Никитенко В.Р. // Физ. Техн. Полупров. 1992. Т. 26. С. 1438-1444.

50.Zvyagin I.P. // Phys. Stat. Sol. (c). 2008. V.5. P. 725-729.

51.Baranovskii S.D., Zvyagin I. P., Cordes H., Yamasaki S., Thomas P. // Phys. Stat. Sol. (b) 2002. V. 230. P. 281.

52.Horowitz G. // Adv. Polym. Sci. 2010. V. 223. P. 113–153.

53.Arkhipov V.I., Bässler H. Exciton dissociation and charge photogeneration in pristine and doped conjugated polymers // Phys. Stat. Sol. (a). 2004. V. 201. P. 1152.

54.Bässler H., Emelianova E.V. Steady-State Photoconduction in Amorphous Organic Solids // Adv. Polym. Sci. 2010. V. 223. P. 1–28.

55.Romanovskii Y.V., Gerhard A., Schweitzer B. et al. // Phys. Rev. Lett. 2000. V. 84.

P.1027.

56.Rothe C., Monkman A. // J. Chem. Phys. 2005. V. 123. 244904.

57.Capecchi S., Renault O., Moon D.-G. et al. // Adv. Mater. 2000. V. 12. P. 1591.

307

58.Baldo M.A., Forrest S.R. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 10958

59.Pai D.M. Geminate recombination in some amorphous materials. In: Phys. Disorder. Mater. / Ed. By D.Adler, H.Fritzshe. New-York, London, 1985. P. 579-592.

60.Pai D.M., Enck R.C. // Phys. Rev. B. 1975. V. 11. P. 5163-5174.

61.Silinsh E.A., Jurgis A.J. // Chem Phys. 1985. Vol. 94. No 1-2. P. 77-90.

62.Onsager L. // Phys.Rev. 1938. V.54. P. 554-557.

63.Onsager L. // J. Chem. Phys. 1934. V. 2. P. 559-615.

64.Овчинников А.А., Тимашов С.Ф., Белый А.А. Кинетика диффузионноконтролиуемых химических процессов. М.: Химия, 1986.

65.Melz P.M. // J. Chem. Phys. 1972. V. 57. P. 1694.

66.Pfister G., Williams D.J. // J. Chem.Phys. 1974. V. 61. P. 2416.

67.Borsenberger P.M., Contois L.E., Hoesterey D.C.// J. Chem. Phys. 1978. V. 68.

P.637.

68.Blum T., Bässler H. // Chem. Physics. 1988. V. 123. P. 431-441.

69.Lochner K., Reimer В., Bässler H.// Phys. Stat. Sol.,(b). 1976. V. 76. P. 533.

70.Mozumder A., Pimblott S.M., Clifford P., Green N.J.B. // Chem. Phys. Lett. 1987.

V.142. P. 385-388.

71.Siddiqui A.S. Photogeneration, recombination and transport of charge carriers in a quasi-one-dimentional system. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1984. V.17. P. 683.

72.Haberkorn R., MichelBeyerle H. Onsager’s ion recombination model in one dimension // Chem. Phys. Lett. 1973. V. 31. P. 128-130.

73.Царевский А.В. // Химическая Физика. 1989. V. 8. С. 1128-1136.

74.Ries B., Schőnherr G., Bässler H., Silver M. // Phil. Mag. B. 1983. V. 48. P. 87.

75.Ries B., Schönherr G. Bässler H. // Phil. Mag. B. 1983. V. 48. Р. 87.

76.Albrecht U., Bässler H. // Chem. Phys. Lett. 1995. V. 235, P. 389.

77.Emelianova E.V., van der Auweraer M., Bässler H.// J. Chem. Phys. 2008. V. 128.

P.224709.

78.Deibel C., Strobel T., Dyakonov V. // Phys. Rev. Lett. 2009. V. 103. P. 036402.

79.Плюхин А.В. Переходные прыжковые процессы в неупорядоченных органических полупроводниках: автореф. дис. к. ф.-м.н. М., 1993.

80.Hong K.M., Noolandi J. // J. Chem.Phys. 1978. V. 68. P. 5163-5171.

81.Hong K.M., Noolandi J. //J. Chem.Phys. 1978. V. 69. P. 5026-5039.

82.Новиков Г.Ф., Яковлев Б.С. // Химия высоких энергий. 1985. Т. 19. C. 282.

