4.5. Электролюминесцентные источники на базе нанокомпозитных

пленок ZnSe и ZnS

Впоследние годы активно ведется разработка тонкопленочных

электролюминесцентных излучателей (ТПЭЛИ). Такие излучатели позволяют получать яркость до 200 кд/м².

ТПЭЛИ обладают некоторыми преимуществами по сравнению с излучателями на основе порошковых люминофоров. Они имеют большую

129

яркость, стабильность, более высокую разрешающую способность и

повышенный коэффициент нелинейности вольт-яркостной характеристики, срок службы достигает 20000 часов.

В настоящее время существует три основных схемы изготовления ТПЭЛИ

переменного тока:

— с одним диэлектрическим слоем;

— с двумя диэлектрическими слоями;

— на керамической подложке, используемой в качестве одного из диэлектрических слоев.

Устройство с одним диэлектрическим слоем имеет относительно низкое рабочее напряжение, но невысокую стабильность. Характеристики устройств с двумя диэлектрическими слоями более стабильны. Свечение этих устройств, имеющих крутую вольт-яркостную характеристику, отличается большой яркостью (до 10⁴ кд/м²) [139].

На рис. 4.15 представлено схематическое изображение ТПЭЛИ, рабочий слой (электролюминофор) которого представляет собой нанокомпозитную пленку сульфида цинка. Здесь использована схема с двумя диэлектрическими оксидными слоями.

Формирование прозрачного токопроводящего слоя на поверхность

кварцевой подложки осуществлялось реактивным высокочастотным

распылением мишени из сплава индия с оловом (содержание олова в сплаве 6%) в кислородно-аргоновой среде на модернизированной установке ионного травления УРМ 3.279.079. В камеру напускали кислород до рабочего давления

1,33⋅10^-2 Па, после чего производилась ионно-лучевая очистка подложек при

ускоряющем напряжении 2 кВ, токе разряда 150 мА, времени очистки 5 минут.

Осуществлялось напыление при режимах: мощность высокочастотного разряда 400 Вт, время напыления 15 минут, состав рабочей смеси 10% кислорода и 90% аргона. После напыления проводилась термическая обработка на воздухе при температуре 673 К в течение 20 минут. При этом удельное сопротивление снижается от 10 кОм/см² до 100 Ом/см².

130

Схематическое изображение ТПЭЛИ на базе рабочего слоя из

нанокомпозитной пленки ZnS с двумя диэлектрическими слоями

Металлический контакт (Ni)

Буферные слои (SiO₂)

Прозрачный проводящий

слой (In₂O₃xSn)

Кварцевая подложка

Рабочий слой (ZnS)

Рис. 4.15.

131

На поверхность проводящего слоя методом магнетронного распыления

проводилось напыление диэлектрической пленки SiO₂ в среде аргона. Рабочее

давление в камере составляло 10^-1 Па, мощность высокочастного разряда 300

Вт, время напыления 20 минут.

Пленка рабочего слоя нанокристаллического состава синтезировалась

методом взрывного испарения порошка материала в условиях сверхвысокого

вакуума при температуре конденсации 123 К, после чего образцы подвергались нагреву до температуры отжига (373, 423, 473 К) со скоростью 50 К/час без разгерметизации вакуумной камеры. Время отжига образцов при заданной температуре составляло 1 час. Затем снова осаждался буферный диэлектрический слой, на который наносился верхний электрод из алюминия термическим методом на ВУП-5. Диэлектрические оксидные слои выполняют роль буферных стабилизаторов, ограничивая величину тока, проходящего через рабочий слой (предохранение от пробоя). Они также формируют электронные состояния на границе раздела с люминофорным слоем. Туннельный переход электронов с этих состояний в зону проводимости полупроводника рабочего слоя служит источником первичных электронов для ударной ионизации и ударного возбуждения центров люминесценции.

Интегральная интенсивность электролюминесценции образцов

измерялась по схеме на рис. 4.16. На образцы подавалось переменное напряжение прямоугольной формы с амплитудой 60 В и частотой 50 Гц.

Излучение регистрировалось сурьмяно-цезиевым фотоэлементом,

применяемым для измерений в области спектра от 190 нм до 700 нм. Зависимость интенсивности фотолюминесценции от температуры коррелирует с аналогичной зависимостью электролюминесценции (рис. 4.17): амплитуда интенсивности электролюминесценции увеличивается в 2-2,2 раза при увеличении температуры отжига до 423 К, а при большей температуре отжига уменьшается в 2 раза.

Изменение интенсивности люминесценции от температуры отжига (рис.

4.17) удовлетворительно коррелирует с результатами исследования

132

Схема экспериментального стенда по измерению интегральной интенсивности

электролюминесценции образцов

Рис. 4.16.

Изменение интегральной интенсивности электролюминесценции от

температуры отжига

Рис. 4.17.

