- •Глава I. Нанокристаллические пленки а2в6: синтез, структура, свойства
- •Глава II. Приборы и методы эксперимента
- •Глава III. Структурные и оптические свойства нанокристаллических
- •Глава IV. Механизм роста пленок. Возможности их использования.
- •Глава I
- •1.1. Свойства и особенности полупроводников а2в6
- •1.2. Структура и свойства сульфида и селенида цинка
- •1.3. Влияние структуры на оптические свойства
- •1.4. Свойства пленок а2в6, полученных при отрицательных
- •1.6. Основные стадии формирования пленок вакуумным методом
- •Глава II
- •2.1. Сверхвысоковакуумная установка
- •2.2. Получение нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка
- •2.3. Методы исследования пленок
- •2.3.1. Определение интегральной скорости роста пленки
- •2.3.2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (рфэс)
- •2.3.3. Вторичная ионная масс-спектрометрия (вимс) пленок
- •2.3.4. Рентгеноструктурные исследования пленок
- •2.3.5. Электронно-микроскопические исследования
- •2.3.6. Асм - исследования тонких полупроводниковых пленок
- •Глава III
- •3.1. Влияние температуры конденсации на скорость роста пленки
- •3.2. Рентгеноэлектронная спектроскопия пленок селенида и сульфида
- •3.3. Исследование структурных характеристик пленок
- •3.3.1. Рентгеноструктурный анализ
- •3.3.2. Просвечивающая электронная микроскопия
- •3.4. Атомно-силовая микроскопия
- •3.5. Оптические свойства
- •Глава IV
- •4.1. Расчет упругих механических напряжений в структурах
- •4.2. Механизмы роста пленок селенида и сульфида цинка
- •4.3. Влияние температуры отжига на структуру пленок сульфида цинка,
- •4.5. Электролюминесцентные источники на базе нанокомпозитных
2.3.3. Вторичная ионная масс-спектрометрия (вимс) пленок
При соударении высокоэнергетического иона с поверхностью, последней
передается часть кинетической энергии налетающего иона. В результате столкновения налетающий ион, в зависимости от энергии, может отразиться или рассеяться внутрь твердого, кроме того, с поверхности твердого тела могут распыляться атомы матрицы. Распыляемыми частицами являются фрагменты, покидающие поверхность в результате диссипации энергии ионов. Как правило, большинство этих распыленных частиц возникает в одном, двух верхних атомных слоях у поверхности [103-105].
Метод ВИМС хотя и является разрушающим, но распыленные частицы, будучи фрагментами поверхности несут информацию о химическом составе приповерхностного слоя.
Исследуемая поверхность бомбардируется пучком первичных ионов с энергией порядка кэВ. Выбитые с поверхности атомы и молекулы вылетают в виде нейтральных частиц, находящихся в возбужденном состоянии, либо в виде положительных или отрицательных ионов. Часть их попадает в масс- спектрометр МС-7201М (технические характеристики в таб. 2.1) [106], где они сепарируют согласно отношению их массы к заряду.
Масс-спектрометрия проведена на масс-спектрометре МС-7201М.
Источник ионов - ячейка типа Пеннинга. Масс-анализатор - монополь. Первичные ионы - Ar+, энергия - 4,5 кэВ. Условия вакуума: давление в камере
анализа не хуже 2⋅10-5Па.
Исследуемые образцы бомбардировались потоком первичных ионов
аргона, фокусируемых в пятно диаметром 1,5÷2 мм. Угол падения 45о. Для исключения эффекта кратера использовалась диафрагма тантала с диаметром
отверстия 1 мм, накладываемая на область анализа. Распыляемое вещество с
60
Технические характеристики МС-7201М
Диапазон анализируемых массовых чисел
в рабочем режиме
в обзорном режиме
Разрешающая способность в рабочем режиме на уровне
50% от интенсивности пиков масс-спектра
Ток пучка первичных ионов
Диаметр пучка первичных ионов на поверхности образца
Порог чувствительности по току вторичных ионов на
выходе масс-спектрометра, ограниченный шумами
Максимальное время регистрации полного спектра масс в
автоматическом режиме
Таблица 2.1.
1÷250 М
1÷450 М
не менее 3,0 М
не менее 15 мкА
не более 3 мкм
не более 10-10 А
(305) мин
помощью системы фокусирующих линз направляется на вход монополя и
анализируется в нем по массам. На выходе регистрирующей системы получали спектр «Интенсивность - массовое число» - набор спектральных линий. Для профилирования по глубине выбираем наиболее интенсивные линии спектра для исследуемых элементов: Zn(64), O(16), C(12), S(32), Se(80). Записываются значения интенсивностей выбранных пиков через заданные промежутки времени. При использованных режимах съемки скорость травления составляла 1,2÷1,5 нм/мин.
Концентрацию элементов рассчитывали с использованием эмпирических коэффициентов чувствительности для данного прибора, определенных на эталонных образцах с известной концентрацией изучаемых компонентов. Формула расчета концентраций аналогична формуле (2.11), использованной в методе РФЭС [104]. Использование эталонов при их одновременной съемке с
исследуемыми образцами видентичных условиях позволяет учесть
селективность травления, приборные факторы, распыление вещества в виде многоатомных кластеров и др., которые учитывать аналитически очень
61
проблематично. Наличие оксидов контролируется по пикам с массовыми
числами mMe+nO.