Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методичні вказівки_ОЕ.doc
Скачиваний:
10
Добавлен:
12.05.2015
Размер:
1.19 Mб
Скачать

2.2. Розрахунок вхідних та вихідних потужностей

Змінна потужність вихідного кола визначається виразом

,

де – відповідно амплітудні значення струму і напруги колектора.

Для визначення тана вихідній динамічній характеристиці визначаємо розмахи перших гармонік змінних складових вихідного струму і напруги по проекціям робочої ділянки ні осі координат (рис. 2.1) і ділимо отримані значення на два.

На вихідних характеристиках будуємо трикутник корисної потужності (заштрихований) .

Потужність по постійній складовій вихідного кола (потужність, що виділяється в транзисторі в режимі спокою) визначається виразом

.

Дана потужність не повинна перевищувати максимально припустиму потужність , яка є одним з параметрів транзистора (наведена в довідниках).

Повна потужність, що споживається в колекторному колі визначається виразом:

.

Змінна потужність вхідного кола визначається виразом

,

де – відповідно амплітудні значення струму і напруги бази.

Значення тавизначаємо по вхідній динамічній характеристиці аналогічнота.

Потужність по постійній складовій вхідного кола визначається виразом

.

2.3. Розрахунок характеристик підсилювального каскаду

Коефіцієнт підсилення по струму:

.

Для схеми зі спільним емітером приймає значення 10…100.

Коефіцієнт підсилення по напрузі:

.

Для схеми зі спільним емітером приймає значення приймає значення порядка 100.

Коефіцієнт підсилення по потужності:

або

Для схеми зі спільним емітером приймає значення до 10 000.

Коефіцієнт корисної дії вихідного кола:

.

2.4. Розрахунок резистивного дільника бази, резистора, що використовується для подачі зміщення на базу, розділових конденсаторів

Опір резистора RБ, що використовується для подачі зміщення на базу, визначається за формулою:

.

Опори резисторів в резистивному дільнику бази визначаються за формулами:

,

де =(5...10).

.

Ємність розділового конденсатора для схеми з резистором RБ визначається за формулою:

,

де – найнижча робоча частота;.

Ємність розділового конденсатора для схеми з резистивним дільником бази визначається за формулою:

,

де .

Ємність конденсатора, який шунтує джерело живлення колектора:

.

2.5. Розрахунок h-параметрів транзистора

Транзистор у загальному випадку являє собою активний нелінійний чотириполюсник. Згідно теорії чотириполюсників, співвідношення між струмами і напругами на вході і виході чотириполюсника можуть бути записані у вигляді:

Коефіцієнти , що входять до цих рівнянь, називаютьсяпараметрами транзистора, а про систему говорять, що вона записана в форміпараметрів. На сьогоднішній деньпараметри найбільш поширені при розрахунках транзисторних низькочастотних схем. Вони легко визначаються експериментально, а також графічно по статичним характеристикам транзистора.

Кожний із цих параметрів має певний фізичний зміст.

Зокрема, параметр являє собою величинувхідного опору транзистора при короткому замиканні на виході і вимірюється в омах:

.

визначають по вхідній характеристиці транзистора, що відповідає напрузі .

Параметр називаєтьсякоефіцієнтом зворотнього зв'язку і дорівнює відношенню вхідної напруги до вихідної при розімкненому вхідному колі:

.

визначають по вхідним характеристикам транзистора.

Параметр називається коефіцієнтом підсилення по струму і дорівнює відношенню вихідного струму до вхідного при короткозамкненому виході:

.

визначають по вихідним характеристикам транзистора.

Параметр являє собоювихідну провідність транзистора при розімкнутих вхідних затискачах і вимірюється в мкСм:

.

визначають по вихідним характеристикам транзистора.