133

относительного пропускания образцов (рис. 4.14а) и с результатами

исследований изменений стехиометрии образцов от температуры конденсации (рис. 4.3).

Основные выводы по четвертой главе

Рассмотрены механизмы формирования пленок сульфида и селенида

цинка при отрицательных температурах конденсации, которые связаны с сорбционными, диффузионными процессами адатомов по поверхности среды фазы и механическими напряжениями, возникающими на границе пленка- подложка. Конкуренция между физической и химической адсорбцией при низких температурах конденсации ZnS и ZnSe приводит к нелинейной зависимости скорости роста пленок от температуры конденсации.

Выявлено влияние отжига на структуру и фазовый состав исследуемых пленок. Отжиг приводит к совершенствованию структуры и гомогенизации

состава. Оптимальной стехиометрией, наивысшей относительной

прозрачностью обладают пленки сульфида цинка осажденные при

температуре 123 К и подвергнутые отжигу при 423 К.

Получено, что интегральная интенсивность электролюминесценции зависит от температуры отжига. Данная зависимость коррелирует с

зависимостями стехиометрии и структуры пленок активного слоя ТПЭЛИ.

134

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные выводы диссертационной работы:

1. Изготовленная сверхвысоковакуумная установка позволяет получать

методом термического напыления («вспышки») близкие к

стехиометрическому составу и чистыми от инородных примесей бинарные полупроводниковые пленки при рабочем давлении 10^-6 Па в диапазоне температур конденсации от 123 К до 873 К и контролем in situ остаточной атмосферы.

2. Понижение температуры конденсации от 273 К до 123 К приводит к

изменению структуры нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка; увеличивается размер включений гексагональной фазы в кубической матрице; изменяется соотношение концентраций элементов пленок ZnSe и ZnS

Se:Zn = 49,54:50,46÷50,83:49,17 и S:Zn = 56,2:40,1÷48,3:44,9 соответственно.

3. Конкуренция между физической и химической адсорбцией при низких

температурах конденсации ZnS и ZnSe приводит к нелинейной зависимости скорости роста плёнок от температуры конденсации.

4. Появление гексагональной фазы в тонких пленках ZnS (толщиной до

0,15 мкм) обусловлено в основном механическими напряжениями в системе пленка-подложка, данная фаза является неустойчивой и исчезает при отжиге. В толстых пленках (свыше 0,15 мкм) наряду с механическими напряжениями за появление гексагональной фазы ответственны дефекты упаковки, отжиг не приводит к ее исчезновению.

5. Отжиг плёнок сульфида цинка при температуре 423 К приводит к:

- улучшению однородности элементного состава по толщине пленок,

- уменьшению концентрации абсорбционного кислорода в приповерхностном слое от 37 ат.% до 9 ат.%.

- выравниванию по высоте и диаметру нанообразований.

- увеличению интенсивности фото- и электролюминесценции.

135

ЛИТЕРАТУРА

1. Гусев А.И. Нанокристаллические материалы: методы получения и

свойства // Екатеринбург УрО РАН, 1998. - 196 с.

2. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров,

3.

4.

наноструктур и наноматериалов // М.: КомКнига, 2006. - 592 с.

Морозова Н.К. и др. Селенид цинка. Получение и оптические свойства // - М.: Наука, 1992. - 96 с.

Гаврищук Е. М., Яшина Э. В. Оптические элементы из сульфида цинка и селенида цинка для инфракрасной техни-ки // Оптический журнал. - 2005. - № 7. - С. 56-59.

5. Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю.. Кинетика

электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72, Вып. 2. - С.74-83.

6. Верещагин И.К., Ковалев Б.А., Косяченко Л.А. Кокин С.М.

7.

8.

9.

Электролюминесцентные источники света // М.: Энергоатомиздат, 1990. - 168 с.

Zhu Y.С., Bando Y. Preparation and photoluminescence of single-crystal zinc selenide nanowires // Сhеm. Phys. Lеtt. - 2003. - Vol. 377. - P. 367-370.

Bacaksiz E., Aksu S., Polat I., Yılmaz S. and Altunbaş M. The influence of substrate temperature on the morphology, optical and electrical properties of thermal-evaporated ZnSe thin films // Journal of Alloys and Compounds. - 2009. - Vоl. 487. - Р. 280-285.

Babucke H., Thiele P., Prasse T., Rabe M., Henneberger F. ZnSe-based electro- optic waveguide modulators for the blue-green spectral range // Semiconductor Science and Technology. - 1998. - Vol. 13. - № 2. - Р. 200-206.

10. Itoh S., Taniguchi S., Hino T., Imoto R., Nakano K., Nakayama N., Ikeda M.

and Ishibashi A. Room temperature laser operation of wide band-gap II-VI laser diodes // Materials Science and Engineering B. - 1997. - Vol. 43. - P. 55- 59.

