- •§ 1. Элементы электронной теории металлов
- •Дополнение 1
- •§ 2. Потенциальный барьер на границе металл-вакуум
- •Дополнение 2
- •§ 3. Коэффициент прозрачности
- •§ 4. Плотность тока термоэмиссии
- •§ 5. Энергетические распределения эмитированных электронов
- •§ 6. Плотность тока термоавтоэмиссии (продолжение)
- •§ 7. Плотность потока энергии через эмиссионную поверхность
- •§ 8. Автоэлектронная эмиссия. Эксперимент
- •8.1 Автоэмиттер
- •8.2 Автоэмиссионный метод определения работы выхода
- •8.3 Микроскопия поверхности твердого тела
- •8.3.1 Автоэлектронная (полевая электронная) микроскопия
- •8.3.2 Автоионная (полевая ионная) микроскопия
- •8.3.3 Сканирующая туннельная микроскопия
- •§ 9. Термоэлектронная эмиссия
- •9.1 Термокатоды
- •9.2 Термоэмиссионный метод определения работы выхода
- •§ 10. Другие виды электронной и ионной эмиссии
- •10.1 Общая классификация явлений эмиссии
- •10.2 Фотоэлектронная эмиссия (внешний фотоэффект)
- •10.3 Вторичная электронная эмиссия
- •10.4 Кинетическая ионно-электронная эмиссия
- •10.5 Экзоэлектронная эмиссия
- •10.7 Эмиссия горячих электронов
- •10.8 Комбинированные виды эмиссии
- •§11. Токи, ограниченные пространственным зарядом
- •11.1 Закон «трех вторых»
- •11.3 Плоскопараллельная электродная система
- •11.4 Цилиндрическая электродная система
- •11.5 Сферическая электродная система
- •§ 12. Взрывная электронная эмиссия (ВЭЭ)
- •12.1 Феноменология ВЭЭ
- •12.2 Импульсный пробой при острийном катоде
- •12.3 Импульсный пробой при плоских электродах
- •12.4 Пробой постоянным напряжением
- •12.5 Джоулев механизм вакуумного пробоя
- •12.6 Вольт-амперная характеристика искрового разряда
Критерий невырожденности можно записать как
|
εF |
|
= |
nh |
3 |
1 . |
(1.16) |
exp |
|
|
|||||
|
2 (2πmkT )3/ 2 |
||||||
kT |
|
|
|
Сравнивая критерии (1.12) и (1.16), мы видим, что высокая концентрация приводит к вырождению электронов проводимости, в то время как требование невырожденности (классичности) ограничивает концентрацию сверху. В металлах с хорошей электропроводностью и высокой эмиссионной способностью реализуется первый случай.
Дополнение 1
Понятие эффективной массы, введенное в § 1, нуждается в некотором дополнении. Дело в том, что более реалистическая картина поведения электрона в кристалле соответствует не рис. 1.1, а рис. Д1.1. Дно потенциальной ямы гофрировано с периодом, соответствующим расположению ионов в кристаллической решетке. Это обстоятельство приводит к тому, что волновая функция электрона и связь между энергией и импульсом имеют более сложный вид
|
p |
|
, |
(Д1.1) |
ψp =U (r, p) exp i |
|
r |
||
|
|
|
|
|
где функция U(r, p) имеет ту же периодичность, что и потенциал электрона в кристалле. Для энергии, например, можно записать
ε(p) = |
p2 |
|
py2 |
p2 |
|
||
x |
+ |
|
+ |
z |
, |
(Д1.2) |
|
2mxx |
|
|
|||||
|
|
2myy |
2mzz |
|
т.е. поверхность постоянной энергии представляет собой эллипс в пространстве импульсов, а кривизна этой поверхности или эффективная масса есть тензор
m = |
∂2ε |
|
. |
(Д1.3) |
|
∂p |
∂p |
|
|||
ij |
j |
|
|||
|
i |
|
|
Рис. Д1.1
9