- •11.Основные законы гидродинамики.Уравнение неразрывности струи
- •26.Торема гаусса и применение
- •27.Электрическое поле заряженной плоскости плоскость
- •28.Электрическое поле заряженной сферы сфера
- •29.Электрическое поле заряженной нити
- •30.Диэлектрики в электрическом поле .Явление поляризации диэлектриков
- •31.Постоянный электрический ток.Закон Ома и Джоуля-Ленца
- •32.Правило Киргофа
- •33.Магнитное поле.Понятие о магнитной индукции.ЗаконБио-саввара –лапаса
- •34.Магнитное поле прямого тока.Магнитное поля кругового тока.
- •35.Понятие магнитного потока.Сила Ампера
- •36.Закон полного тока
- •37.Уравнение Максвелла
- •§1.3. Второе уравнение Максвелла.
- •§1.4. Третье уравнение Максвелла. Закон сохранения заряда.
- •§1.5. Четвертое уравнение Максвелла.
- •38.Волны и их виды.Уравнение плоской волны.Энергия волны
- •39.Звуковые волны их характеристики.
- •40.Явление интерференции.Усл. Макс и мин
- •41.Примеры интерференции света.Меьод Юнга, в тонких пленках, кольца Ньютона
- •43.Дифракция света.Зоны Френеля
- •43.Дифракционная решетка.Угловая и линейная дисперсия.Разрешающая способность
- •44.Явление поляризации свтеа.ЗаконыБрюстера, Малюса
- •45.Двойноелучеприломление света
- •46.Тепловое излучение тела.Законыкиргофа, стефана-больцмана и вина
- •47.Ультрафиолетовая катастрофа, формула планка, квантовая природа излучения
- •48.Основы голографии.Получ. Голографич. Изображ. И их воспроизв.
- •49.Внешний фотоэффект.Уравн. Энштейна для фотоэфекта.Многофотонныйвнешн. Эффект.
- •50.Внутренний фотоэффект
- •51.Рентгеновские лучи, методы получения.Эффекткомптона.Давление света
- •52.Атом резерфорда –бора.Энергия атома водорода и водородоподобных атомов
- •53.Спектры излучения и поглощения атома водорода
- •54.Корпускулярно-волновой дуализм.Гипотеза де-бройля
- •55.Соотношение неопределенностей
- •56.Уравнение шреденгера.Волновая функция и ее физ. Смысл
- •57.Квантование энергии электрона в потенциальной яме.
- •58.Квантовые генераторы.Принцип работы
- •59.Основы зонной теории вещ-ва-проводники, диэлектрики полупрводники
- •60.Собственная и примесная проводимость полупроводников
- •61.Пи-н переход.Свой-ва
- •62.Полупроводниковый диод.Транзистор.Принцип работы
- •63.Строение ядра атома.Деффектмассы,энергия связи
- •64.Явление радиоактивности.З.Радиоактивного распада
- •65.Алфа бетта гамма распады
- •66.Ядерная реакция.Энергия ядерных реакций
49.Внешний фотоэффект.Уравн. Энштейна для фотоэфекта.Многофотонныйвнешн. Эффект.
Внешний фотоэффект - это фотоэффект, при котором электроны, выбитые светом, вылетают за пределы вещества.
Явление внешнего фотоэффекта открыто в 1887 г. Герцем, а детально исследовано Столетовым. Теория фотоэффекта на основе квантовых представлений создана Эйнштейном.
Явление фотоэффекта получило широкое практическое применение. Приборы, в основе принципа действия которых лежит фотоэффект, называются фотоэлементами.
Многофотонный фотоэффект возможен, если интенсивность света очень большая (например, при использовании лазерных пучков). При этом электрон, испускаемый металлом, может одновременно получить энергию не от одного, а от нескольких фотонов.
Первые фундаментальные исследования фотоэффекта выполнены русским ученым А.Г. Столетовым. Принципиальная схема для исследования фотоэффекта приведена на рис. 2.1.
|
|
|
| |||
|
Рис. 2.1 |
Рис. 2.2 |
|
|
Два электрода (катод К из исследуемого материала и анод А, в качестве которого Столетов применял металлическую сетку) в вакуумной трубке подключены к батарее так, что с помощью потенциометра R можно изменять не только значение, но и знак подаваемого на них напряжения. Ток, возникающий при освещении катода монохроматическим светом (через кварцевое стекло), измеряется включенным в цепь миллиамперметром.
В 1899 г. Дж. Дж. Томпсон и Ф. Ленард доказали, что при фотоэффекте свет выбивает из вещества электроны.
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) фотоэффекта – зависимость фототока I, образуемого потоком электронов, от напряжения, – приведена на рис. 2.2.
Такая зависимость соответствует двум различным энергетическим освещенностям катода (частота света в обоих случаях одинакова). По мере увеличения U фототок постепенно возрастает, т.е. все большее число фотоэлектронов достигает анода. Пологий характер кривых показывает, что электроны вылетают из катода с различными скоростями.
Максимальное значение фототока насыщения определяется таким значением напряжения U, при котором все электроны, испускаемые катодом, достигают анода:
|
|
|
|
где n – число электронов, испускаемых катодом в 1 с.
Из ВАХ следует, при U = 0 фототок не исчезает. Следовательно, электроны, выбитые из катода, обладают некоторой начальной скоростью υ, а значит и отличной от нуля кинетической энергией, поэтому они могут достигнуть катода без внешнего поля. Для того, чтобы фототок стал равным нулю, необходимо приложить задерживающее напряжение . При ни один из электронов, даже обладающий при вылете из катода максимальной скоростью , не может преодолеть задерживающего поля и достигнуть анода. Следовательно,
50.Внутренний фотоэффект
Внутренний фотоэффект - это фотоэффект, при котором оторванные от своих атомов или молекул электроны остаются внутри освещаемого вещества в качестве свободных.
Широкое распространение получил второй вид управляющих устройств - фоторезисторы, в которых используется явление внутреннего фотоэффекта, или фотопроводимости. Под действием внешнего излучения многие полупроводники ( сернистый висмут, сернистый кадмий и др.) увеличивают число электронов проводимости. Первичные электроны проводимости, сталкиваясь с атомами кристаллической решетки, вызывают дополнительный вторичный поток электронов. В результате величина сопротивления полупроводника значительно уменьшается.
В фоторезисторах, имеющих большую по сравнению с другими фотоэлементами чувствительность в инфракрасной области спектра, используется явление внутреннего фотоэффекта, заключающееся в следующем. При освещении полупроводника ( сернистый висмут, селен, сульфид кадмия, сернистый калий и др.) в нем увеличивается число электронов проводимости. Первичные электроны проводимости, сталкиваясь с атомами кристаллической решетки, вызывают вторичный поток электронов, что приводит к значительному уменьшению ( в сотни раз) сопротивления фоторезистора. Это позволяет получить на выходе ток до нескольких миллиампер.