136

11. Itoh S., Nakano K., Ishibashi A. Current status and Future prospects of ZnSe-

based light-emitting devices // Journal of Crystal Growth. - 2000. -Vol. 214. - P. 1029-1034.

12. Гончаров Е.Г., Семенов Г.В., Угай Я.А. Химия полупроводников. //

Воронеж: ВГУ, 1995. - 270 с.

13. Зломанов В.П., Новоселова А.В. Р—Т—х-диаграммы состояния систем

металлхалькоген // М.: Наука, 1987. - 207 с.

14. Седова И. В. Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные

методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике // Дис. канд. физ.-мат. наук. СПб, 2006. - 177 с.

15. Ежовский Ю.К., Денисова О.В. Физико-химические основы технологии

полупроводниковых материалов // Учеб. пособие. СПб.: СЗТУ, 2005. - 80 с.

16. Кулаков М.П., Кулаковский В.Д., Савченко И.Б., Фадеев А.В. О фазом

переходе в кристаллах селенида цинка //Физика твердого тела. - 1976. - Т. 18. №. 3. - С. 909-911.

17. Лакин Е.Е., Баженова Л.Т., Шиманская Н.П. // Сб. научных трудов ВНИИ

монокристаллов, сцинтилляционных материалов иособо чистых

химических веществ. - 1982. - №. 9. - С. 149-150.

18. Kikuma I., Furukoshi M. Direct observation of the 3C-2H transformation in

ZnSe by high-temperature X-ray diffraction // J. Cryst. Growth. - 1985. - Vol. 71. - №. 1. - P. 136-140.

19. Okada H., Kawanaka T., Ohmoto S. Study on the ZnSe phase diagram by

differential thermal analysis // Journal of Crystal Growth. - 1996. - Vol. 165. № 1-2. - P. 31-36.

20. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов //

М.: Высшая Школа, 1970. - 504 с.

21. Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах // М.:

Мир, 1969. - 274 с.

137

22. Яценко О.Б., Чудотворцев И.Г., Шаров М.К. Основы физики и химии

полупроводников // Учебное пособие для вузов ч.2. Издательско- полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2007. - 51 с.

23. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка. Получение и оптические

свойства // М.: Наука, 1987. - 220 с.

24. Под ред. Медведева С.А. Физика и химия соединений A^IIB^VI // М.: Мир,

1970. - 624 с.

25. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В., Скуднова Е.В., Чижевская

С.Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе // М.: Наука, 1975. - 220 с.

26. Физико - химическое исследование системы сульфид цинка - сульфид

кадмия //Отчет НИИ Химии Саратовского ун-та № Б608160. Саратов. - 1978. - 110 с.

27. Skinner B.J, Barton P.B. The substitution of oxygen for sulfur in wurtzite and

sphalerite // American Mineralogist. - 1960. - Vol. 45. - Р. 612-625.

28. Руманс К. Структурные исследования некоторых окислов и других

халькогенидов при нормальных и высоких давлениях // М.: Мир, 1969. - 207 с.

29. Булер П. Термодинамика веществ при высоких давлениях // СПб.: Янус,

2002. - 176 с.

30. Datta S., Yacobi B.G., Holt D.B. Scanning electron microscope studies of local

variations in cathodoluminescence in striated ZnS platelets // Journal of Materials Science. - 1977. - Vol. 12. - № 12. - Р. 2411-2420.

31. Куколь В.В., Лакин Е.Е., Путятин В.Д. Монокристаллы и техника //

Харьков: ВНИИМонокристалл. - 1975. - Вып. 12. - С. 14-20.

32. Лакин Е.Б., Куколь B.B., Сысоев A.A. Мартенситные и диффузионные

превращения в монокристаллах ZnS // Изв.АН СССР, Неорг.материалы. - 1980. -Т.16. -С. 1175-1178.

138

33. Hill J., Lewis K.L., Cullis A. The Defect and Band Structure of CVD-grown

ZnS // Proc. 6ht Intern. Conf. on CVD. 1977. - Р. 276-282.

34. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках // М.: Мир, 1973. -

212 с.

35. Бонч-Бруевич В.Л.. Вопросы электронной теории неупорядоченных

полупроводников // Успехи физических наук. - 1983. - Т. 140. - Вып. 4 - С. 583-637.

36. Liang A.X., Rishi R. Effect of Hot-Pressing Temperature on the Optical

Transmission of Zinc Sulfide // Appl. Phys. Lett. - 1991. - Vоl. 58. - №5. - P. 441-443.

37. Борен К., Хаффман Д. Поглощение и рассеивание света малыми

частицами // М.: Мир, 1986. - 660 с.

38. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников // М.: Наука, 1977. -

366 с.

39. Brus L.E. Electron-electron and electron-hole interactions in small

semiconductor crystallites: the size dependence of the lowest excited electronic state // The Journal of Chemical Physics. - 1984. - Vol. 80. - № 9. - P. 4403- 4409.