83.Яковлев Б.С., Новиков Г.Ф. // Успехи химии. 1994. Т. 63. С. 402-418.

84.Dunlap D.H., Shein L.B., Tyutnev A.J. et al.// Phys. Chem. C. 2010. V. 114.

P.9076-9088.

85.Baldo M.A., Forrest S.R. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 085201.

86.Novikov S.V., Malliaras G.G. // Nonlinear Optics, Quantum Optics. 2007. V. 37.

P.239-247.

87.Закревский В.А., Сударь Н.Т. // ФТТ. 2005. T. 47. С. 931-936.

88.Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1. М.: Мир, 1984. – 456 с.

89.Fowler R.H., Nordheim L. // Proc. R. Soc. London, Ser.A. 1928. V. 119. P. 173.

90.Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твёрдых телах. М.: Мир, 1973. – 416 с.

91.Many A., Rakavy G. // Phys. Rev. V. 126. P. 1980-1988.

308

92.Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: ИЛ, 1950.

– 304 с.

93.Parmenter R.H., Ruppel W. J. // Appl. Phys. 1959. V. 30. P. 1548.

94.Pinner D.J., Friend R.H., Tessler N.// J. Appl. Phys. 1999. V. 86. P. 5116.

95.Tak Y. H., Vestweber H., H. Bässler H. et al. // Chem. Phys. 1996. V. 212. P. 471.

96.Nelson J., Kwiatkowski J.J., Kirkpatrick J., Frost J.M. // Acc. Chem. Res. 2009. V. 42. P. 1768

97.Ruhle V., Kirkpatrick J., Andrienko D. // J. Chem. Phys. 2010. V. 132. P. 134103.

Глава 2

1.Haynes J. R., Shockley W. // Phys. Rev. 1951. V. 81. No. 5. P. 835–843.

2.Lawrance R., Gibson A. F. // Proc. Phys. Soc. B. 1952. V. 65. No. 12. P. 994.

3.Kepler R. G. // Phys. Rev. 1960. V. 119. No. 4. P. 1226–1229.

4.LeBlanc O. // J. Chem. Phys. 1960. V. 33. No. 2. P. 626.

5.Ванников А. В. // Физика Твердого Тела. 1967. Т. 9. № 5. С. 1367–1369.

6.Borsenberger P. M., Weiss D. S. Organic Photoreceptors for Xerography. Boca Raton: CRC Press, 1998. – 799 p.

7.Гольданский В. И., Трахтенберг Л. И., Флеров В. Н. Туннельные явления в химической физике. М.: Наука, 1986. – 296 с.

8.Young R. H., Rule N. G. // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 72. No. 3. P. 388–391.

9.Borsenberger P. M. // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 68. No. 11. P. 5682–5686.

10.Tyutnev A.P.,Saenko V.S., Pozhidaev E.D., Kolesnikov V.S. // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V. 21. 115107.

11.Hirao A., Nishizawa H. and Sugiuchi M. // Phys. Rev. Lett. 1995. V.75. P. 1787.

12.Hirao A., Tsukamoto T. and Nishizawa H. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. P. 12991.

13.Borsenberger P. M., Pautmeier L.T., Bässler H. // Phys. Rev. B. 1993. V. 48.

P.3066.

14.Borsenberger P. M., Bässler H. // J. Appl. Phys. 1994. V.75. P. 967.

15.Novikov S.V. and Vannikov A. V. // J. Chem. Phys. 2009. V. 113. P. 2532.

16.Borsenberger P.M., Pautmeier L.T., and Bässler H. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46.

P.12145.

17.Borsenberger P.M., Richert R. and Bässler H. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47.

P.4289.

18.Sher H., Lax M. // Phys. Rev. B. 1973. V.7. P. 4491-4502.

19.Sher H., Montroll E.W. // Phys. Rev.B. 1975. V. 12. № 6. P. 2455.

20.Noolandi J. // Phys. Rev. B. 1977. V. 16. No.10. P. 4474-4479.

21.Pollak M. // Phil. Mag. 1977. V. 36. P. 1157.

22.Song H.-Z., Adriaenssens G. J., Emelianova E. V., and Arkhipov V. I. // Phys. Rev.

B.1999. V. 59 P. 10607.

