6. Определение искажений входной и выходной цепей на верхних частотах

Емкость перехода база-коллектор :пФ

Постояннаявремени транзистора:

нс

Постоянная времени выходной и входной цепи:

,

где пФ

нс

Время нарастанияфронтаимпульса

нс

нс

«суммарное» время нарастания

нс

7.Сквозная динамическая характеристика каскада и коэффициентгармоник

Сквознаядинамическая характеристика строится по даннымтаблицы2.

Рис.4 Сквознаядинамическая характеристика

Амплитуды гармоник:

Коэфициент гармоник

8. Расчет температурного ухода коллекторного тока

Рассчитаем величину относительной нестабильности тока коллектора:

,

где – абсолютное изменение тока коллектора при изменении температуры кристалла транзистора; – абсолютное изменение напряжения база–эмиттер при изменении температуры перехода на величину ; – абсолютное изменение обратного тока коллекторного перехода при изменении температуры; , – коэффициенты, учитывающие работу схемы эмиттерной стабилизации тока коллектора транзистора; – общее сопротивление в цепи базы; и – g-параметры транзистора в рабочей точке при комнатной температуре;- максимальная температура перехода.

Средняя мощность при усилении импульсного сигнала:

Вт

Максимальная температура перехода транзистора:

град

Минимальная температура перехода:

град

Величину определяем по типовой нормированной зависимости обратного тока коллекторного перехода от температуры, приведенной на рис.5, где – обратный ток коллектора при температуре перехода ; – обратный ток коллектора при комнатной температуре (обычно указывается в справочнике); зависимость 1 соответствует кремниевым транзисторам малой мощности (); зависимость 2 соответствует кремниевым транзисторам средней мощности .

Рис.5. Типовые нормированные зависимости обратного тока коллекторного перехода от температуры

Для , значит мкА.

Для , значит мкА

мкА

В

Ом

Параметры и , усредненные за время действия импульса,найдем используя справочные параметры и :

мСм

А/В

Относительная нестабильность не превышает величину 0.25, значит рабочая точка и элементы стабилизации её положения выбраны верно.

9. Распределение искажений нижних частот

Величина разделительной емкости:

где - сопротивления слева и справа от соответствующей разделительной емкости.

Дляэто и входное сопротивление каскада с учетом делителя в цепи базы.Дляэто и параллельное включение выходного сопротивления транзистора () и .

Ом

Ф=мкФ

принимаем 20мкФ

Ф=8.4мкФ

принимаем 10 мкФ

10. Расчет переходной характеристики в области малых времен

Нормированная переходная характеристика в области малых времен описывается выражением:

где нс

Рис.6. Переходная характеристика

11. Заключение

Задача №2

Принципиальная схема двухкаскадного усилителя, где оба каскада охвачены последовательной отрицательной обратной связью по напряжению, при­ведена на рис.7.

Рис.7. Усилитель с последовательной ООСпо напряжению.

Часть выходного напряжения посредством делителя напряжения и подается во входную цепь первого каскада последова­тельно и в противофазе с входным сигналом. Кроме этой глубокой обратной связи, охватывающей два каскада усилителя, в схеме имеются местные об­ратные связи: первый каскад охвачен последовательной отрица­тельной обратной связью по току, а во втором каскаде имеет место параллельная отрицательная обратная связь по напряжению как по переменной, так и по постоянной составляющим через резистор .

U_ос=U_вых(R_э1/ R_э1+R_ос).

Рис. 8. Усилитель с параллельной обратной связью по току.

В схеме усилителя рис. 8 присутствует общая отрицательная обратная связь по току. Ток нагрузки, протекая через сопротивлениесоздает на нем падение напряжения, которое через резистор подается во входную цепь первого каскада параллельно и в противофазе с входным сигналом..