- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •ВВЕДЕНИЕ
- •Часть I. ПРОБОЙ ГАЗОВ
- •Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде
- •1.1. Законы сохранения энергии при столкновении атомных частиц
- •1.2. Интегральные характеристики столкновения
- •1.3. Энергия взаимодействия атомных частиц
- •1.4. Подвижность заряженных частиц
- •1.5. Диффузия заряженных частиц
- •1.6. Возбуждение и ионизация атомов и молекул
- •1.7. Термическая ионизация
- •1.8. О возможности ионизации газа ионами
- •1.9. Рекомбинация заряженных частиц
- •1.10. Термоэлектронная, автоэлектронная, взрывная эмиссия. Фотоэффект на катоде
- •1.11. Элементы кинетического уравнения для электронов
- •Глава 2. Теория пробоя Таунсенда
- •2.1. Первый коэффициент Таунсенда
- •2.2. Прилипание электронов к атомам и молекулам. Отрыв электронов от отрицательных ионов
- •2.3. Второй коэффициент Таунсенда
- •2.4. Электронная лавина
- •2.5. Условие самостоятельности разряда. Закон Пашена
- •2.6. Отступления от закона Пашена
- •2.7. Время разряда
- •Глава 3. Пробой газа в различных частотных диапазонах
- •3.1. СВЧ-пробой
- •3.2. ВЧ-пробой
- •3.3. Оптический пробой
- •Глава 4. Искровой разряд в газах
- •4.1. Наблюдения за развитием разряда в ионизационной камере
- •4.2. Схемы развития лавинно-стримерных процессов
- •4.3. Граница таунсендовского и стримерного разрядов
- •4.4. Пробой газов в наносекундном диапазоне времени
- •4.5. Длинная искра, разряд в виде молнии
- •4.6. Главный разряд
- •Глава 5. Самостоятельные разряды в газах
- •5.1. Тихий разряд
- •5.2. Тлеющий разряд
- •5.3. Дуговой разряд
- •5.4. Коронный разряд
- •5.5. Разряд по поверхности твердого диэлектрика
- •5.6. Зависимость пробивного напряжения газа от межэлектродного расстояния
- •Список литературы к разделу «Пробой газов»
- •Часть II. ПРОБОЙ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •Глава 1. Тепловой пробой твердых диэлектриков
- •1.1. Теория теплового пробоя Вагнера
- •1.2. Другие теории теплового пробоя
- •Глава. 2. Классические теории электрического пробоя
- •2.1. Теория Роговского. Разрыв ионной кристаллической решетки
- •2.2. Разрыв твердого диэлектрика по микротрещине. Теория Горовица
- •2.3. Теория А. Ф. Иоффе
- •2.4. Теория А.А. Смурова. Теория электростатической ионизации
- •Глава 3. Квантово-механические теории электрического пробоя неударным механизмом
- •3.1. Теория Зинера. Теория безэлектродного пробоя
- •3.2. Теория Фаулера. Пробой электродного происхождения
- •3.3. Теория Я.И. Френкеля. Теория термической ионизации
- •Глава 4. Теории пробоя твердых диэлектриков вследствие ударной ионизации электронами
- •4.1. Теории Хиппеля и Фрелиха
- •4.2. Теории пробоя, основанные на решении кинетического уравнения. Теория Чуенкова
- •4.3. Некоторые замечания по теориям пробоя, основанных на рассмотрении механизма ударной ионизации электронами
- •Глава 5. Экспериментальные данные, укладывающиеся в представления о пробое твердых диэлектриков ударной ионизацией электронами
- •5.1. Стадии пробоя твердых диэлектриков
- •5.2. Развитие разряда в однородном и неоднородном полях в твердых диэлектриках
- •5.3. Эффект полярности при пробое в неоднородном электрическом поле
- •5.4. Влияние материала электродов на пробой твердых диэлектриков
- •5.5. Зависимость времени разряда от толщины диэлектрика. Формирование многолавинно-стримерного механизма разряда
