3.5 Анализ полученных данных

Для удобства сравнения и анализа данных проведенных экспериментов и расчетов полученные результаты с целью обобщения занесем в таблицы 4 и 5.

Таблица 4

Параметры рабочих точек А и В на прямых ветвях ВАХ
Тип диода	Рабочие точки ВАХ	I, мА	U, мВ	Р, мВт	Rст, Ом	Rдиф, Ом	Sст, мА/В	Sдиф, мА/В
КД105А	А	11	668	7,348	60,73	4,44	16,467	225,23
	В	1	563	0,563	563	32,5	1,776	30,77
Д311	А	11	387	4,257	35,18	10,37	28,43	96,99
	В	1	223	0,223	223	47,5	4,48	21,05

Таблица 5

Параметры рабочих точек на обратных ветвях ВАХ
Тип диода	Рабочие точки ВАХ	Iобр, мкА	Робр, мВт	Rобрст, MОм	Rобрдиф, MОм	Квып, мА/В
КД105А	Uобр=5В	0,08	0,0004	62,5	205,26	1,029×10^-6
	Uобр=10В	0,096	0,00096	104,17	541,61	1,7×10^-6
Д311	Uобр=5В	2,8	0,014	1,79	42,3	50×10^3
	Uобр=10В	3,7	0,037	2,7	44,64	76,7×10^3

Из ВАХ диодов видно, что для прямой ветви кремниевого диода КД105А при незначительном изменении напряжения от 0,6В до 0,7В значение силы тока резко возрастает (для германиевого диода Д311 это происходит при изменении напряжения от 0,3В до 0,4В). Следовательно, пороговое или напряжение включения первого диода равно приблизительно 0,6В, а второго – 0,3В.

Анализ таблиц показывает, что для прямой ветви ВАХ: при одинаковой силе тока мощность, рассеиваемая на Ge диоде меньше, чем на Si диоде, а у обоих диодов на нелинейном участке рассеиваемая мощность меньше, чем линейном; статическое сопротивление Si диода больше, чем у Ge диода, в тоже время можно заметить, что у обоих диодов оно больше на нелинейном участке, чем на линейных участках ВАХ; дифференциальное сопротивление Ge диода больше дифференциального сопротивления кремниевого диода, а дифференциальная крутизна наоборот меньше.

Для обратной ветви ВАХ: при одинаковом напряжении обратный ток германиевого диода на порядки превышает обратный ток кремниевого диода, соответственно и мощность рассеивания тоже выше; при этом статическое и дифференциальное сопротивления кремниевого диода значительно больше германиевого; коэффициент выпрямления кремниевого диода на порядки выше коэффициента германиевого диода.

4 Экспериментальная часть исследования стабилитрона

4.1 Измерение параметров обратной ветви вах стабилитрона

На рисунке 9 представлена схема измерительной установки, в которой используются следующие приборы:

PA – аналоговый миллиамперметры с максимальным отклонением стрелки на 30 mA;

PV1 – аналоговый вольтметр (15 В);

PV2 – цифровой милливольтметр с высоким входным сопротивлением (1 Мом);

VD - исследуемый стабилитрон КС133А.

Рисунок 9

Значения величин, полученные в процессе эксперимента, занесены в таблицу 6 и построена ВАХ обратной ветви стабилитрона.

Таблица 6

I, мA	1	2	4	6	8	10	15	20
U, В	2,68	2,92	3,19	3,33	3,44	3,52	3,65	3,75
Uи, В	3	4	5	6	7	8	10	12