Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

23тв

.pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
19.04.2015
Размер:
353.07 Кб
Скачать

23 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ ТВЕРДОГО ТІЛА

23 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ ТВЕРДОГО ТІЛА

ЗВЕДЕННЯ ОСНОВНИХ ФОРМУЛ

23.1 Молярна внутрішня енергія хімічно простих (що складаються з однакових атомів) твердих тіл у класичній теорії теплоємності визначається формулою

UM =3RT ,

де R – газова стала; T – термодинамічна температура. 23.2 Теплоємність тіла при сталому об’ємі визначається

першою похідною від внутрішньої енергії U за температурою, тобто

C = dUdT .

23.3 Закон Дюлонга і Пті. Молярна теплоємність CM хімічно простих твердих тіл визначається співвідношенням

CM =3R .

23.4 Закон Неймана-Коппа. Молярна теплоємність хіміч-

но складних тіл (що складаються із різних атомів) дорівнює

132

23 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ ТВЕРДОГО ТІЛА

CM = n 3R ,

де n – загальна кількість частинок у хімічній формулі спо-

луки.

23.5 Середнє значення енергії <Е> квантового осциля-

тора, що припадає на один ступінь вільності, у квантовій теорії Ейнштейна визначається за формулою

W =W0

+

 

hω

,

 

 

 

exp

(hω kT )1

 

 

 

де W0 – нульова енергія,

або енергія при T = 0

(W0 =12 hω); ω - циклічна частота коливань осцилятора;

k– стала Больцмана; T – термодинамічна температура.

23.6Молярна внутрішня енергія кристала у квантовій теорії теплоємності Ейнштейна визначається співвідношенням

UM =UM 0 +3R exp (θθEE T )1 ,

де UM 0 = 32 RθE - молярна нульова енергія за теорією Ейн-

штейна; θE = hωk - характеристична температура Ейнштейна.

23.7 Молярна теплоємність кристала у квантовій теорії теплоємності Ейнштейна дорівнює

θ

2

exp (θE

T )

 

 

CM = 3R

E

 

 

 

 

 

 

 

.

 

(

E

 

)

 

2

T

T

 

 

exp

θ

 

 

1

 

 

133

23 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ ТВЕРДОГО ТІЛА

При низьких температурах (T <<θE ):

CM =3R θTE 2 exp (θE T ).

23.8 Частотний спектр коливань у квантовій теорії теп-

лоємності Дебая задається функцією розподілу частот g(ω). Кількість dZ власних частот тіла, які припадають на інтервал від ω до ω+dω, визначається виразом

dZ = g(ω)dω .

Для тривимірного кристала, який містить N атомів:

dZ = ω93N ω2 dω ,

max

де ωmax – максимальна частота, яка обмежує спектр коли-

вань.

23.9 Молярна внутрішня енергія кристала за теорією Дебая дорівнює

 

 

 

 

T

3 θD T

x

3

 

 

UM

=UM ,0

+3RT 3

 

 

0

 

 

dx ,

 

exp (x)1

 

 

 

 

θD

 

134

23 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ ТВЕРДОГО ТІЛА

де UM ,0 = 98 RθD - молярна нульова енергія кристала за тео-

рією Дебая; θD = hωmax k - характеристична температура Дебая;

x = hkTω .

23.10 Молярна теплоємність кристала за теорією Дебая визначається співвідношенням

 

 

 

T

3 θD

T

x3dx

 

3

(θD

T1 )

CM

= 3R 12

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

.

θ

 

e

x

1

 

θD T1

1

 

 

 

D

0

 

 

 

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В області низьких температур (T <<θD ) остання формула набуває вигляду

 

 

12π

4

 

T

3

CM

=

 

R

.

5

 

 

 

 

 

 

θD

23.11Енергія ε фонона пов’язана з циклічною частотою

ωколивань класичної хвилі співвідношенням

ε= hω .

23.12Квазіімпульс фонона

p= 2π hλ .

23.13Швидкість фонона є груповою швидкістю звукових хвиль у кристалі:

135

23 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ ТВЕРДОГО ТІЛА

u = dWdp .

При малих значеннях енергії фонона дисперсією хвиль можна знехтувати, і тоді групова та фазова швидкості однакові:

u = v =W p .

23.14 Швидкості поздовжніх vl та поперечних vt хвиль

у кристалі визначаються за формулами:

vl = Eρ , vt = Gρ ,

де E і G - модулі відповідно повздовжньої та поперечної пружності (модуль Юнга та модуль зсуву); ρ - густина тіла.

ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТВЕРДИХ ТІЛ

23.15 Закони Ома і Джоуля-Ленца у диференціальній формі мають вигляд:

j =γ E , ωP =γ E2 ,

де j - густина струму; ωP - об’ємна густина теплової потужності; γ - питома провідність; E - напруженість електрич-

ного поля.

23.16 Питома електрична провідність визначається спів-

відношенням

136

23 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ ТВЕРДОГО ТІЛА

γ =

1

e2n l

,

 

2

m u

 

де e і m - заряд і маса електрона;

n - концентрація елект-

ронів; l - середня довжина їх вільного пробігу; u - середня

швидкість хаотичного руху електронів.

23.17 Закон Відемана - Франца має вигляд

λ = 3 k2 T , γ e2

де λ - теплопровідність; γ - питома електропровідність;

k- стала Больцмана.

