(Презентация) Информатика 2012

СИСТЕМЫ КОМАНД ЦП

Современные процессоры имеют дополнительные наборы мультимедийных команд, предназначенных для работы с графикой, видео и звуком.

Процессоры фирмы Intel оснащены системой команд IA-32, MMX, SSE (Streaming SIMD Extension), SSE2 и

SSE3, а процессоры фирмы AMD – аналогичным набором команд 3DNow.

111

ВНУТРЕННЯЯ ПАМЯТЬ КОМПЬЮТЕРА

1.Регистровая память процессора

2.Оперативная память

3.Кэш-память

4.Постоянная память

5.CMOS память

112

ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ (ОП)

ОП или ОЗУ (оперативно-запоминающее устройство) – это устройство для временного хранения данных.

ОП представляет собой набор ячеек, доступ к которым может осуществляться в произвольном порядке, поэтому память получила название RAM (Random Access Memory – память произвольного доступа).

ОП обнуляется при включении и выключении компьютера.

113

ПАМЯТЬ ПРОИЗВОЛЬНОГО ДОСТУПА

RAM (Random Access Memory – память произвольного доступа).

RAM

DRAM		SRAM

114

ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ (ОП)

Оперативная память относится к категории динамической памяти DRAM (Dynamic RAM) и

основывается на полупроводниковых конденсаторах, в которых информация хранится ограниченное время.

Вмикросхемах DRAM выполняется регенерация информации.

Микросхема DRAM имеет матричную организацию. Каждый элемент матрицы представляет собой миниатюрный конденсатор, который хранит 1 бит данных.

115

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОП

1. Емкость ОП (измеряется в байтах).

В ОП адресуется каждый байт памяти. Если шина адреса - 32 разряда, то можно адресовать примерно 4,3 Гб памяти (232).

2. Передаваемая порция (количество битов информации, считываемое или записываемое за один цикл обращения) - слово или двойное слово.

3. Метод доступа – произвольный, т. е. считывание (запись) данных может выполняться в любой момент времени по любому адресу.

4. Время доступа – промежуток времени между моментом формирования запроса на чтение информации из ОП и моментом поступления из памяти запрошенного машинного слова;

5. Длительность цикла – минимально допустимое

время между двумя последовательными обращениями

к ОП.

116

АСИНХРОННАЯ ДИНАМИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ

Матрица может быть симметричной (количество строк и столбцов одинаково) и ассиметричной (количество строк и столбцов различно).

Управляющие сигналы CAS

(Column Address Strobe) и RAS (Row Address Strobe).

По сигналу WE (Write Enabled)

данные записываются из буфера ввода/вывода в ячейку ОП, либо117 считываются из нее в буфер

СИНХРОННАЯ ДИНАМИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ

Модуль памяти содержит внутренний блок генерации частоты, работающий на системной частоте или значениях, кратных ей.

Работа памяти ведется по обоим фронтам синхросигнала.

Организуется два независимых физических массива, к которым возможно параллельное обращение, что значительно повышает производительность работы синхронной динамической памяти.

118

МОДИФИКАЦИИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ

1.SDRAM (Synchronous DRAM) – синхронная динамическая память

SDRAM - это память с синхронным доступом, работающая быстрее обычной асинхронной памяти. Память SDRAM использует тактовый генератор для синхронизации всех сигналов, применяемых в микросхеме памяти.

Модули памяти с такими микросхемами получили название DIMM.

2.DDR SDRAM (Double Data Rate) – память позволяет передавать данные по обоим фронтам каждого тактового импульса, что удваивает

пропускную способность памяти.

119

МОДИФИКАЦИИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ

3.DDR2 SDRAM - конструктивно новый тип оперативной памяти - был выпущен в 2004 году.

Основывается на технологии DDR SDRAM, но за счет технических изменений показывает более высокое быстродействие.

Память может работать на частоте 667 МГц и 800 МГц.

Время полного доступа – 25; 11,25; 9 и 7,5 нс. Время рабочего цикла – 5; 3,75; 3 и 3,5 нс.

4.DDR3 обеспечивает сокращение потребления энергии на 40% по сравнению с модулями DDR2.

Применяется 90-нм технология производства, что позволяет снизить эксплуатационные токи и напряжения. 120

Частота работы DDR3 1066 МГц , 1333 и 1600 МГц .