- •3.П/п диоды. Классификация по конструкции, материалу, назначению. Маркировка диодов. Основные св-ва и применение.
- •4. Выпрямительные диоды. Классификация. Влияние материала, степени легирования и температуры на вах выпрямительных диодов. Основные параметры. Особенности применения.
- •9. Эквивалентные схемы полупроводниковых диодов для малого переменного сигнала, низкой и высокой частоты. Физическое содержание элементов схемы, методы определения.
- •10. Биполярный бездрейфовый транзистор. Определение и классификация транзисторов.
- •11. Устр-во и степень легирования областей. Распределение поля и потенциала вдоль т. Распределение носителей в базе. Схемы включения т. Коэф. Усиления - Кi, кu, кp.
- •13.Эффект модуляции толщины базы. Определения, следствия.
- •14. Зависимость коэффициентов передачи по току (α, β) транзистора от напряжения коллектора, тока эмиттера и температуры.
- •15.Входные характеристики транзистора с общей базой. Их зависимость от напряжения колектора и температуры.
- •16. Вых. Хар-ки транзистора в схеме с об. Их зав-ть от тока эмиттера и температуры.
- •17. Общ. Хар-ка транзистора в схеме включения с оэ. Понятие сквозного тока транз.
- •18. Вх. Хар-ки транзистора в схеме с оэ. Их зав-ть от напряжения к и температуры.
- •19. Выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. Их зависимость от тока базы и температуры.
- •22. Физические линейные эквивалентные схемы транзистора, включённого по с хеме с общей базой. Упрощённые схемы входной и выходной цепей. Физическое содержание и величины элементов.
- •23. Физические линейные эквивалентные схемы транзистора, включённого по с хеме с общим эмиттером. Упрощённые схемы входной и выходной цепей. Физическое содержание и величины элементов.
- •24. Частотные свойства биполярного транзистора. Источники инерционности. Граничные и предельные частоты транзистора (fα, fβ, fт, fген, fs), соотношения между ними. Пути уменьшения инерционности.
- •25. Инерционные свойства транзистора в режиме большого сигнала. Ненасыщенный, насыщенный, переключательный режим работы. Искажения импульса выходного тока, временные параметры.
- •27. Сравнение параметров транзисторов в трех схемах включения.
- •28. Полевой транзистор с упр. P-n переходом. Конструкция, принцип действия.
- •29. Выходные и сток затворные хар-ки полевого транзистора с управляющим p-n переходом, их зависимость от температуры.
- •30. Моп-транзисторы с изолированным затвором. Принцип действия, эффект поля.
- •31. Моп-транзисторы со встроенным каналом. Конструкция, принцип действия, выходные и сток-затворные хар-ки, их зав-ть от т.
- •32. Моп-транзисторы с индуцированным каналом. Конструкция, принцип действия, выходные и сток-затворные хар-ки, их зав-ть от т.
- •33. Статические параметры полевых транзисторов и методы их определения.
- •34. Полная и упрощённая экв. Схемы полевого транзистора. Применение полевых транзисторов, достоинства и недостатки.
- •35. Динамический режим работы транзистора. Схема включения транзистора с нагрузкой. Методы построения нагрузочной прямой. Динамические параметры ki ,ku, графический и аналитический методы определения.
- •36. Схемы включения биполярного и полевого транзисторов. Цепи, задающие и стабилизирующие режим работы усилительных элементов.
34. Полная и упрощённая экв. Схемы полевого транзистора. Применение полевых транзисторов, достоинства и недостатки.
Полная экв. схема ПТ:
СЗИ, СЗС– барьерные ёмкости ПТ;Ri– внутр. сопротивление ПТ;rИ,rС– сопротивления слаболегированного канала; ССИ– вых. ёмкость ПТ;S– крутизна характеристики.
Упрощённая экв. схема ПТ:
Применение: СИТ – транзисторы со стат. индукцией (Р ~ 100 Вт); элементы инт. схем (технология МОП совместима с интегральной).
Достоинства:
+ оч. большой KJ;
+ на управление JCтратится малая Р;
+ возможна работа напрямую от интегральных схем;
+ термостабильность параметров;
+ высокая теплоустойчивость;
+ низкий уровень шума; + потенциально высокое быстродействие (широкополостность);
+ =>rвхGaAs~ 100 ГГц;
+ обеспечивают равномер. распред-ние Jпри || соединении => позволяют получить Рвых100 Вт.
Недостатки:
- чувствительны к статике;
- малая крутизна;
- малый температурный диапазон (Траб< Траб.БТ).
35. Динамический режим работы транзистора. Схема включения транзистора с нагрузкой. Методы построения нагрузочной прямой. Динамические параметры ki ,ku, графический и аналитический методы определения.
Динамическим режимомработы транзистора называется такой режим, при котором в выходной цепи стоит нагрузочный резистор, за счёт которого изменение входного тока или напряжения будет вызывать изменение выходного напряжения.
ЗдесьRк это коллекторная нагрузка длятранзистора включенного по схеме с ОЭ, обеспечивающая динамический режим работы.
Построение нагрузочной прямой для ПТ:
Ucu=Ec - IcRc – ур-ие дин. режима работы тран-тора
(уравнение выходной динамич-ой хар-ки)
Две точки находятся из начальных условий.
1т. При Ucu=0—Ic=Ec/Rc.
2т. ПриIc=0—Ucu=Ec
Точка пересечения нагрузочной прямой с одной из ветвей выходной статической характеристикой для заданного тока базы называется рабочей точкой транзистора. Рабочая точка позволяет определять токи и напряжения, реально существующие в схеме.
Rc~0 то μg=0
Rc=∞ то μg=μ
36. Схемы включения биполярного и полевого транзисторов. Цепи, задающие и стабилизирующие режим работы усилительных элементов.
Схемы включения биполярных транзисторов:
(1) схема с общей ‘Б’
|
(2) схема с общим ‘Э’ |
(3) схема с общим ‘K’ |
|
|
|
Схемы включения полевых транзисторов.
полевой транзистор с управл.p-nперех. и каналом р-типа
полевой транзистор с управл.p-nперех. и каналомn-типа
1)Схема с фиксированным током базы. 2) С фиксированным напряжением Б-Э
3)Схема эмиттерной стабилизации
4) Схема коллекторной стабилизации