Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
LAB / Электричество.doc
Скачиваний:
30
Добавлен:
28.03.2015
Размер:
4.51 Mб
Скачать

4. Содержание отчета

В отчете должны быть представлены следующие разделы:

  1. Цель работы.

  2. Необходимые для расчетов формулы.

  3. Таблица результатов.

  4. Выводы.

5. Контрольные вопросы

  1. Дайте определение напряженности электростатического поля; потенциала.

  1. Чему равна потенциальная энергия единичного положительного заряда в поле, создаваемом точечным зарядом?

  1. Покажите, что силовые линии напряженности электростатического поля ортогональны эквипотенциальным поверхностям.

4. Как математически связаны потенциал и напряженность поля?

  1. Какое поле называется потенциальным? Является ли поле тяготения потенциальным?

6. Дополнение (УИРС)

  1. Докажите, что эквипотенциальные линии не пересекаются.

  2. Исследуйте электростатическое поле диполя.

Лабораторная работа № 2.3 Определение диэлектрической проницаемости вещества

Цель работы: научиться рассчитывать диэлектрическую проницаемость по результатам измерений мостовым методом электрической емкости конденсатора, содержащего диэлектрическую пластину из исследуемого материала.

Оборудование: мост универсальный измерительный Е74, плоский конденсатор, набор диэлектрических пластин.

1. Краткая теория

Напряженность электростатического поля в данной точке есть векторная физическая величина, определяемая силой, действующей на единичный положительный заряд, помещенный в эту точку поля:

. (3.1)

Направление вектора совпадает с направлением силы, действующей на положительный заряд.

Линии напряженности  линии, касательные к которым в каждой точке совпадают с направлением вектора .Густота силовых линий (т.е. число линий, пересекающих единичную площадку, расположенную нормально к ним) пропорциональна напряженности электрического поля в данной точке (рис.3.1).

Рис. 3.1

Потенциал в какой-либо точке электростатического поля есть скалярная физическая величина, определяемая потенциальной энергией п единичного положительного заряда q, помещенного в эту точку.

 (3.2)

Разность потенциалов двух точек поля - физическая величина, численно равная работе кулоновских сил по перемещению единичного положительного заряда по произвольному пути из одной точки поля в другую, взятая со знаком минус.

.

Электрическая емкость уединенного проводника  характеристика электрических свойств тела - физическая величина, численно равная отношению заряда тела q к потенциалу на его поверхности.

. (3.3)

Емкость плоского конденсатора:

, (3.4)

где q  заряд на одной пластине конденсатора;

 разность потенциалов между пластинами;

S  площадь пластин конденсатора;

d  расстояние между пластинами;

8,85 . 10-12 Ф/м  электрическая постоянная вакуума;

ε – диэлектрическая проницаемость вещества.

Электрический диполь  система двух равных по модулю разноименных точечных зарядов +q и q, расстояние между которыми значительно меньше расстояния до рассматриваемых точек поля.

Плечо диполя  вектор, направленный по оси диполя (прямой, проходящей через оба заряда) от отрицательного заряда к положительному и равный расстоянию между ними.

Дипольный момент  вектор, совпадающий по направлению с вектором плеча диполя и равный произведению заряда q на плечо и определяется формулой

(3.5)

Диэлектрическая проницаемость вещества   скалярная физическая величина, показывающая, во сколько раз электрическое поле в данном веществе меньше, чем в вакууме.

Если пространство между обкладками конденсатора заполнить диэлектриком, то емкость конденсатора возрастает. Обозначим через Со емкость конденсатора без диэлектрика. Тогда при наличии диэлектрика между обкладками конденсатора его емкость будет:

C =  Со (3.6)

Значение диэлектрической проницаемости вещества зависит от природы диэлектрика и от условий, при которых он находится (температура и давление). Для всех веществ 

Рассмотрим, что происходит при введении однородного диэлектрика между пластинами плоского конденсатора. Предположим, что обкладки конденсатора отключены от окружающих тел так, что заряды на них остаются неизменными с поверхностной плотностью 

(3.7)

Из соотношения

(3.8)

видно, что увеличение емкости конденсатора должно произойти вследствие уменьшения разности потенциалов между пластинами. Уменьшение разности потенциалов происходит из-за ослабления напряженности электростатического поля между ними, так как

. (3.9)

Рассмотрим причины ослабления напряженности поля между обкладками конденсатора. Заряды в диэлектрике могут смещаться из своих положений равновесия лишь на малые расстояния, порядка атомных. Например, диэлектрик состоит из электрически нейтральных молекул. Под действием приложенного электрического поля центр тяжести электронов в молекуле немного смещается относительно центра тяжести атомных ядер. Молекула становятся электрическим диполем c электрическим моментом, определяемым формулой (3.5).

Первую группу диэлектриков (напр., N2, H2, O2, CO2) составляют вещества, молекулы которых имеют симметричное строение, то есть “центры тяжести” положительных и отрицательных зарядов в отсутствие внешнего электрического поля совпадают и, следовательно, дипольный момент молекулы р равен нулю. Молекулы таких диэлектриков называются неполярными. Под действием внешнего электрического поля заряды неполярных молекул смещаются в противоположные стороны (положительные по полю, отрицательные против поля) и молекула приобретает дипольный момент.

