2 курс 1 часть / электроника / лекции / Электроника УрТИСИ +

Коллекторная характеристика Iк = ƒ(Uкб,Iэ) для схемы включения ОБ

Переход К-Б включен в обратном направлении, чему соответствует обратная ветвь p-n-перехода.

Наряду с этим Iк = α·Iэ,			α ≤ 1
Iк	Нормальный		′″		Iэ
	активный режим		Iэ	″	′	> 0
		′″		> Iэ >
		Iэ
		″
		Iэ
		′
		Iэ	Пробой
			Iэ = 0
		Iкбо Uкб				251

Входная характеристика Iэ = ƒ(Uэб,Uкб)

Переход Э-Б включен в прямом направлении, чему соответствует пряма ветвь p-n-перехода.

U

I пр I 0 e T

Iэ	t=60oC	Uкб > 0
		20 oC Uкб = 0

Iкбо

Uэб

252

3.4 ВАХ схемы включения общий эмиттер (ОЭ)

В этом случае эмиттер является общим как для входной цепи так и для выходной.

Iб	К
+	Б
Uбэ	Э
─	Iэ

Iб – управляющий ток,

IК +

IК – управляемый ток.

Uкэ

─ IЭ = IК + Iб

253

Определим ток коллектора применительно к схеме ОЭ.

В уравнение IК = α·IЭ +Iкбо									подставим значение тока
Iэ = Iк + Iб. После преобразований получим
IК =			α		·Iб +				Iкбо
		1 ─ α						1 ─ α
Обозначим		α		= В			Iкбо			= Iкэ о
	1	─ α
						1			─ α

В – статический коэффициент передачи тока базы

IК = В·Iб + Iкэо

Iкэо - сквозной ток транзистора

Транзисторы

IК = В·Iб + Iкэо

Ток Iкэо << IК

				IК = В·Iб
	В =	IK		В =	α			α =		В
					1 ─	α
									В + 1
		Iб
	Если α = 0,99, то			В ≈ 100.

Это означает, что ток коллектора в 100 раз больше тока базы.

ВАХ схемы общий эмиттер

Коллекторные характеристики Iк = ƒ(Uкэ,Iб) ток базы является параметром.

IК = В∙Iб

IК	″		60	ºС
	Iб				′″	>	″	>	′
					Iб		Iб		Iб

I′″

б

Iб″ 20 ºС

Iб′

Iб = 0 Рк.доп

Iкэо	Uкэ	255

Iк мА

Iб = 40 μА

∆Iб = 20 μА

∆Iк

Iб = 20 μА

			∆Uк
+		+	+		Uкэ В
5		10	15
∆Iк				*		∆Uк
В = ∆Iб
	*	В		rк = ∆Iк
	rк =		= кОм
		мА

ВАХ схемы общий эмиттер

Коллекторные характеристики Iк = ƒ(Uкэ,Iб)

мА	IК,
15	IБ = 200 мкА
	IБ = 150 мкА
10	IБ = 100 мкА

5					IБ = 50 мкА
					IБ = 0
0	2	4	6	8	10 UКЭ, В

253

Входная характеристика Iб = ƒ(Uбэ,Uкэ)

Переход Б - Э включен в прямом направлении, чему соответствует пряма ветвь p-n-перехода.

Iб

Iб2

∆Iб

Iб1

Iкб0

t=60oC Uкэ = 0 Uкэ > 0

20 oC ∆Iб = ( Iб2 Iб1)

rдиф = ∆Uбэ

∆Iб

Uбэ

∆Uбэ

259

Входная характеристика Iб = ƒ(Uбэ,Uкэ)

мА IБ UКЭ = 0 В UКЭ = 1 В

0,4

0,3

0,2

UКЭ = 5 В

0,1

0		0,8 В UБЭ
0,4	0,6

260