- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •ВВЕДЕНИЕ
- •Часть I. ПРОБОЙ ГАЗОВ
- •Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде
- •1.1. Законы сохранения энергии при столкновении атомных частиц
- •1.2. Интегральные характеристики столкновения
- •1.3. Энергия взаимодействия атомных частиц
- •1.4. Подвижность заряженных частиц
- •1.5. Диффузия заряженных частиц
- •1.6. Возбуждение и ионизация атомов и молекул
- •1.7. Термическая ионизация
- •1.8. О возможности ионизации газа ионами
- •1.9. Рекомбинация заряженных частиц
- •1.10. Термоэлектронная, автоэлектронная, взрывная эмиссия. Фотоэффект на катоде
- •1.11. Элементы кинетического уравнения для электронов
- •Глава 2. Теория пробоя Таунсенда
- •2.1. Первый коэффициент Таунсенда
- •2.2. Прилипание электронов к атомам и молекулам. Отрыв электронов от отрицательных ионов
- •2.3. Второй коэффициент Таунсенда
- •2.4. Электронная лавина
- •2.5. Условие самостоятельности разряда. Закон Пашена
- •2.6. Отступления от закона Пашена
- •2.7. Время разряда
- •Глава 3. Пробой газа в различных частотных диапазонах
- •3.1. СВЧ-пробой
- •3.2. ВЧ-пробой
- •3.3. Оптический пробой
- •Глава 4. Искровой разряд в газах
- •4.1. Наблюдения за развитием разряда в ионизационной камере
- •4.2. Схемы развития лавинно-стримерных процессов
- •4.3. Граница таунсендовского и стримерного разрядов
- •4.4. Пробой газов в наносекундном диапазоне времени
- •4.5. Длинная искра, разряд в виде молнии
- •4.6. Главный разряд
- •Глава 5. Самостоятельные разряды в газах
- •5.1. Тихий разряд
- •5.2. Тлеющий разряд
- •5.3. Дуговой разряд
- •5.4. Коронный разряд
- •5.5. Разряд по поверхности твердого диэлектрика
- •5.6. Зависимость пробивного напряжения газа от межэлектродного расстояния
- •Список литературы к разделу «Пробой газов»
- •Часть II. ПРОБОЙ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •Глава 1. Тепловой пробой твердых диэлектриков
- •1.1. Теория теплового пробоя Вагнера
- •1.2. Другие теории теплового пробоя
- •Глава. 2. Классические теории электрического пробоя
- •2.1. Теория Роговского. Разрыв ионной кристаллической решетки
- •2.2. Разрыв твердого диэлектрика по микротрещине. Теория Горовица
- •2.3. Теория А. Ф. Иоффе
- •2.4. Теория А.А. Смурова. Теория электростатической ионизации
- •Глава 3. Квантово-механические теории электрического пробоя неударным механизмом
- •3.1. Теория Зинера. Теория безэлектродного пробоя
- •3.2. Теория Фаулера. Пробой электродного происхождения
- •3.3. Теория Я.И. Френкеля. Теория термической ионизации
- •Глава 4. Теории пробоя твердых диэлектриков вследствие ударной ионизации электронами
- •4.1. Теории Хиппеля и Фрелиха
- •4.2. Теории пробоя, основанные на решении кинетического уравнения. Теория Чуенкова
- •4.3. Некоторые замечания по теориям пробоя, основанных на рассмотрении механизма ударной ионизации электронами
- •Глава 5. Экспериментальные данные, укладывающиеся в представления о пробое твердых диэлектриков ударной ионизацией электронами
- •5.1. Стадии пробоя твердых диэлектриков
- •5.2. Развитие разряда в однородном и неоднородном полях в твердых диэлектриках
- •5.3. Эффект полярности при пробое в неоднородном электрическом поле
- •5.4. Влияние материала электродов на пробой твердых диэлектриков
- •5.5. Зависимость времени разряда от толщины диэлектрика. Формирование многолавинно-стримерного механизма разряда
- •Глава 6. Процессы, наблюдаемые в диэлектриках в области сверхсильных электрических полей
- •6.1. Электрическое упрочнение
- •6.2. Электронные токи в микронных слоях ЩГК в сильных электрических полях
- •6.3. Свечение в микронных слоях ЩГК
- •6.4. Дислокации и трещины в ЩГК перед пробоем
- •Глава 7. Другие теории пробоя твердых диэлектриков
- •7.2. Энергетический анализ электрической прочности твердых диэлектриков по теории Ю.Н. Вершинина
- •7.4. Термофлуктуационная теория разрушения твердых диэлектриков электрическим полем В.С. Дмитревского
- •7.5. Особенности пробоя полимерных диэлектриков. Теория электрического пробоя Артбауэра
- •7.6. Теория электромеханического пробоя Старка и Гартона
- •Глава 8. Некоторые особенности и закономерности электрического пробоя твердых диэлектриков
- •8.1. Статистический характер пробоя твердых диэлектриков
