![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Багаторівнева структура пам'яті комп'ютера
- •Організація основної пам’яті
- •Операції з основною пам’яттю.
- •Класифікація запам'ятовувальних пристроїв (зп).
- •Основна пам'ять
- •Постійні запам’ятовувальні пристрої
- •1. Статичні озп (sram)
- •2. Динамічні озп (dram)
- •4.2. Типы оперативной памяти
- •Розподіл адресного простору пам’яті
Основна пам'ять
Основна
пам'ять може включати два типи пристроїв:
оперативні запам'ятовуючі пристрої
(ОЗП) і постійні запам'ятовуючі пристрої
(ПЗП). Основну частину основної пам'яті
утворює ОЗП, який називають оперативним,
тому що він допускає як запис, так і
зчитування інформації, причому обидві
операції виконуються подібним чином
та практично за той же час. У англомовній
літературі ОЗП відповідає абревіатура
R A M - Random Access Memory, тобто "пам'ять з
довільним доступом", що не зовсім
коректно, оскільки пам'яттю з довільним
доступом є також ПЗП і регістровий файл
процесора. Для більшості типів
напівпровідникових ОЗП характерна
енергозалежність - навіть при короткочасному
перериванні живлення інформація, що
зберігається в цій пам'яті, втрачається.
Тому мікросхема ОЗП повинна бути постійно
підключеною до джерела живлення, а ця
пам'ять може використовуватися тільки
як тимчасова пам'ять.
Другу групу напівпровідникових пристроїв основної пам'яті утворюють мікросхеми ПЗП (ROM — Read-Only Memory). ПЗП забезпечує зчитування інформації, але не допускає її зміни (у ряді випадків інформація в ПЗП може бути змінена, але цей процес суттєво відрізняється від зчитування і вимагає значно більшого часу).
Постійні запам’ятовувальні пристрої
За способом програмування розрізняють такі типи ПЗП: програмовані одноразово та багаторазово. До першої групи належать ПЗП програмовані маскою – ПЗПМ (замовленого фотошаблона) та одноразово програмовані користувачем способом перепалювання плавких перемичок на кристалі (ППЗП, PROM, програмований ПЗП). Друга група поділяється на ВІС з ультрафіолетовим стиранням – репрограмовані ПЗП–УФ (EPROM – Erasable Programmed Read Only Memory) та з електричним стиранням, які ще називають флеш-пам’ять (РПЗП, EEPROM – Electrical Erasable Programmed Read Only Memory, репрограмований ПЗП).
ОЗП можуть бути статичними і динамічними. У статичних ОЗП елементом пам’яті є тригер. За наявності живлення тригер здатний зберігати свій стан як завгодно довго. Інформація під час зчитування не руйнується. У динамічних ОЗП елементи пам’яті ємнісного типу, зчитування інформації супроводжується її руйнуванням, і для зберігання інформації її треба періодично перезаписувати (регенерувати) заново.
1. Статичні озп (sram)
Розрізняють
ОЗП з однорозрядною та багаторозрядною
організацією. Для ОЗП з однорозрядною
організацією інформаційна ємність
рівна 2mxn
біт. ВІС ОЗП з багаторозрядною організацією
2mxn
біт мають n
інформаційних двонаправлених
входів/виходів – DIOn.
Для запису нуля або одиниці, що надходять
на входи DIOn
потрібно на адресні входи подати адреси,
на вхід блоку керування – сигнал дозволу
= 0 та сигнал читання/запису
= 0. ВиводиDIOn
переходять у високоімпедансний (Z-стан)
стан по сигналу
= 1, який відключає підсилювач вводу/виводу
ПВВ (рис.1).
2. Динамічні озп (dram)
У мікросхемах ОЗП динамічного типу елемент пам’яті – це конденсатор p-n переходу МДН-транзистора. Заряджений конденсатор – вважають логічною 1, розряджений – 0. Такі елементи пам’яті не можуть тривалий час зберігати свій стан і тому потребують періодичного відновлення (регенерації) інформації. Час вибірки динамічного ОЗП становить 70-200 нс. Порівняно з ОЗП статичного типу ОЗП динамічного типу характеризується більшою інформаційною ємністю, меншою швидкодією, меншою потужністю споживання, меншою вартістю. Переважно модулі оперативної пам’яті сучасних МПС реалізують на базі ВІС ОЗП динамічного типу.