Глава 3. Биполярные транзисторы

3.1. Общие сведения

Биполярный транзистор это электропреобразовательный прибор, имеющий два p-n перехода, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции носителей заряда. В работе этого транзистора используются носители обоих знаков (дырки и электроны). Особенностью биполярного транзистора является то, что между его электронно-дырочными переходами существует взаимодействие - ток одного из переходов может управлять током другого. В зависимости от расположения зон различной проводимости биполярные транзисторы могут быть p-n-p и n-p-n типа (рис. 26 )

p

p

n

Рис. 26. Схематическое и условное изображение биполячрных транзисторо

Область транзистора, расположенная между p-n переходами называют базой. Одна из прилегающих к базе областей должна эффективно осуществлять инжекцию носителей в базу, а другая - экстрагировать носители из базы.

Область транзистора, из которой происходит инжекция носителей в базу , называется эмиттером, а переход эмиттер-база называется эмиттерным.

Область транзистора, осуществляющая экстракцию носителей из базы, называют коллектором, а переход база-коллектор называется коллекторным.

По технологии изготовления транзисторы бывают сплавными, диффузионными/, эпитаксиальными, планарными. Толщина базы делается значительно меньше диффузионной длины неосновных носителей в ней. При равномерном распределении примеси в базе внутреннее электрическое поле в ней отсутствует и неосновные носители движутся в следствие процесса диффузии. Такие транзисторы называются диффузионными или бездрейфовыми. При неравномерном распределении примеси в базе имеется внутреннее электрическое поле и неосновные носители движутся в ней в результате дрейфа и диффузии. Такие транзисторы называются дрейфовыми.

Концентрации атомов примеси в эмиттере и коллекторе (низкоомные области) значительно больше, чем в базе (высокоомная область). Площадь коллекторного перехода больше эмиттерного, что способствует увеличению коэффициента переноса носителей заряда из эмиттера в коллектор.

Транзисторы классифицируются по мощности, рассеиваемой коллекторным переходом (малой мощности Р 0,3 Вт); средней (0,3 Р 1,5 Вт); большой мощности (Р 1,5 Вт). По частотному диапазону транзисторы делятся на низкочастотные (f_пр 3 МГц); среднечастотные

(3 МГц f_пр 30 МГц); высокочастотные (30 МГц f_пр 300 МГц); сверхвысокочастотные (f_пр 300 МГц).

Обозначение биполярных транзисторов состоит из шести или семи элементов. Первый - буква или цифра, указывающие на исходный материал (такие же, как для диодов). Второй элемент - буква, указывающая на тип

Таблица 1.

Классификация транзисторов по мощности и частоте

Частота	Мощность
	малая	Средняя	большая
Низкая	1	2	3
Средняя	4	5	6
Высокая	7	8	9

транзистора ( Т для биполярных). Третий элемент - цифра, указывающая на частотные и мощностные свойства прибора (табл. 1)

Четвертый, пятый (шестой) элемент - цифры, указывающие порядковый номер разработки. Шестой (седьмой) элемент - буква, определяющая классификацию по электрическим параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

В качестве дополнительных элементов используются следующие символы:

- цифры от 1 до 9 - для обозначения модернизаций транзистора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;

- буква С - для обозначения транзисторных сборок (наборов транзисторов в общем корпусе);

- цифра, написанная через дефис, - для бескорпусных транзисторов:

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя;

2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе;

3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя;

4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе;

5 - с контактными площадками без выводов и без кристаллодержателя;

6 - с контактными площадками без выводов на кристаллодержателе.

Примеры обозначений транзисторов:

КТ625А-2 - кремниевый, биполярный, средней мощности, высокочастотный, номер разработки 25, группа А, бескорпусной, с гибкими выводами на кристаллодержателе;

2Т336А - кремниевый, биполярный, малой мощности, высокочастотный, номер разработки 36, группа А;

2Т9147АС - кремниевый, биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 147, группа А, транзисторная сборка.