23.Hughes R.C. Radiation-induced conductivity in polymers: PVK // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1971. V. 18. № 6. P. 281-287.

24.Martin E.H., Hirsch J. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. № 3. P. 1001-1015.

25.Seki H., Gill W.D. Electron transport in PVK:TNF in "Conduction in low mobility materials" / Ed. N. Klein, D.S. Tannhauser. London. 1971. P. 409-417.

26.Новиков С.В., Ванников А.В. // Высокомол. Соед. Б. Т. 44. №3. С. 534-538.

309

27.Tyutnev A.P., Dubenskov P.I., Saenko V.S., Vannikov A.V. // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. V. 84. № 2. P. 585-596.

28.Tyutnev A.P., Mingaleev G.S., Vannikov A.V., et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 1983. V. 75. № 2. P. 385-392.

29.Arkhipov V.I. // J. non-cryst. Sol. 1993. V. 163. P. 274.

30.Никитенко В.Р., Тютнев А.П., Саенко В.С., Пожидаев Е.Д. // Хим. физика.

Т. 20. С. 98-103.

31.Kepler R.G., Coppage F.N. // Phys. Rev. 1966. V. 151. P. 610.

32.Hughes R.C. // J. Chem. Phys. 1973. V. 58. P. 2212.

33.Никитенко В.Р., Тютнев А.П., Николаенков Д.В., Саенко В.С., Пожидаев Е.Д.

//Хим. Физика. 2003. Т. 22. №7. С. 99-104.

34.Никитенко В.Р., Тютнев А.П., Николаенков Д.В., Саенко В.С., Пожидаев Е.Д.

//Хим. Физика. 2004. Т. 23. С. 101-105.

35.Mingaleev G.S., Tyutnev A.P., Vannikov A.V., et al. // Phys. status. solidi (a). 1985. V. 88. № 2. P. 655.

36.Новиков С.В., Ванников А.В. // Высокомол. Соед. Б. Т. 44. №3. С. 534-538.

37.Arkhipov V.I., Bässler H. // Philos. Mag. B. 1994. V. 70. P. 59-66.

38.Никитенко В.Р., Тютнев А.П., Саенко В.С., Пожидаев Е.Д. // Хим. физика. 2004. Т. 23. №3. С. 92-96.

39.Тамеев А.Р., Никитенко В.Р., Лыпенко Д.А., Ванников А.В. // Физика твёрдо-

го тела. 2009. Т. 51. № 9. С. 1840-1845.

Глава 3

1.Bässler H. // Phys. Stat. Sol. (b). 1981. V. 107. P. 9-53.

2.Shein L.B. et al // Chem. Phys. Letters. 1988. V. 149. P.109.

3.Abkowitz M.A., Bässler H., and Stolka M. // Phil. Mag. B. 1991. V. 63. P. 201.

4.Slowik J.H. and Chen J. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 4467.

5.Movaghar B., Grünewald M., Ries B., Bässler H., and Würtz D. // Phys. Rev.B. 1986. V. 33. P. 5545.

6.Ries B., Bässler H., Grünewald M., Movaghar B. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37.

P.5508.

7.Rubel O., Baranovskii S. D., Thomas P. and Yamasaki S.// Phys. Rev.B. 2004. V.69, P. 014206.

8.Shein L. B., Tyutnev A. // J. Chem. Phys. 2008. V. 112. P. 7295.

9.Shein L.B., Peled A., Glatz D. // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. P. 686.

10.Новиков С. В. // Электрохимия. 2002. Т. 38. С. 191.

11.Novikov S.V. and Vannikov A.V. // J. Phys. Chem. 1995. V. 99. P. 14573.

12.Novikov S.V., Dunlap D.H., Kenkre V.M., Parris P.E., and Vannikov A.V. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. P. 4472.

13.Dunlap D.H., Parris P.E., Kenkre V.M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. P. 542.

14.Новиков С. В., Ванников А. В. // ЖЭТФ. 1994. Т. 106. С. 877.

15.Dunlap D.H., Kenkre V. M., Parris P. E // J. Imaging Sci. Tech. 1999. V. 43.

P.437.

16.Novikov S.V. and Vannikov A.V. // J. Chem. Phys. 2009. V. 113. P. 2532.

17.Тютнев А.П., Саенко В.С., Пожидаев Е.Д. // Высокомолек. соед. А. 2004.

310