40. Борисенко Д.Н. Получение иисследование свойств углеродных

наноматериалов и нанокристаллов широкозонных полупроводников. // автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук. Черноголовка, 2005. - 170 c.

41. Ананьева Г.В., Горохова Е.И. // Оптический журнал. - 1997 - Т. 64. - № 9. -

C. 75-77.

42. Mingyuan Gao, Junqi Sun, Eric Dulkeith et al. Lateral Patterning of CdTe

Nanocrystal Films by the Electric Field Directed Layer-by-Layer Assembly Method // Langmuir. - 2002. - Vol. 18. - P. 4098-4102.

43. Судзик К., Фудзимори Х., Хасимото К. Аморфные металлы // под ред.

Масумото Ц. пер. с япон. М.: Металлургия, 1987. - 328 с.

139

44. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников // М.:

Мир, 1991. - 670 с.

45. Морохов И.Д., Трусов Л.И., Чижик С.П. Ульродисперсные металлические

среды // М.:Атомиздат, 1977. 264 с.

46. Valeva E., Necheva D. Photo induced phenomena in chalcogenide structures //

J. Non-Cryst. Solids. - 1987. - Vol. 90. - Р. 497-504.

47. Vateva E., Nesheva D. Photoconductivity of amorphous CdS films // J. Non-

Crystalline Solids. - 1982. - Vol. 51. - Р. 381-388.

48. Nesheva D. Properties of amorphous CdS - crystalline Si juhctions // J.Solid-

State Electronics. - 1987. - Vol. 30. - № 2. Р. 173-176.

49. Mendolia J., Lemoin D. Electrical and Optical Properties of Evaporated Thin

Films of-CdTe // Phys. Stat. Sol. - 1986. (a)97. Р. 601-607.

50. Беляев А.П., Рубец В.П. Калинкин И.П. Формирование ориентированных

пленок теллурида кадмия на аморфной подложке в резконеравновесных условиях // ЖТФ. - 2001. - Т. 71. - Вып. 4. - С. 133-135.

51. Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В. Механизм нуклеации

ориентированных пленок теллурида кадмия, формирующихся в резко неравновесных условиях // Физика и техника полупроводников. - 2006 - Т. 40. - Вып. 7. - C.790-793.

52. Беляев А.П., Рубец В.П. Эффект переключения в гетеропереходах Si-CdS,

синтезированных в резко неравновесных условиях // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36. - Вып. 7. - С. 843-846.

53. Беляев А.П., Рубец В.П., Кукушкин С.А. Сенсорные исследования

начальных стадий формирования теллурида кадмия из паровой фазы // Физика твердого тела. - 2001. - Т. 43. - Вып. 10 - С. 1901-1903.

54. Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю., Калинкин И.П. Влияние резко

неравновесных условий на стехиометрию состава слоя теллурида кадмия, конденсируемого из паровой фазы // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37. - Вып. 6. - С. 641-643.

140

55. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Начальные стадии образования

эпитаксиальных пленок соединений А²В⁶ в резко неравновесных условиях на подложке из слюды мусковит // ФТТ. - 1997. - Т. 39. - № 2. - C. 382-386.

56. Рубец В.П. Физико-химические процессы конденсации пленок теллурида

и сульфида кадмия в широком интервале температур подложек//

автореферат дисс. канд. хим. наук. СПб.: СПГТИ(ТУ), 1997. 20 с.

57. Kukushkin S.A., Osipov A.V. Soliton model of island migration in thin films //

Surface Science. - 1995. - Vol. 329. - P. 135-140.

58. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Оптический край поглощения и

его модификации при распаде пленок твердых растворов теллурида и сульфида кадмия // ФТП. - 1997. - Т.31. - №5. - C. 635-638.

59. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Корреляционная связь между

пропусканием и составом в пленках твердых растворов соединений А²В⁶ // Неорганические материалы. - 1999. - Т. 35. - № 5. - C. 5448-551.

60. S.K. Lok, G. Wang, Y. Cai, N. Wang, Y.C. Zhong, K.S. Wong, I.K. Sou.

Growth temperature dependence of the structural and photoluminescence properties of MBE-grown ZnS nanowires // Journal of Crystal Growth, - 2009. - Vol. 311. - № 9. - P. 2630-2634.

61. Chia-Wei Huang, Hsuan-Mei Weng, Yeu-Long Jiang, Herng-Yih Ueng.

Investigation on the properties of molecular beam deposited ZnSe films // Thin Solid Films. - 2009. - Vol. 517. - P. 3667-3671.

62. Zhengbang Pi, Xiaolu Su, Chao Yang, Xike Tian, Fang Pei, Suxin Zhang,

Jianhua Zheng. Chemical vapor deposition synthesis and photoluminescence properties of ZnS hollow microspheres // Materials Research Bulletin - 2008. - Vol. 43. - Р. 1966-1970.

