- •Три основных периода в истории кристаллографии.
- •Понятие о симметричном объекте, симметрическом преобразовании и элементах симметрии. Элементы симметрии I рода.
- •Элементы симметрии II рода. Закон симметрии кристаллов.
- •Понятие о пространственной решётке, её элементы. Определение кристалла, элементы поверхности кристалла.
- •Важнейшие свойства кристаллов. Ретикулярная плотность и скорость роста граней.
- •Понятия о единичных и симметрично равных направлениях. Связь между единичными направлениями и элементами симметрии.
- •Характерные признаки низшей категории и её сингоний по числу единичных направлений и по характерным элементам симметрии.
- •Характерные признаки средней категории и её сингоний по числу единичных направлений и по характерным элементам симметрии.
- •Характерные признаки высшей категории и её сингоний по числу единичных направлений и по характерным элементам симметрии.
- •Теоремы взаимодействия элементов симметрии.
- •Понятие о виде симметрии. Вывод 32 элементов симметрии.
- •Закон постоянства углов. Сферические проекции.
- •Стереографические и гномостереографические проекции.
- •Закон рациональности отношений параметров граней (закон целых чисел) Гаюи. Понятие о кристаллографических осях, параметрах и индексах граней.
- •Взаимоотношения кристаллографических осей и элементов симметрии кристалла. Символы граней.
- •Установка кристаллов низшей категории. Соотношения параметров и углов между кристаллографическими осями.
- •Установка кристаллов средней категории. Соотношения параметров и углов между кристаллографическими осями.
- •Установка кристаллов высшей категории. Соотношения параметров и углов между кристаллографическими осями.
- •Методика определения символов рёбер кристалла и их связь с символами граней кристалла.
- •Простые формы кристаллов низшей категории и их диагностические признаки.
- •Простые формы кристаллов средней категории и их диагностические признаки
- •Простые формы кристаллов высшей категории и их диагностические признаки.
- •Понятие о поясе (зоне) кристалла, об эквивалентных и неэквивалентных особых направлениях. Закон поясов Вейса.
- •Символ пояса 1-2 [001].
- •Символ пояса 3-4 [10].
- •Особенности обозначения групп симметрии по а. Шенфлису.
- •Международные обозначения классов симметрии (символика Германа- Могеля).
- •Параллелепипед повторяемости. Элементарный и неэлементарный параллелепипеды повторяемости (ячейки) пространственной решётки. Примитивные и непримитивные решётки.
- •14 Пространственных типов решёток Браве.
- •Понятие о трансляции. Трансляционные элементы симметрии: плоскость скользящего отражения и винтовые оси.
- •Образование кристаллов в природе. Причины и условия образования кристаллов. Механизмы роста кристаллов.
- •Структурные дефекты в кристаллах.
- •Скульптура граней кристалла. Формы роста кристаллов.
- •Сростки кристаллов: закономерные и незакономерные. Понятие об эпитаксии и двойниках.
- •Координационные числа и полиэдры.
- •Число формульных единиц. Плотнейшие шаровые упаковки в кристаллах.
- •Морфотропия и полимофизм.
- •Политипия и изоморфизм.
Взаимоотношения кристаллографических осей и элементов симметрии кристалла. Символы граней.
Некоторую грань А1В1С1 , пересекающую все три координатные оси, возьмем в качестве единичной грани.
Единичная грань – грань кристалла, параметры которой приняты за единицы измерения.
Отрезок OA1 служит масштабом (единицей) для первой оси X (OI). Отрезок OB1 служит масштабом для второй оси Y (ОII). Отрезок ОС1 соответствует масштабу для третьей оси Z (ОIII). Если задана некоторая грань АxВxСx , то согласно закону целых чисел, имеем :
где р, q, r – целые и обычно небольшие числа.
Однако для числовой характеристики грани АxВxСx во многих отношениях удобнее брать обратные величины.
Эти отношения отвечают символу грани АxВxСx . Приведя дроби к общему знаменателю и взяв отношение между ними (отбросив знаменатели и сократив, если можно, на общего множителя), получим здесь также три целых числа:
OA1 \OAx : OB1 \OBx : OC1\ OCx = h: k: l
где h, k, l – целые и обычно небольшие числа.
Три числа, входящие в символ, называются его индексами.
Совокупность индексов символа грани кристалла принято заключать в круглые скобки без всяких знаков между ними (hkl).
Найдем символ грани А2В2С2 , изображенной на рисунке:
OA1 \OA2 : OB1 \OB2 : OC1 \OC2 = 2 \6 : 3 \4 : 1 \2 = 4: 9: 6
Окончательно символ грани А2В2С2 запишем так: (496).
Для получения символов граней необходимо за координатные оси принять три направления, проходящие через одну точку и параллельные трем ребрам кристалла, а также выбрать единичную грань.
Кристаллографические оси - направления в кристалле, параллельные его ребрам и принятые за координатные оси.
Установка кристалла - выбор кристаллографических осей и единичной грани.
В общем случае первая кристаллографическая ось Х направляется к наблюдателю, вторая ось У лежит более или менее горизонтально и параллельно наблюдателю, третья ось Z ориентируется вертикально.
Символ (111) всегда отвечает единичной грани.
OA1 \OA1 : OB1 \OB1 : OC1 \OC1 = 1:1:1
2) В символе грани, параллельной какой-либо кристаллографической оси, индекс, соответствующий этой оси, равен нулю.
-Пусть грань АxВxСx параллельна первой кристаллографической оси Х. Тем самым ее отрезок по оси X равен бесконечности (ОАх = ∞).
0:OB1\OBХ : OC1\OCХ
-Грань, пересекающая вторую кристаллографическую ось и параллельная двум другим, обладает символом (010). Наконец, грань, параллельная первой и второй кристаллографическим осям и пересекающая лишь третью, получает символ (001).
Пример: разберем модель в форме кирпичика или спичечной коробки. Кристаллографические оси выбираются здесь параллельно трем четверкам взаимно параллельных ребер. Мысленно перенеся начало координат в центр тяжести фигуры, получим расположение осей, изображенное на рисунке.
Согласно вышесказанному, передняя грань характеризуется символом (100). Параллельной ей задней грани соответствует символ (1̅00). Правая грань имеет символ (010), а левая боковые грани имеет символ (01̅0). Верхняя грань имеет символ (001) и нижняя грань символ (001̅).
Операция выбора кристаллографических осей существенно упрощается двумя нижеследующими теоремами.
Теорема 1. Оси симметрии L2, L3, L4, L6, либо совпадают с рядами решеток, либо параллельны им и, следовательно, являются действительными или возможными ребрами кристаллов.
Следствие. Кристаллографические оси можно совмещать с осями симметрии, так как последние соответствуют действительным или теоретически возможным ребрам кристаллов.
Теорема 2. Нормали к плоскостям симметрии либо совпадают с рядами пространственных решеток, либо параллельны им и, следовательно, являются действительными или возможными ребрами кристаллов.
Следствие. Кристаллографические оси можно совмещать с нормалями к плоскостям симметрии, поскольку эти нормали параллельны действительным или возможным ребрам кристаллов.
На основании двух приведенных теорем кристаллографические оси проводятся:
по осям симметрии;
по нормалям к плоскостям симметрии (в случае отсутствия или недостаточного числа осей);
параллельно действительным или возможным ребрам кристаллов (в случае отсутствия или недостаточного числа осей и плоскостей симметрии).