- •8.2. Минимальное пробивное напряжение
- •8.3. Неполный пробой и последовательный пробой
- •8.4. Кристаллографические эффекты при пробое кристаллов
- •8.5. Зависимость электрической прочности от температуры
- •8.6. Зависимость электрической прочности от времени воздействия напряжения
- •8.7. Пробой диэлектрических пленок
- •8.8. Формованные системы металл–диэлектрик–металл (МДМ)
- •8.9. Заключение по механизму электрического пробоя твердых диэлектриков
- •Глава 9. Электрохимический пробой
- •9.1. Электрическое старение органической изоляции
- •9.2. Кратковременное пробивное напряжение
- •9.3. Старение бумажной изоляции
- •9.4. Старение неорганических диэлектриков
- •Список литературы к разделу «Пробой твердых диэлектриков»
- •Часть III. ПРОБОЙ ЖИДКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •Глава 1. Пробой жидкостей высокой степени очистки
- •1.1. Проводимость жидких диэлектриков
- •1.2. Пробой жидкостей вследствие ударной ионизации электронами
- •1.3. Пробой жидкостей неударным механизмом
- •Глава 2. Пробой жидких диэлектриков технической очистки
- •2.1. Влияние влаги
- •2.2. Влияние механических загрязнений
- •2.3. Влияние газовых пузырьков
- •2.4. Теории теплового пробоя жидких диэлектриков
- •2.5. Вольтолизационная теория пробоя жидких диэлектриков
- •2.6. Влияние формы и размеров электродов, их материала, состояния поверхности и расстояния между ними на пробой жидкостей
- •2.7. Развитие разряда и импульсный пробой в жидкостях
- •2.8. Влияние ультразвука на электрическую прочность
- •2.9. Внедрение разряда в твердый диэлектрик, погруженный в изолирующую жидкость
- •Список литературы к разделу «Пробой жидких диэлектриков»
- •ОГЛАВЛЕНИЕ
Часть II. Глава 2. Классические теории электрического пробоя
Епр = 4 |
σ |
, |
(2.9) |
|
ελ |
|
|
где σ – коэффициент поверхностного натяжения.
Из приведенного выражения следует, что при увеличении глубины трещины пробивная напряженность поля уменьшается, а с увеличением силы поверхностного натяжения будет возрастать. При λ = 10-5 см для кристалла NаСl получается значение Епр = 2.108 В/м, близкое к экспериментальному.
Из выражений для механической прочности по Гриффитсу и пробивной напряженности поля по Горовицу вытекает простая связь меж-
ду этими характеристиками |
|
|||
Ркр |
= |
Еμε |
, |
|
Епр |
2π(1 + μ) |
|
||
|
|
|
||
где μ – коэффициент Пуассона. |
(2.10) |
|||
Вычисления, проведенные ими для некоторых неорганических ди- |
||||
электриков, |
показали, что измеренные и вычисленные значения Епр |
достаточно близки. Однако из этого еще нельзя утверждать, что механизм, предложенный Горовицем, является достаточно вероятным, т.к. до настоящего времени отсутствуют экспериментальные данные, которые бы устанавливали связь глубины трещины и электрической прочности. Кроме того, для некоторых диэлектриков, в которых микротрещины могут отсутствовать (стекло, полимеры, сера и др.), электрическая прочность имеет такой же порядок 108 В/м. Все это показывает на несостоятельность предположения о решающем значении микротрещин при ЭПТД.
2.3.Теория А. Ф. Иоффе
В1928 г. академик А.Ф. Иоффе выдвинул гипотезу, что ЭПТД обусловлен ударной ионизацией ионами. Основанием для предложения такой гипотезы послужили данные, полученные в экспериментах, проведенных в 20-х годах под руководством А.Ф. Иоффе. В них было показано, что электропроводность твердых диэлектриков носит ионный характер. В этих экспериментах также было показано, что в отдельных местах твердого диэлектрика может скапливаться объемный заряд, вызывающий неравномерное распределение потенциала по толщине диэлектрика. Так, в кальците объемный заряд скапливается вблизи катода
вслое толщиной около 1 мкм, и на этот слой приходится почти все
приложенное к образцу напряжение, достигающее 1000 В, т.е. напряженность поля в прикатодном слое составила 109 В/м, тогда как электрическая прочность кальцита в более толстых слоях менее 108 В/м.
107
Часть II. Глава 2. Классические теории электрического пробоя
Этот факт А.Ф. Иоффе истолковал как наличие электрического упрочнения, которое может быть следствием механизма пробоя вследствие ударной ионизации ионами. Математическая часть теории А.Ф. Иоффе довольно проста.