63. Chongfeng Guo, C.H. Choy, Dexiu Huang, Yueping Fang, Preparation of 3D

ZnSe novel structure // Journal of Physics and Chemistry of Solids, - 2006. - Vol. 67, - № 4. - P. 818-821.

141

64. Venkatachalam S., Mangalaraj D., Narayandass Sa. K., Kim R. and Yi J.

Structure, optical and electrical properties of ZnSe thin films // Physica B: Condensed Matter. - 2005. - Vol. 358. - P. 27-35.

65. Venkatachalam S., Jeyachandran Y.L., Sureshkumar P., Dhayalraj A.,

Mangalaraj D., Narayandass Sa.K. and Velumani S. Characterization of vacuum-evaporated ZnSe thin films // Materials Characterization. - 2007. - Vol. 58. - P. 794-799.

66. Rusu G.I., Ciupina V., Popa M.E., Prodan G., Rusu G.G. and Baban C.

Microstructural characterization and optical properties of ZnSe thin films // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2006. - Vol. 352. - P. 1525-1528.

67. Venkatachalam S., Mangalaraj D., Narayandass Sa.K., Kim K. and Yi J.

Composition, structural, dielectric and DC characterization of vacuum

deposited ZnSe thin films // Vacuum. - 2007. - Vol. 81. - P. 928-933.

68. Кулаков М. П., Соколовская Ж.Д. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. -

1985. - T. 21. - № 1. - C. 20-25.

69. Кулаков М. П., Голенко В.П // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. - 1975. -

T. 11. - № 7. - C. 1196-1200.

70. Zhu Y.С., Bando Y. Preparation and photoluminescence of single-crystal zinc

selenide nanowires // Сhеm. Phys. Lеtt. - 2003. - Vol. 377. - P. 367-370.

71. Venkata Subbaiah Y.P., Prathap P., Ramakrishna Reddy K.T. Structural,

electrical and optical properties of ZnS films deposited by close-spaced

evaporation // Applied Surface Science. - 2006. - Vol. 253. - P. 2409-2415.

72. Daranfed W., Aida M.S., Hafdallah A., Lekiket H. Substrate temperature

influence on ZnS thin films prepared by ultrasonic spray // Thin Solid Films. - 2009. - Vol. 518. - P. 1082-1084.

73. Sahraei R., Motedayen Aval G., Baghizadeh A., Lamehi-Rachti M., Goudarzi

A., Majles Ara M.H. Investigation of the effect of temperature on growth mechanism of nanocrystalline ZnS thin films // Materials Letters. - 2008. - Vol. 62. - P. 4345-4347.

142

74. Hyun Joo Lee and Soo U Lee Deposition and optical properties of

nanocrystalline ZnS thin films by a chemical method // Current Applied Physics. - 2007. - Vol. 7. - P. 193-197.

75. Wang Y., Zhang L., Liang C., Wang G., Peng X. Catalytic growth and

photoluminescence properties of semiconductor single-crystal ZnS nanowires // Chemical Physics Letters. - 2002. - Vol. 357. - P. 314-318.

76. Meng X.M., Liu J., Jiang Y., Chen W.W., Lee C.S., Bello I., Lee S.T.

Structure- and size-controlled ultrafine ZnS nanowires// Chemical Physics Letters. - 2003. - Vol. 382. - P. 434-438.

77. Yuan H. J, Xie S. S., Liu D. F., Yan X. Q., Zhou Z. P., Ci L. J., Wang J. X.,

Gao Y., Song L., Liu L. F., Zhou W. Y., Wang G. Formation of ZnS nanostructures by a simple way of thermal evaporation // Journal of Crystal Growth. - 2003. - Vol. 258. - P. 225-231.

78. Bacaksiz E., Aksu S., Polat I., Yılmaz S. and Altunbaş M. The influence of

substrate temperature on the morphology, optical and electrical properties of thermal-evaporated ZnSe thin films // Journal of Alloys and Compounds. - 2009. - Vоl. 487. - Р. 280-285.

79. Технология тонких пленок (справочник) // Под ред. Л. Майссела, Р.

Глэнга: пер. с англ. Под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. Т.1. М.: Сов. Радио. 1977. - 664 с.

80. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич А.В. Эпитаксиальные

пленки соединений А²В⁶ // Л.:ЛГУ им. Жданова, 1978. - 311 с.

81. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Процессы конденсации тонких пленок //

УФН. - 1998. - Т. 168. - № 10. - С. 1083-1116.

82. Venables A, Spiller G. D. T., Hanbucken M Nucleation and growth of thin

films // Rep. Prog. Phys. - 1984. - Vol. 47. - № 4. - Р. 399-459.

83. Pashley D. W. The nucleation, growth, structure, and epitaxy of thin surface

films //Adv. Phys. - 1965. - Vol. 14. - P. 327-416.

