2 курс 1 часть / электроника / лекции / Электроника УрТИСИ +
.pdf
В знаковых индикаторах каждый диод представлен сегментом. Из семи сегментов составляются цифры и часть букв.
Система управления (дешифратор)
209
Большими возможностями обладают индикаторы в виде матриц точечных элементов.
Например, знаковый индикатор АЛС340А состоит из 35 точечных элементов. Элементы расположены в 5 колонках и 7 рядах.
210
•Что такое светодиод? http://www.radiodetali.com/article/all/led-faq.htm
211
Когерентное излучение
_ _ |
ε |
|
hν |
∆ε – ширина |
|
запрещенной зоны |
||
|
||
|
_ |
При определенных условиях в полупроводнике существует система возбужденных и невозбужденных уровней, находящихся в тепловом равновесии.
Путем сильного возбуждения электронов они могут быть переведены в свободную зону.
212
Возбужденные электроны скапливаются возле дна свободной зоны, а дырки – у потолка валентной зоны.
Дополнительную энергию электроны получают оптическим излучением или инжекцией через p-n-переход с помощью электрического тока.
213
Если возбужденную систему облучить световым потоком с энергией
hν < ∆ε
то энергия не будет поглощаться.
Если подводимая энергия больше энергии ширины запрещенной зоны, то произойдет поглощение дополнительной энергии с последующим излучением.
214
Процесс взаимодействия кванта света с возбужденным электроном таков, что фотоны возбуждения оказываются в фазе с квантами света, т.е. излучение является когерентным.
Для получения направленного пучка излучения используют световые резонаторы, систему зеркал, систему полированных поверхностей кристалла.
В полупроводниковых оптических квантовых генераторах - лазерах дополнительная энергия электронам обеспечивается с помощью электрического тока.
215
В последнее время были разработаны полупроводниковые источники белого излучения.
В них использованы приборы, использующие гетеропереходы. Это такие переходы, в которых
р- и n-структуры имеют различную ширину запрещенной зоны.
На их основе созданы преобразователи инфракрасного излучения в видимое.
194
Обратно смещенный |
|
|
|
|
Прямо смещенный |
||||
переход |
|
|
|
|
|
|
|
переход |
|
Инфракрасное |
|
|
|
|
|
|
|
Видимое излучение |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
излучение |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
λ = 0.9 мкм |
||
λ = 1.5 мкм |
|
|
|
GaAs |
GaAs |
|
|||
|
Ge |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
||||||
+U |
|
n- |
|
|
p- |
n- |
|
- U |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
217
Когерентное излучение
218