- •11.Основные законы гидродинамики.Уравнение неразрывности струи
- •26.Торема гаусса и применение
- •27.Электрическое поле заряженной плоскости плоскость
- •28.Электрическое поле заряженной сферы сфера
- •29.Электрическое поле заряженной нити
- •30.Диэлектрики в электрическом поле .Явление поляризации диэлектриков
- •31.Постоянный электрический ток.Закон Ома и Джоуля-Ленца
- •32.Правило Киргофа
- •33.Магнитное поле.Понятие о магнитной индукции.ЗаконБио-саввара –лапаса
- •34.Магнитное поле прямого тока.Магнитное поля кругового тока.
- •35.Понятие магнитного потока.Сила Ампера
- •36.Закон полного тока
- •37.Уравнение Максвелла
- •§1.3. Второе уравнение Максвелла.
- •§1.4. Третье уравнение Максвелла. Закон сохранения заряда.
- •§1.5. Четвертое уравнение Максвелла.
- •38.Волны и их виды.Уравнение плоской волны.Энергия волны
- •39.Звуковые волны их характеристики.
- •40.Явление интерференции.Усл. Макс и мин
- •41.Примеры интерференции света.Меьод Юнга, в тонких пленках, кольца Ньютона
- •43.Дифракция света.Зоны Френеля
- •43.Дифракционная решетка.Угловая и линейная дисперсия.Разрешающая способность
- •44.Явление поляризации свтеа.ЗаконыБрюстера, Малюса
- •45.Двойноелучеприломление света
- •46.Тепловое излучение тела.Законыкиргофа, стефана-больцмана и вина
- •47.Ультрафиолетовая катастрофа, формула планка, квантовая природа излучения
- •48.Основы голографии.Получ. Голографич. Изображ. И их воспроизв.
- •49.Внешний фотоэффект.Уравн. Энштейна для фотоэфекта.Многофотонныйвнешн. Эффект.
- •50.Внутренний фотоэффект
- •51.Рентгеновские лучи, методы получения.Эффекткомптона.Давление света
- •52.Атом резерфорда –бора.Энергия атома водорода и водородоподобных атомов
- •53.Спектры излучения и поглощения атома водорода
- •54.Корпускулярно-волновой дуализм.Гипотеза де-бройля
- •55.Соотношение неопределенностей
- •56.Уравнение шреденгера.Волновая функция и ее физ. Смысл
- •57.Квантование энергии электрона в потенциальной яме.
- •58.Квантовые генераторы.Принцип работы
- •59.Основы зонной теории вещ-ва-проводники, диэлектрики полупрводники
- •60.Собственная и примесная проводимость полупроводников
- •61.Пи-н переход.Свой-ва
- •62.Полупроводниковый диод.Транзистор.Принцип работы
- •63.Строение ядра атома.Деффектмассы,энергия связи
- •64.Явление радиоактивности.З.Радиоактивного распада
- •65.Алфа бетта гамма распады
- •66.Ядерная реакция.Энергия ядерных реакций
61.Пи-н переход.Свой-ва
p-n-Перехо́д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двухполупроводниковp-иn-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковыхдиодов,триодови других электронных элементов с нелинейнойвольт-амперной характеристикой.
В полупроводнике p-типа концентрация дырокнамного превышает концентрациюэлектронов. В полупроводнике n-типа концентрация электронов намного превышает концентрацию дырок. Если между двумя такими полупроводниками установить контакт, то возникнет диффузионный ток — носители заряда, хаотично двигаясь, перетекают из той области, где их больше, в ту область, где их меньше. При такой диффузии электроны и дырки переносят с собой заряд. Как следствие, область на границе станет заряженной, и область в полупроводнике p-типа, которая примыкает к границе раздела, получит дополнительный отрицательный заряд, приносимый электронами, а пограничная область в полупроводнике n-типа получит положительный заряд, приносимый дырками. Таким образом, граница раздела будет окружена двумя областями пространственного заряда противоположного знака.
Электрическое поле, возникающее вследствие образования областейпространственного заряда, вызывает дрейфовый ток в направлении, противоположном диффузионному току. В конце концов, между диффузионным и дрейфовым токами устанавливается динамическое равновесие и перетекание зарядов прекращается.
62.Полупроводниковый диод.Транзистор.Принцип работы
олупроводниковый диод — полупроводниковый приборс одним электрическим переходом и двумя выводами (электродами). В отличие от других типовдиодов, принцип действия полупроводникового диода основывается на явленииp-n-перехода.
Транзи́стор (англ.transistor), полупроводниковый триод — радиоэлектронныйкомпонент изполупроводниковогоматериала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора - изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде.
база (затвор), эмиттер и коллектор (Рис.2). Управление током в выходной цепи осуществляется либо за счет изменения входного тока, либо входного напряжения. При этом даже небольшое варьирование входных величин может приводить к существенному изменению выходного напряжения и тока. Принцип работы транзистора во многом похож на принцип действия такого известного всем устройства, как рупор. Достаточно произнести что-нибудь перед его узким отверстием, направив широкое в сторону другого человека, стоящего в нескольких десятках метров, и голос, усиленный рупором, будет хорошо слышен вдалеке. Вот так и в случае транзистора – если пропустить через участок “база – эмиттер” слабый ток, он будет усилен транзистором в десятки и даже сотни раз, а усиленный ток потечет через участок “коллектор – эмиттер”. Это явление связанно с тем, что внешние электрические поля и токи могут изменять плотность носителей заряда в полупроводнике и оказывать существенное влияние на его электропроводность.