84. Basset G.A. Condensation and Evaporation of Solids // New York, 1964. - Р

599.

143

85. Kern R., Masson A., Metios J.J. Migration Browhienne de Crisstallites Sur.

Une Surface et Relation Avee Depitaxie // Surf. Sci. - 1971. - Vоl. 27. - № 3. - P. 483-498.

86. Zanghi J.C., Metios J.J., Kern R. Elastic interaction between // Surf. Sci. -

1975. - Vol. 52. - № 3. - P. 556-568.

87. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич А.В. Эпитаксиальные

пленки соединений А²В⁶ // Л.:ЛГУ им. Жданова, 1978. - 311 с.

88. Ивлев В.М., Трусов А.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в

тонких пленках // М.:Металлургия. 1988, -325 с.

89. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки // М.: Наука, 1971. -

480 с.

90. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и

субструктура конденсированных пленок // М.: Наука, 1972. - 319 с.

91. Кукушкин С.А., Слезов В.В. Дисперсные системы на поверхности

твердых тел: механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход) // СПб.: Наука, 1996. - 304 с.

92. Крылов П.Н., Романов Э.А., Ветошкин В.М. Сверхвысоковакуумная

установка для напыления нанокристаллических полупроводниковых соединений // Вакуумная техника и технология. - 2008. - Т. 18. - № 2. - С. 75-80.

93. Масс-спектрометр типа МХ-7304 ЦФ1.560. 014 ТО.

94. Пост вакуумный универсальный ВУП-5, Техническое описание и

инструкция по эксплуатации. 1989.

95. Ануфриев Г.С., Болтенков Б.С., Рябинков А.И. Масс-спектры высокого

разрешения остаточного газа в металлической вакуумной системе // ЖТФ. - 2006. - Т. 76. - Вып. 1. - С. 105-114.

96. Розанов Л.Н. Вакуумная техника // М.: Высшая школа, 1990. - 320 c.

97. Баранов А.М. Увеличение интенсивности отражения рентгеновского

излучения от поверхности при нанесении на нее алмазоподобной

углеродной пленки // ЖТФ. - 1998. - Т. 68. - № 7. - С. 136-138.

144

98. Ветошкина В.М. Экспериментальная установка для исследования

вакуумно-плазменных процессов обработки кварца // автореферат канд. тех. наук. Ижевск, 2009. - 23 с.

99. Ветошкин В.М., Крылов П.Н., Романов Э.А. Исследование влияния

режимов ионно-плазменной обработки на шероховатость подложек из кварца, поликора и ситалла // Вакуумная техника и технология. - 2008. - Т. 18. - № 2. - С. 81-85.

100. МИИ -4. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. ЛОМО. -

1981.

101. Бриггс В., Сих М. П. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской

фотоэлектронной спектроскопии // М.: Мир, 1987. - 598 с.

102. Гильмутдинов Ф.З. Термостимулированные изменения в оксидных

пленках переходных металлов и сплавов на их основе // канд. дисс. Ижевск. ФТИ УрО РАН, 1993. - 189 с.

103. Карлсон Т. Фотоэлектронная иОже-спектроскопия. // Л.:

Машиностроение, 1989. - 344 с.

104. Под ред. Фрименса Л., Вэнника Дж., Декейсера В. Электронная и ионная

спектроскопия твердых тел // М.: Мир, 1981. - 468 с.

105. Нефедов В.И., Черепин В.Т. Физические методы исследования

поверхности твердых тел // М.: Наука, 1983. - 296 с.

106. Методика количественного анализа методом ВИМС. Руководство

пользователя к масс-спектометру МС-7201М // Сумы. - 1987.

107. Алалыкин С.С., Крылов П.Н. Автоматизация серийной установки

рентгеноструктурного анализа ДРОН-3 // Приборы итехника

эксперимента. - 2005. - №2. - C. 149-150.

108. Горелик С.С., Скаков Ю. А., Расторгуев Л. Н. Ренгенографический и

электронно-оптический анализ // М.: МИСИС. 1994.

109. Картотека Международного центра дифракционных данных JCPDS.

110. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу

поликристаллов // Москва, 1961. - 863 с.

145

111. Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгеновский и

электроннооптический анализ // М.: Металлургия, 1970. - 106 с.

112. Богомолова Н.А. Практическая металлография // М.: Высшая школа, 1982.

- 272 с.

113. Binning G., Quate C.F., Gerber C. Atomic Force Microscope // Phys. Rev. Lett.

- 1986. - Vоl. 56. - P. 930-933.

114. Wisendanger. Scanning Probe Microscopy. Analytical Methods // Springer-

Verlag, Berlin, - 2000.

115. Основы сканирующей зондовой микроскопии. / Миронов В.Л. / М.:

Техносфера, 2004. - 143 с.

116. Суслов А.А., Чижик С.А. Сканирующая зондовая микроскопия //

Материалы, технологии, инструменты. -1997. - №3. - С 78.

117. Быков В.А. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии //

Микросистемная техника. - 2000. - № 1. - С. 21.

118. Бахтизин Р.З., Галлямов Р.Р. Физические основы сканирующей зондовой

микроскопии // Уфа: РИО Баш. ГУ. 2003. - 82 с.

119. Грязнов М.Ю. Сысоев А.Н. Чувильдеев В.Н. Лабораторный практикум

«Физика твердого тела» (физические свойства твердых тел)». М.: Высшая школа, 2001. - Т. 2. - 484 с.

120. Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of

amorphous silicon // J. Phys. E: Instrum. - 1983. - Vol. 16. - № 12. - Р. 1214- 1222.

121. Scott S.D., Barnes H.L. Sphalerite-wurtzite equilibria and stoihiometry //

Geochim. Cosmochim. Acta.- 1972. -Vоl. 36. - P. 1275-1295.

122. Касимов Ф.Д., Лютфалибекова А.Э. Расчет упругих механических

напряжений в неоднородных в полупроводниковых структурах // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2002. - № 2. - С. 13-14.

146

123. Коваленко А.В. Гетероэпитаксиальные структуры ZnS_xSe_1-x/GaAs -

получение, физические свойства, применения // Физика и химия твердого

тела. - 2007. - Т.8. - № 3. - С. 622-627.

124. Александров Л.Н., Петросян В.И.. Полупроводниковые пленки для

микроэлектроники // Новосибирск: Наука, 1977. - 248 с.

125. Морозова Н.К., Каретников И.А., Голуб К.В., Данилевич Н.Д., Лисицын

В.М., Олешко В.И. Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS ФТП, -2005. Т. 39. Вып. 5. С. 513-520.

126. Морозова Н.К., Данилевич Н.Д. Особенности спектров

самоактивированной люминесценции CdS(О) спозиции теории

непересекающихся зон // ФТП. - 2010. - Т. 44. - Вып. 4. С. 458-462.

127. Cеттерфильд Ч., Практический курс гетерогенного катализа: Пер. с англ. //

М.: Мир, 1984. -520 с.

128. Иевлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в

тонких пленках. // М.: Металлургия, 1982. -247 с.

129. Нефедов Д.В., Яфаров Р.К. Влияние упругих взаимодействий на

формирование кремниевых нанокристаллитов на некристаллических подложках в плазме СВЧ газового разряда низкого давления // Письма в ЖТФ. - 2007. -Т. 33. -Вып. 7. -С. 26-34.

130. Коновалов В.А., Терпий Д.Н. Кинетика нарастания исвойства

наноструктурных пленок диборида гафния // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79. - Вып. 7. -С. 96-100.

131. Милославский В.К., Набойкина Е.Н., Лебедев В.П., Храмцова В.И.

Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев сульфида и селенида цинка // Украинский физический журнал. - 1969. - Т. 14. - №5. - С. 818-825.

132. Бадалян А.М., Белый В.И., Гельфонд Н.В. и др. Химическое строение и

структура тонких пленок, полученных химическим осаждением из газовой

фазы // Журнал структурной химии. - 2002. - Т. 43. - № 4. - С. 605-628.

147

133. Казанкин О.Н., Марковский Л.Я., Миронов И.А. и др. Неорганические

люминофоры // Л.: Химия, 1975. -192 с.

134. Морозова Н.К., Каретников И.А., Плотниченко В.Г., Гаврищук Е.М.,

Яшина Э.В., Иконников В.Г. Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании // ФТП. - 2004. - Т.38. - Вып. 1. - С. 39- 43.

135. Караксина Э.А.. Получение и свойства поликристаллического сульфида

цинка для ИК оптики (Диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук. Нижний Новгород, 2004). 283 с.

136. Новодворский О.А., Горбатенко Л.С., Панченко В.Я., Храмова О.Д.,

Черебыло Е.А., Венцель К., Барта Й.В., Бублик В.Т. Щербачев К.Д. Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка

легированных галлием. // ФТП. - 2009. - Т. 43. - Вып. 4. - C. 439-444.

137. Георгобиани А.Н. Широкозонные полупроводники А^IIB^IV и перспективы

их применения // Успехи физических наук. - 1974. - Т. 113. - Вып. 1. -С. 129- 155.

138. Ормонд Б.Ф.. Введение в физическую химию и кристаллохимию

полупроводников. // М. Высшая школа, 1973. -655 с.

139. Георгобиани А.Н. Электролюмисценция полупроводников и

полупроводниковых структур // Cоросовский образовательный журнал, Физика. - 2000. - Т. 6. - № 3. - С. 105-111.

140. Крылов П.Н., Валеев Р.Г., Романов Э.А., Структура и свойства тонких

нанокомпозитных пленок ZnSe. //Поверхность. Рентгеновские,

синхротронные и нейтронные исследования, 2007, №1, С. 41-45.

141. Крылов П.Н., Романов Э.А. АСМ - исследования нанокристаллических

пленок ZnS. //Химическая физика и мезоскопия, 2009, Т.11, №2, С. 235- 243.

142. Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Исследования полиморфных

превращений в нанокристаллических пленках сульфида цинка //

Химическая физика и мезоскопия. 2010. Т.12, №3. С.368-371.

148

143. R. Valeev, E. Romanov, A. Deev, A. Beltukov, K. Eliseev, P. Krylov, N.

Mezentsev, V. Kriventsov Synthesis of ZnSe semiconductor nanodots arrays by templadet PVD // Physica Status Solidic 2010, V.7, №6, P.1539-1541.

144. Валеев Р.Г., Деев А.Н., Романов Э.А., Кривенцов В.В., Бельтюков А.Н.,

Елисеев А.А., Напольский К.С., Мезенцев Н.А. Синтез и исследование

структуры упорядоченных массивов наноточек ZnSe // Поверхность.

Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2010, №8, С. 31-34.

145. Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Влияние термоотжига на

структуру нанокристаллических пленок сульфида цинка // Физика и техника полупроводников, 2011, Т.45, Вып.1, С.127-131.

146. Валеев Р.Г., Деев А.Н., Романов Э.А., Кривенцов В.В., Бельтюков А.Н.,

Мезенцев Н.А., Елисеев А.А., Напольский К.С. Синтез и исследование структуры упорядоченных массивов наноточек ZnSe // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2010, №8. С.31-34.

147. Валеев Р.Г., Бельтюков А.Н., Ветошкин В.М., Романов Э.А., Елисеев А.А.

Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe // Журнал технической физики, 2011, Т. 81, Вып. 6, С. 153-155.

148. Валеев Р.Г., Крылов П.Н. Кобзиев В.Ф., Романов Э.А.

Электрофизические и оптические свойства тонких пленок ZnSe в различных структурных состояниях. Вестник удмуртского университета. Физика. Ижевск, 2005, № 4, С. 165-170.

149. Закирова Р.М., Крылов П.Н., Романов Э.А. Влияние температуры синтеза

на структуру пленок селенида цинка. Сборник материалов и программа Четвёртого международного научного семинара «Современные методы

анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия,

электронная микроскопия)», Великий Новгород, 2008 г., С. 96.

149

150. Закирова Р.М., Романов Э.А., Крылов П.Н. Зависимость структуры

пленок селенида цинка от температуры их синтеза. Материалы девятой

российской университетско-академической научно-практической

конференции, Ижевск, 2008, С. 96.

151. Валеев Р.Г., Бельтюков А.Н., Романов Э.А., Ветошкин В.М., Елисеев А.А.

Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных

источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe. Труды 2 -й

Всероссийской конференции с международным Интернет-участием «От нанострукту, наноматериалов и нанотехнологий к наноиндустрии», Ижевск, 7-10 апреля 2009 г., С.23.

152. Валеев Р.Г., Крылов П.Н., Кобзиев В.Ф., Романов Э.А. Получение,

электрофизические и оптические свойства тонких нанокомпозитных пленок ZnSe. Тезисы докладов IV Международной конференции

«Аморфные имикрокристаллические полупроводники», г. Санкт-

Петербург, 3-5 июля 2004 г., С. 385-386.

153. Валеев Р.Г., Деев А.Н., Крылов П.Н., Кобзиев В.Ф., Романов Э.А.,

Пивоварова О.И. Структура и свойства тонких нанокомпозитных пленок ZnSe. Тезисы докладов V Национальной конференции РСНЭ НАНО - 2005, Москва, 14 - 19 ноября 2005 г., С. 192.

154. Валеев Р.Г., Пивоварова О.И., Деев А.Н., Крылов П.Н., Романов Э.А.,

Елисеев А.А. Локальная атомная структура и электрофизические свойства тонких пленок ZnSe аморфно-нанокристаллического состава. Тезисы докладов VI Национальной конференции РСНЭ - 2007, Москва, 12 - 17 ноября 2007 г., С. 324.

155. Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Механические напряжения,

влияющие на структуру нанокристаллических пленок сульфида цинка. Тезисы докладов Международной конференции «Современные проблемы физики поверхностей и наноструктур», Ярославль, 7-11 июня 2010 г., С. О3-10.

150

156. Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Нанокристаллические плёнки

ZnS и ZnSe: синтез, структура. Сборник трудов IX Всероссийской конференции «Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем», Ижевск, 22-26 ноября 2010 г. С. 173-175.

157. Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Структура и свойства

нанокристаллических плёнок сульфида и селенида цинка. Тезисы докладов XIV Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, 6-10 декабря 2010 г. Т. 2, С.192.

151