Пусть nо – плотность ионов в диэлектрике, освобождающихся за время 1с, способных перемещаться и при ускорении производить ударную ионизацию. В результате ионизации концентрация ионов будет возрастать. Дополнительное число ионов, образующихся в слое dx за
счет ионизации, составит |
|
|
||||
dn =αnоdx . |
|
|
|
(2.11) |
||
Общее число ионов, образующихся на каком-то расстоянии х от |
||||||
электрода: |
|
|
|
|
|
|
nx = no eα x |
= no eх/ λ . |
|
(2.12) |
|||
Здесь α – коэффициент ударной ионизации. |
x = d , очевидно, |
|||||
Концентрация ионов у второго электрода когда |
||||||
равна: |
d |
|
|
|
|
|
|
no |
|
|
|
|
|
n = |
∫ed / λdx = no λ (ed / λ −1), |
|
(2.13) |
|||
d |
|
|||||
|
0 |
|
d |
|
|
|
где d – расстояние между электродами. |
|
|||||
Если принять, что за время t =1с скорость υ = d / 1, то плотность |
||||||
тока |
|
|
λ (ed / λ −1)= j |
λ (ed / λ −1), |
|
|
j = qn υ = qdn |
(2.14) |
|||||
|
|
ср |
|
о d |
o d |
|
где jo = qdno .
Принимая, что ион ускоряется без потерь энергии и вызывает ионизацию, когда его энергия равна энергии ионизации Wи , Иоффе полу-
чает |
|
d |
= |
qU |
= z , где U |
– напряжение, приложенное к диэлектрику, |
|
|
λ |
и |
W |
||||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
и |
|
|
|
z – число ионизаций, производимых одним ионом на пути d . |
|||||||
|
Тогда |
|
|
||||
|
j = j 1 ( еz −1) . |
(2.15) |
|||||
|
|
|
|
o z |
|
|
А.Ф. Иоффе считает, что при z = 15÷20 диэлектрик будет серьезно разрушен, что отождествляется с пробоем. Следовательно, условие
пробоя – |
z = const , т.е. Uпр = const и тогда |
|
||
Εпр |
= |
сonst |
. |
(2.16) |
|
||||
|
|
d |
|
108
Часть II. Глава 2. Классические теории электрического пробоя
Так, из теории А.Ф. Иоффе вытекала обязательность электрического упрочнения. Однако основные положения теории А.Ф. Иоффе в свое время были подвергнуты сомнению. Действительно, для ионизации необходима энергия в несколько электрон-вольт. Чтобы набрать такую энергию, ион должен пройти в поле 108 В/м без столкновения несколько сот постоянных решетки, что считается невозможным. Для набора такой энергии на пути в одну постоянную решетку требуется поле ~1010 В/м, что на два порядка превосходит экспериментально наблюдаемые значения электрической прочности твердых диэлектриков. Кроме того, ионный характер пробоя не соответствует высоким значениям скорости развития разряда (107 см/с), полученным экспериментально несколько позднее советскими исследователями А.Ф. Вальтером и Л.Д. Инге.
Тщательные исследования, проведенные А.П. Александровым и А.Ф. Иоффе показали, что электрическое упрочнение для слюды толщиной в несколько мкм очень незначительно (несколько процентов), а для стекла той же толщины вообще не наблюдается, т.е. можно говорить, что электрическое упрочнение отсутствует. Все, вместе взятое, было воспринято как свидетельство того, что электрический пробой твердых диэлектриков не связан не только с движением ионов, но и с механизмом ударной ионизации.
2.4. Теория А.А. Смурова. Теория электростатической ионизации
Первую попытку развить представления А.Ф. Иоффе предпринял в 1928 г. известный советский ученый, крупный специалист в области электротехники профессор А.А. Смуров. Отмечая невозможность развития ударной ионизации ионами согласно теории А.Ф. Иоффе, он предположил, что пробой твердых диэлектриков связан с ионизацией электронами, которые образуются в сильных электрических полях за счет электростатической ионизации. Такие сильные поля могут возникать в тонких приэлектродных слоях за счет того, что отрицательные заряды на катоде и положительные заряды на поверхности диэлектрика, прилегающей к катоду, как бы образуют двойной электрический слой.
Освободившиеся при электростатической ионизации электроны движутся к аноду, по пути производя ударную ионизацию. На фронте движущегося электронного облака напряженность поля усилена, благодаря чему происходит дополнительная электростатическая ионизация. Образующийся в результате ионизационных процессов положительный объемный заряд вызывает перераспределение поля и его возрастание, что также усиливает электростатическую ионизацию. При
109
Часть II. Глава 2. Классические теории электрического пробоя
приближении напряженности электрического поля к критической величине электронный ток быстро возрастает и наступает пробой.
А.А. Смуров, используя классические методы, подсчитал, что для отрыва электрона от атома водорода при температуре абсолютного нуля необходима напряженность поля 7.5 1010 В/м. Небольшое снижение этой величины дает учет влияния температуры и магнитных полей движущихся по орбитам электронов в соседних атомах. Таким образом, согласно теории А.А. Смурова, для пробоя диэлектрика необходима напряженность поля более 1010 В/м, что не согласуется с данными эксперимента.
Однако идея А.А. Смурова об электростатической ионизации оказалась плодотворной и использовалась впоследствии многими исследователями с учетом зонной энергетической структуры твердого тела. Идеи об усилении напряженности поля на фронте электронной лавины и на катоде за счет подхода положительно заряженных частиц впоследствии использовались при рассмотрении разрядных процессов в газах и твердых диэлектриках.
110