2-ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
.docМинистерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования
«БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»
Кафедра электроники
ОТЧЕТ
по лабораторной работе № 2
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Выполнил: студент гр. 010702
Киндель С.Г.
Проверил:
Бельский А.Я
Минск 2011
-
Цель работы
-
Изучить устройство, режим работы, принцип действия, схемы вклю-
чения и классификацию биполярных транзисторов (БТ).
-
Экспериментально исследовать статические ВАХ транзисторов и
определить дифференциальные параметры в заданной рабочей точке.
2. Принципиальные схемы установок для исследования ВАХ БТ
Рис. 1 Схема установки для исследования ВАХ БТ с ОЭ
3. Результаты экспериментальных исследований
Максимальный ток, который может проходить через базу: I*б = 0,2 мА
Семейство входных характеристик транзистора
Iб , мА |
Uбэ , В |
Uкэ , В |
0 |
0 |
0 |
0,1 |
0,08 |
|
0,3 |
0,14 |
|
0,6 |
0,2 |
|
0 |
0 |
5 |
0,1 |
0,12 |
|
0,3 |
0,2 |
|
0,6 |
0,26 |
|
0 |
0 |
10 |
0,1 |
0,15 |
|
0,3 |
0,23 |
|
0,6 |
0,3 |
Семейство выходных характеристик транзистора
Iк , мА |
Uкэ , В |
Iб , мА |
0 |
0 |
0,06 |
1,6 |
0,5 |
|
1,9 |
1 |
|
2 |
5 |
|
2,1 |
10 |
|
0 |
0 |
0,12 |
3 |
0,5 |
|
4,2 |
1 |
|
4,8 |
5 |
|
5 |
10 |
|
0 |
0 |
0,2 |
6 |
0,5 |
|
8 |
1 |
|
9 |
5 |
|
10 |
10 |
Семейство характеристик транзистора прямой передачи по току
Iк , мА |
Iб , мА |
Uкэ , В |
0 |
0 |
0 |
3 |
0,1 |
|
5 |
0,15 |
|
7,4 |
0,2 |
|
8,2 |
0,25 |
|
8 |
0,3 |
|
0 |
0 |
5 |
4 |
0,1 |
|
6 |
0,15 |
|
8,4 |
0,2 |
|
9,2 |
0,25 |
|
9 |
0,3 |
Семейство характеристик транзистора обратной связи по напряжению
Uбэ , В |
Uкэ , В |
Iб , мА |
0,08 |
0 |
0,06 |
0,14 |
1 |
|
0,16 |
2 |
|
0,16 |
5 |
|
0,16 |
10 |
|
0,1 |
0 |
0,12 |
0,16 |
1 |
|
0,18 |
2 |
|
0,18 |
5 |
|
0,18 |
10 |
|
0,12 |
0 |
0,2 |
0,18 |
1 |
|
0,2 |
2 |
|
0,2 |
5 |
|
0,2 |
10 |
Семейство выходных характеристик транзистора в инверсном режиме
Iэ , мА |
Uэк , В |
Iб , мА |
0 |
0 |
0,06 |
1 |
1 |
|
2 |
2 |
|
2,1 |
3 |
|
2,2 |
5 |
|
0 |
0 |
0,12 |
2 |
1 |
|
4 |
2 |
|
4,1 |
3 |
|
4,2 |
5 |
|
0 |
0 |
0,2 |
3 |
1 |
|
6 |
2 |
|
6,1 |
3 |
|
6,2 |
5 |
4. Расчет дифференциальных h-параметров БТ
Рабочая точка: , .
Для инверсного режима:
Рабочая точка: , .
5. Выводы
В ходе работы изучили устройство n-p-n транзистора с общим эмиттером, режимы его работы (прямой и инверсный), также принцип действия и схему включения в электрическую цепь. По окончанию работы предоставили статические ВАХ транзистора, а также рассчитали дифференциальные параметры для разных режимов работы в заданной точке.