31. Моп-транзисторы со встроенным каналом. Конструкция, принцип действия, выходные и сток-затворные хар-ки, их зав-ть от т.

Определение: Это полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала. В качестве изоляции между каждым Ме затвором и проводящим каналом исп-ся оксид п/п и полевой транзистор имеет тип Ме-оксид-п/п (МОП-транзистор).

Конструкция: МОП-транзистор со встроенным каналом имеет между стоком и истоком тонкий слойn-типа у самой поверхности.

Принцип действия: В таком транзисторе при отсутствии внеш. напряжения на затворе канал будет замкнут, и в цепи сток-исток будет протекать ток. Такой МОП-транзистор может работать как при положительном (обогащение канала носителями), так и при отрицательном напряжении затвора (режим обеднения).

Вых. хар-ки:

Сток-затворные хар-ки:

Существует термостабильная точка А, в которой ток стока не зависит от Т. Правее А ток стока с ростом Т уменьшается за счёт уменьшения подвижности носителей, левее А ток стока увеличивается и уменьшается пороговое напряжение за счёт уменьшения ширины pn-перехода.

32. Моп-транзисторы с индуцированным каналом. Конструкция, принцип действия, выходные и сток-затворные хар-ки, их зав-ть от т.

Определение: Это полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала. В качестве изоляции между каждым Ме затвором и проводящим каналом исп-ся оксид п/п и полевой транзистор имеет тип Ме-оксид-п/п (МОП-транзистор).

Конструкция: МОП-транзистор с индуцированным каналомn-типа представляет собой тонкую слабо легированную пластинку кремния р-типа, в котрой сделаны 2 сильно легированные областиn-типа, расстояние между которыми порядка 10 мкм. На области, в которой создаётся токопроводящий канал, выращивается тонкий слойSiO₂, на который напыляется алюминий и изготавливаются 3 электрода:исток,стокизатвор.

Принцип действия: В основе работы МОП-транзистора с индуц. каналом лежит явление инверсии проводимости приповерхностного слоя. Это явление заключается в том, что под действием эл. поля электроны притягиваются к пов-ти п/п р-типа и в этой области п/п мин. значение энергии, которой может обладать электрон, находящийся в зоне проводимости, должно быть ниже, чем в остальном объёме п/п. Существует пороговое напряжение, по превышении которого эн. зоны искривляются вниз настолько сильно, что вблизи поверхности образуется инверсионный эл. слой (индуцированный канал) способный пропускать ток.

Выходные хар-ки:

Сток-затворные хар-ки:

Существует термостабильная точка А, в которой ток стока не зависит от Т. Правее А ток стока с ростом Т уменьшается за счёт уменьшения подвижности носителей, левее А ток стока увеличивается и уменьшается пороговое напряжение за счёт уменьшения ширины pn-перехода.

33. Статические параметры полевых транзисторов и методы их определения.

1)Крутизна хар-ки S– оценивает эффективность управляющего действия затвора. При определенииSнапряжение стока должно оставаться постоянным. ГрафическиSсоответствует наклону касательной к сток-затворной хар-ки в выбранной точке.

2)Внутр. сопротивление R_i– характеризует воздействие напряжения стока на ток стока. При определенииR_iнапряжение затвора должно оставаться постоянным.Физ. смысл: сопротивление транзистора переменному току. ГеометрическиR_iопределяет наклон стоковой хар-ки.

3)Коэф. усиления - показывает, во сколько раз напряжение затвора сильнее влияет на ток стока транзистора по сравнению с напряжением стока.

Статические параметры S,R_iисвязываются между собойвнутренним уравнением:SR_i=

Крутизну хар-ки и внутр. сопротивление можно определить графически по выходным хар-кам: