- •3.П/п диоды. Классификация по конструкции, материалу, назначению. Маркировка диодов. Основные св-ва и применение.
- •4. Выпрямительные диоды. Классификация. Влияние материала, степени легирования и температуры на вах выпрямительных диодов. Основные параметры. Особенности применения.
- •9. Эквивалентные схемы полупроводниковых диодов для малого переменного сигнала, низкой и высокой частоты. Физическое содержание элементов схемы, методы определения.
- •10. Биполярный бездрейфовый транзистор. Определение и классификация транзисторов.
- •11. Устр-во и степень легирования областей. Распределение поля и потенциала вдоль т. Распределение носителей в базе. Схемы включения т. Коэф. Усиления - Кi, кu, кp.
- •13.Эффект модуляции толщины базы. Определения, следствия.
- •14. Зависимость коэффициентов передачи по току (α, β) транзистора от напряжения коллектора, тока эмиттера и температуры.
- •15.Входные характеристики транзистора с общей базой. Их зависимость от напряжения колектора и температуры.
- •16. Вых. Хар-ки транзистора в схеме с об. Их зав-ть от тока эмиттера и температуры.
- •17. Общ. Хар-ка транзистора в схеме включения с оэ. Понятие сквозного тока транз.
- •18. Вх. Хар-ки транзистора в схеме с оэ. Их зав-ть от напряжения к и температуры.
- •19. Выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. Их зависимость от тока базы и температуры.
- •22. Физические линейные эквивалентные схемы транзистора, включённого по с хеме с общей базой. Упрощённые схемы входной и выходной цепей. Физическое содержание и величины элементов.
- •23. Физические линейные эквивалентные схемы транзистора, включённого по с хеме с общим эмиттером. Упрощённые схемы входной и выходной цепей. Физическое содержание и величины элементов.
- •24. Частотные свойства биполярного транзистора. Источники инерционности. Граничные и предельные частоты транзистора (fα, fβ, fт, fген, fs), соотношения между ними. Пути уменьшения инерционности.
- •25. Инерционные свойства транзистора в режиме большого сигнала. Ненасыщенный, насыщенный, переключательный режим работы. Искажения импульса выходного тока, временные параметры.
- •27. Сравнение параметров транзисторов в трех схемах включения.
- •28. Полевой транзистор с упр. P-n переходом. Конструкция, принцип действия.
- •29. Выходные и сток затворные хар-ки полевого транзистора с управляющим p-n переходом, их зависимость от температуры.
- •30. Моп-транзисторы с изолированным затвором. Принцип действия, эффект поля.
- •31. Моп-транзисторы со встроенным каналом. Конструкция, принцип действия, выходные и сток-затворные хар-ки, их зав-ть от т.
- •32. Моп-транзисторы с индуцированным каналом. Конструкция, принцип действия, выходные и сток-затворные хар-ки, их зав-ть от т.
- •33. Статические параметры полевых транзисторов и методы их определения.
- •34. Полная и упрощённая экв. Схемы полевого транзистора. Применение полевых транзисторов, достоинства и недостатки.
- •35. Динамический режим работы транзистора. Схема включения транзистора с нагрузкой. Методы построения нагрузочной прямой. Динамические параметры ki ,ku, графический и аналитический методы определения.
- •36. Схемы включения биполярного и полевого транзисторов. Цепи, задающие и стабилизирующие режим работы усилительных элементов.
18. Вх. Хар-ки транзистора в схеме с оэ. Их зав-ть от напряжения к и температуры.
Вх хар-ки: .
Первая входная характеристика (зав-ть 1 на рис. 3а ) представлена для случая, когда напряжение коллектор-эмиттер равно нулю Uкэ = 0(Короткое замыкание К с Э) . В этом случае открывается не только ЭП, но и КП, транзистор работает в режиме насыщения и ток базы равен сумме общего тока эмиттера и общего тока коллектора и возрастает более резко при увеличении напряжения:
Вх хар-ка транзистора при начинается из начала координат, при увеличении по модулю напряжения база-эмиттер ток базы изменяется по экспоненциальному закону и напоминает прямую ветвь ВАХ двух параллельно включенныхpn-переходов.
При подаче на Kотрицательного напряжения, превышающего напряжениеUбэ , КП закрывается и токIк изменяет свое направление. В этом случае транзистор работает в активном усилительном режиме, ток К определяется выражением:Iк =αIэ +Iко, а ток базы=(1−α)Iэ −Iко и возрастает с ростомзначительно медленнее; вх. хар-ка смещается вправо (зав-сть 2 рис.3а при= - 1 В). ПриUБЭ=0 значение тока базы “-“ и опр-ся величиной неуправляемого тока КП, так как первое слагаемое выражения равно нулю (т.A на зависимости рис.3а). При подаче напряжения база-эмиттер не равным нулю эмиттер начинает инжектировать дырки в базу и появляется положительная составляющая тока базы, которая называется током рекомбинационных потерь базы. При некотором напряжении база-эмиттер ток рекомбинационных потерь базы компенсирует неуправляемый ток коллекторного перехода и суммарный ток базы равен нулю (т.B на рис.3а). На участке BC рис.3а ток рекомбинационных потерь базы превышает неуправляемый ток коллекторного перехода и общий ток базы быстро нарастает.
Дальнейшее увеличение напряжения коллектор-эмиттер (зав-сть 3 на рис. 3а при = -5 В) приводит к незначительному смещению входной хар-ки вправо, ибо с ростом напряженияUкэ вследствие эффекта модуляции толщины базы происходит увеличение коэффициента α и уменьшение тока базы. (|Uк|↑ при |Uэб|=const=>|Uкб|↑=>W↓=>α↑=>(1-α)Iэ↓)
Вх. хар-ки транзистора, снятые при различных температурах, пересекаются в области малых положительных токов базы (рис.3б). Пересечение характеристик объясняется тем, что ток базы имеет “+” и “-“ компоненты, каждая из которых увеличивается при увеличении температуры.
При малых значениях напряжения Б-Э вх. хар-ка смещается вниз вследствие роста тока Iко при увеличении Т, который возрастает экспоненциально. При этом точка пересечения вх. хар-ки транзистора оси напряжений Б-Э происходит правее характеристики, снятой при меньшей температуре (рис.3б).
Это происходит по двум причинам: во-первых, с ростом Т экспоненциально увеличивается неуправляемый ток КП и для его компенсации требуется большее значение тока рекомбинационных потерь Б; во-вторых, увеличение Т окр. среды ведет к возрастанию коэффициента передачи по току транзистора в схеме включения с общей базой, а это приводит к уменьшению тока рекомбинационных потерь базы.
В области больших токов базы входная характеристика смещается влево, так как рост температуры приводит к уменьшению высоты потенциального барьера, росту тока Iэ , а, следовательно, и тока