Вторую группу диэлектриков (такие, как H2O, SO2, CO) составляют вещества, молекулы которых имеют асимметричное строение, т.е. "центры тяжести" положительных и отрицательных зарядов не совпадают. Таким образом, эти молекулы в отсутствии внешнего электрического поля обладают определенным дипольным моментом. Молекулы таких диэлектриков называются полярными. При отсутствии внешнего поля дипольные моменты полярных молекул вследствие теплового движения ориентированы в пространстве хаотично и их результирующий момент в среднем равен нулю. Если такой диэлектрик поместить во внешнее поле, то силы этого поля будут стремиться повернуть диполи вдоль поля и возникает отличный от нуля результирующий дипольный момент.

Третью группу диэлектриков составляют твердые кристаллические вещества, молекулы которых имеют ионное строение (напр., NaCl, KСl, KBr). Ионные кристаллы представляют собой пространственные решетки с правильным чередованием ионов разных знаков. В этих кристаллах нельзя выделить отдельные молекулы, их можно рассматривать как систему двух вдвинутых одна в другую ионных подрешеток. При наложении на ионный кристалл электрического поля происходит относительное смещение подрешеток, приводящее к возникновению дипольных моментов.

Таким образом, внесение диэлектриков во внешнее электрическое поле приводит к возникновению отличного от нуля результирующего электрического момента диэлектрика, или иными словами, к поляризации диэлектрика.

Поляризацией диэлектрика называется процесс ориентации диполей или появления под действием электрического поля ориентированных по полю диполей.

Соответственно трем группам диэлектриков различают три вида поляризации:

  • электронная, или деформационная, поляризация диэлектрика с неполярными молекулами, заключающаяся в возникновении у атомов индуцированного дипольного момента за счет деформации электронных орбит;

  • ориентационная, или дипольная, поляризация диэлектрика с полярными молекулами, заключающаяся в ориентации имеющихся дипольных моментов молекул по полю;

  • ионная поляризация диэлектриков с ионными кристаллическими решетками, заключающаяся в смещении подрешетки положительных ионов вдоль поля, а отрицательных - против поля, приводящем к возникновению дипольных моментов.

При помещении диэлектрика во внешнее электростатическое поле он поляризуется, т. е. приобретает отличный от нуля дипольный момент , где - дипольный момент одной молекулы. Для количественного описания поляризации диэлектрика пользуются векторной величиной - поляризованностью, определяемой как дипольный момент единицы объема диэлектрика:

. (3.10)

Для большого класса диэлектриков поляризованность линейно зависит от напряженности поля.

. (3.11)

Коэффициент пропорциональности в этой формуле представляют в виде произведения двух величин:

. (3.12)

Здесь  - диэлектрическая восприимчивость вещества, характеризующая способность диэлектрика поляризоваться приложенным электрическим полем, безразмерная положительная величина. Чем больше значение диэлектрической восприимчивости, тем сильнее поляризуется вещество в электрическом поле.

Рис. 3.2 Диэлектрик между пластинами плоского конденсатора

Для установления количественных закономерностей поля в диэлектрике внесем в однородное внешнее электростатическое поле Еo, создаваемое двумя бесконечными параллельными разноименно заряженными плоскостями, пластинку из однородного диэлектрика, расположив ее так, как показано на рис.3.2.

Под действием поля диэлектрик поляризуется, т.е. происходит смещение зарядов: положительные смещаются по полю, отрицательные против поля. В результате этого на правой грани диэлектрика, обращенного к отрицательно заряженной плоскости, будет избыток положительного заряда с поверхностной плотностью ', на левой грани – избыток отрицательного заряда с поверхностной плотностью '. Эти нескомпенсированные заряды, появляющиеся в результате поляризации диэлектрика, называются связанными, или поляризационными. Появление связанных зарядов приводит к возникновению дополнительного электрического поля Е’ (создаваемого связанными зарядами), которое направлено против внешнего поля Ео (создаваемого свободными зарядами) и ослабляет его. Результирующее поле внутри диэлектрика:

Е = Ео  Е' (3.13)

Поле Е' = 'поле, созданное двумя бесконечными заряженными плоскостями), поэтому

Е = Ео  ' 3.4

Определим поверхностную плотность связанных зарядов ’. Полный дипольный момент пластинки диэлектрика

Pv = P V = P S d

где S - площадь грани пластинки, d - её толщина.

С другой стороны, полный дипольный момент равен произведению связанного заряда каждой грани Q = '.S на расстояние d между ними, т.е.

p = ' . S . d

Таким образом,

P . S . d = ' . S . d

или

' = P (3.15)

т.е. поверхностная плотность связанных зарядов 'численно равна поляризованности P.

Подставив в (3.14) выражения (3.15) и (3.12), получим Е = Ео -  Е, откуда напряженность результирующего поля внутри диэлектрика равна

Е Ео/Ео/ (3.16)

Безразмерная величина называется относительной диэлектрической проницаемостью среды. Она показывает, во сколько раз поле ослабляется диэлектриком и, таким образом, количественно характеризует свойство диэлектрика поляризоваться во внешнем электрическом поле.