23.18Розподіл Фермі за енергіями для вільних електронів

уметалі має вигляд:

-

при T 0

1

 

 

2m 3 2

 

 

 

ε1 2dε

 

 

 

dn(ε)

=

 

 

 

 

 

 

 

;

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

2π

2

 

h

exp

ε ε

F )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kT +1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(

 

 

-

при T = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dn(ε)

=

 

1

 

 

2m 3 2

ε

1 2

dε

(при ε <εF ),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2π

2

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

h

 

 

 

 

 

 

 

 

 

де dn(ε ) - концентрація електронів, енергія яких міститься

в інтервалі значень від ε

до ε +dε ; m і ε - маса та енергія еле-

ктрона; εF - рівень (або енергія) Фермі.

23.19 Енергія рівня Фермі в металі при T = 0 визначається співвідношенням

137

23 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ ТВЕРДОГО ТІЛА

εF = 2hm2 (3π2n)2 3 ,

де n – концентрація вільних носіїв.

23.20 Температура Tв виродження електронного газу до-

рівнює

Tв = 2πkmh2 n2 3 .

23.21 Питома електропровідність власних напівпровід-

ників визначається за формулою

γ = en(μn +μp ),

де e -

заряд електрона;

n - концентрація носіїв заряду

(електронів та дірок);

μn і μp - рухливості електронів та дірок.

23.22 Концентрація вільних носіїв у власному напівпро-

віднику дорівнює

 

 

 

 

 

 

 

 

ni = pi

 

2(2πkT mnmp )3 2

 

W

 

 

=

 

 

 

exp

 

,

 

 

h

3

 

 

 

 

 

 

2kT

 

де mn ,

mp - ефективні маси електронів та дірок;

W - ши-

рина забороненої зони матеріалу.

23.23 Концентрація вільних носіїв у домішковому напівпровіднику дорівнює

138

23 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ ТВЕРДОГО ТІЛА

n =

2

(2πmnkT )3 2

 

W

 

 

 

 

 

exp

a

 

,

 

h

3

 

 

 

 

 

2kT

 

де Wa - енергія активації атомів домішки.

23.24 Залежність питомої електропровідності власного напівпровідника від температури визначається за формулою

γ =γ0

 

W

,

exp

 

 

 

 

2kT

 

де W - ширина забороненої зони матеріалу; γ0 - стала, на

значення якої температура практично не впливає.

23.25 Положення рівня Фермі у власному напівпровід-

нику визначається співвідношенням

εF

= −

W

+

3

kT ln

mp

.

2

4

mn

 

 

 

 

 

 

 

23.26 Сила струму у p-n-переході

 

 

 

 

I = I0 exp eU

 

1 .

 

 

 

 

kT

 

 

 

 

де I0 - струм насичення; U – зовнішня напруга на переході.

139

23 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ ТВЕРДОГО ТІЛА

ПРИКЛАДИ РОЗВ’ЯЗАННЯ ЗАДАЧ

Приклад 23.1 Визначити кількість теплоти

Q , необхідну

для нагрівання кристала NaCl масою m = 20 г

на T = 2 K у

двох випадках,

коли нагрівання відбувається від температури:

а) T1 =θD ; б) T2

= 2 K . Характеристична температура Дебая для

NaCl дорівнює θD = 320 K .

Q ?

m = 20 г = 0, 2 кг,

T = 2 K, T1 =θD , T2 = 2 K,

θD =320 K,

R =8,31 мольДжК ,

M =58,5 103 кг моль.

Розв’язання

Кількість теплоти Q , необхідну для нагрівання тіла від температури T1 до T2 , можна підрахувати за формулою

T2

 

Q = CdT ,

(1)

T1

 

де C - теплоємність тіла. Теплоємність тіла пов’язана з

молярною теплоємністю CM співвідношенням

C = Mm CM ,

де m - маса тіла; M - молярна маса. Тоді вираз (1) набуде вигляду

Q =

m T2

CM dT .

(2)

 

 

M T

 

 

 

 

1

 

 

140

23 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ ТВЕРДОГО ТІЛА

У загальному випадку CM є функцією температури, тому її

не можна виносити за знак інтеграла. Але у випадку а) зміною теплоємності у порівнянні з її значенням при температурі T1

можна знехтувати і вважати, що на всьому інтервалі T вона є сталою. З урахуванням вищевикладеного формула (2) набуде вигляду

 

 

 

 

 

Q =

m

C

M

T .

 

 

 

(3)

 

 

 

 

 

M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Молярна теплоємність за теорією Дебая

 

 

 

 

 

 

T

3 θD T x3dx

 

3(θD

T1 )

 

CM

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x

 

 

 

θD T1

 

,

= 3R 12

θ

 

 

e

1

1

 

 

 

 

D

0

 

 

 

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

де x = hkTω .

У першому випадку при T1 =θD із таблиці інтегралів знаходимо

 

θD T

3

1

3

dx

 

 

 

 

 

0

x

dx

= 0

x

0, 225 ,

 

ex

1

ex

1

тоді

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 1

 

CM

=3R 12

1 0, 225

 

 

 

= 2,87 R .

1

 

 

 

 

 

 

 

 

e

1

 

Підставимо значення CM у співвідношення (3) та отрима-

ємо

141

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]