- •Глава 6. Процессы, наблюдаемые в диэлектриках в области сверхсильных электрических полей
- •6.1. Электрическое упрочнение
- •6.2. Электронные токи в микронных слоях ЩГК в сильных электрических полях
- •6.3. Свечение в микронных слоях ЩГК
- •6.4. Дислокации и трещины в ЩГК перед пробоем
- •Глава 7. Другие теории пробоя твердых диэлектриков
- •7.2. Энергетический анализ электрической прочности твердых диэлектриков по теории Ю.Н. Вершинина
- •7.4. Термофлуктуационная теория разрушения твердых диэлектриков электрическим полем В.С. Дмитревского
- •7.5. Особенности пробоя полимерных диэлектриков. Теория электрического пробоя Артбауэра
- •7.6. Теория электромеханического пробоя Старка и Гартона
- •Глава 8. Некоторые особенности и закономерности электрического пробоя твердых диэлектриков
- •8.1. Статистический характер пробоя твердых диэлектриков
- •8.2. Минимальное пробивное напряжение
- •8.3. Неполный пробой и последовательный пробой
- •8.4. Кристаллографические эффекты при пробое кристаллов
- •8.5. Зависимость электрической прочности от температуры
- •8.6. Зависимость электрической прочности от времени воздействия напряжения
- •8.7. Пробой диэлектрических пленок
- •8.8. Формованные системы металл–диэлектрик–металл (МДМ)
- •8.9. Заключение по механизму электрического пробоя твердых диэлектриков
- •Глава 9. Электрохимический пробой
- •9.1. Электрическое старение органической изоляции
- •9.2. Кратковременное пробивное напряжение
- •9.3. Старение бумажной изоляции
- •9.4. Старение неорганических диэлектриков
- •Список литературы к разделу «Пробой твердых диэлектриков»
- •Часть III. ПРОБОЙ ЖИДКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •Глава 1. Пробой жидкостей высокой степени очистки
- •1.1. Проводимость жидких диэлектриков
- •1.2. Пробой жидкостей вследствие ударной ионизации электронами
- •1.3. Пробой жидкостей неударным механизмом
- •Глава 2. Пробой жидких диэлектриков технической очистки
- •2.1. Влияние влаги
- •2.2. Влияние механических загрязнений
- •2.3. Влияние газовых пузырьков
- •2.4. Теории теплового пробоя жидких диэлектриков
- •2.5. Вольтолизационная теория пробоя жидких диэлектриков
- •2.6. Влияние формы и размеров электродов, их материала, состояния поверхности и расстояния между ними на пробой жидкостей
- •2.7. Развитие разряда и импульсный пробой в жидкостях
- •2.8. Влияние ультразвука на электрическую прочность
- •2.9. Внедрение разряда в твердый диэлектрик, погруженный в изолирующую жидкость
- •Список литературы к разделу «Пробой жидких диэлектриков»
- •ОГЛАВЛЕНИЕ
Часть II. Глава 3. Квантово-механические теории электрического пробоя неударным механизмом
ного участка незаметно. Кроме того, вычисления Ф.Ф. Волькенштейна показали, что в щелочногалоидных кристаллах при полях 108 В/м W =0.01÷0.1 эВ, тогда как W =7÷10 эВ. Следует отметить, что вычисления Ф.Ф. Волькенштейна носят ориентировочный характер, т.к. рассматриваются при температуре абсолютного нуля. Кроме того, необходимо учитывать, что на поверхности катода могут быть микроострия, на кончике которых напряженность поля может значительно превышать среднюю напряженность поля Еср . Поэтому микроострия мо-
гут оказывать существенную роль в развитии пробоя.
Несмотря на указанные недостатки, механизм туннелирования электронов из катода в диэлектрик объясняет появление свободных электронов в диэлектрике, которые ускоряясь в электрическом поле, могут привести к пробою.
3.3. Теория Я.И. Френкеля. Теория термической ионизации
Известный советский теоретик Я.И. Френкель подверг критике теорию зонной структуры твердого тела и в особенности применимость ее к твердым диэлектрикам. Эти замечания Я.И. Френкеля достаточно подробно излагаются в книге Г.И. Сканави [1]. Основываясь на этих замечаниях, Я.И. Френкель считает возможным рассматривать твердое тело как сильно сжатый газ. Это дает основания считать, что
энергетические состояния электронов в атоме твердого диэлектрика остаются такими же, как и в изолированном атоме (рис. 3.3).
Электрическое поле искажает потенциальную кривую электрона (пунктирные линии). В результате этого энергетический барьер уменьшается до величины W и приобретает конечную ширину r0. Вследствие этого увеличивается вероятность просачивания электрона за пределы атома. Этот эффект приводит к электростатической ионизации, т.е. «туннельному»
пробою зинеровского типа. |
ВС’ определяет- |
||
Положение максимума потенци-ального барьера |
|||
|
e2 |
|
|
ся равенством |
|
≈ eEro . Отсюда величина |
r0 определяется |
|
|||
|
ε∞ro |
|
116
Часть II. Глава 3. Квантово-механические теории электрического пробоя неударным механизмом
r |
= |
q , где ε |
∞ |
– диэлектрическая проницае-мость, обусловленная |
о |
|
ε∞Е |
|
|
|
|
|
|
поляризацией электронного смещения.
Высота потенциального барьера зависит от длины отрезка СС’,
равной W' = 2e |
eE . Тогда |
|
|
|
ε∞ |
|
|
W =W − |
W ' =W − 2q eE . |
(3.15) |
|
i |
i |
ε∞ |
|
|
|
|
По мнению Френкеля, электрон покидает атом за счет получения энергии в результате тепловых флуктуаций. Этот механизм освобождения электронов получил название термической ионизации, облегченной электрическим полем.
Вероятность такой ионизации в единицу времени при приложении электрического поля
|
W |
− 2e |
eE |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
||||
i |
|
|
|
|
||
p = v exp − |
|
КТ |
ε∞ |
, |
(3.16) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где v – частота колебаний электрона или число его попыток пре-
одолеть потенциальный барьер в единицу времени, равная
Wi / h ≈1015 с-1.
Плотность электронного тока, обусловленного этой термической ионизацией,
|
|
|
W |
− 2e |
eE |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
Nv |
ε∞ |
|
|
||||
j = nqμE = qμE |
i |
|
, |
(3.17) |
||||
A |
ехр − |
|
2КТ |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где N – плотность атомов (ионов); А – коэффициент рекомбинации.
Например, расчеты, проведенные В.А. Чуенковым для кристалла NаС1, дают следующее. При Т = 600 °К Е = 108 В/м, N 1023 см-3,
Wi = 9.6 эВ, ε∞ = 2.5, μ = 10 см2/В с, А = 10-8 см3/с, получается плот-
ность тока j 10-28 А/см2, т.е. далеко не достаточная для разрушения кристалла.
Строго говоря, следовало бы критерий пробоя сформулировать по-иному: пробой произойдет тогда, когда величина W − W (E) ста-
117
Часть II. Глава 3. Квантово-механические теории электрического пробоя неударным механизмом
нет настолько малой, что плотность тока туннелирующих электронов достигнет разрушающей величины ~10 А/см2.
Однако механизм Френкеля, возможно, ответствен за ионизацию примесей, у которых W i – небольшая величина, и, таким образом, обу-
словливает появление в диэлектрике первоначальных электронов. Таким образом, рассмотренные в данном разделе механизмы по-
явления свободных электронов неударным путем не могут явиться основной причиной пробоя диэлектрика, но объясняют появление первоначальных электронов, которые затем могут принять участие в пробое.
118