4.2. Типы оперативной памяти

В Pentium применяли EDO DRAM (Extended Data Output), но в них линии ввода/вывода остаются подключёнными до окончания ввода нового адреса, т.е. до начала вывода следующего бита. Происходит одновременное считывание данных и задание адреса следующих данных. На 10 – 15% быстрее FPM DRAM, но на запись это преимущество не распространяется [10].

Микросхема BEDO DRAM (Burst EDO) отличается от EDO наличием генератора номера столбца. Здесь после первого поступления на вход микросхем адреса ячейки и сигналов RAS и CAS, для последующих 4 столбцов сигнал CAS генерируется внутри микросхем.

Микросхемы СDRAM и EDRAM (Cashe DRAM и Enhanced DRAM) содержат немного ячеек быстрой памяти SRAM со временем доступа 10 – 15 нс: на одном кристалле могут находиться 4 Мбайт DRAM и 16 Кбайт SRAM, который можно рассматривать как встроенную кэш-память.

В 1997 году для синхронизации работы памяти и системной шины использовалась микросхема синхронной динамической памяти SDRAM (Sythronous DRAM). Метод доступа к строкам и столбцам данных – как в DRAM. Отличие в том, что память и CPU работают синхронно, без циклов ожидания. Современные микросхемы работают на тактовых частотах CPU 66, 75, 83, 100, 125 и 133 МГц. Есть чередование адресов и пакетный режим, а также 3-ступенчатая конвейерная адресация, позволяющая запрашивать данные до завершения обработки предыдущих. Здесь 2 и более банков. Сейчас SDRAM заменила память типа FPM и DRAM. Модули памяти PC 100/133 SDRAM выпущены в корпусе TSOP. Количество их выводов зависит от глубины адресного пространства микросхем.

ESDRAM является расширением микросхемы SDRAM. Работает на частоте системной шины 66, 100 и 166 МГц, время рабочего цикла – 8 нс, совместима с PC 100 SDRAM.

DDR SDRAM (SDRAM II) – Double Date Rate – удвоенная скорость передачи данных. Состоит из 4 независимых банков, в которых команды обрабатываются параллельно. В маркировке у них не частота, а пропускная способность: PC 1 600 для 100 МГц и PC 2 100 для 133 МГц. Их поддерживает чипсет корпорации VIA – VIA Apollo KX-266, AMD – Chipset AMD 760.

В микросхеме RDRAM фирмы RAMBUS организация банков выборки данных из памяти построена по-другому. Шина данных 16-разрядная и 8-разрядная шина управления. Тактовая частота 400 МГц, но данные пересылаются по переднему и заднему фронту синхроимпульса:

16 бит * 400 МГц * 2 = 1,6 Гбайт/с.

Здесь по одной шине передаётся адрес строки, а по другой – адрес столбца. Передача адресов осуществляется последовательными пакетами.

В процессе работы выполняется конвейерная выборка из памяти, причём адрес может передаваться одновременно с данными.

Ёмкость микросхем 16, 32, 64, 128 и 256 Мбайт. Планируется 512 и 1 Гбайт.

Для этой памяти разработаны чипсеты Intel 810, Intel 810E, Intel 820, Intel 840 и Intel 845.

В SLDRAM (Sync Linc DRAM) используется классическое ядро DRAM. Для этой памяти в стандарте предусмотрен протокол пакетной передачи адреса.

Характеристики различных типов памяти приведены в табл. 6.

В первом поколении были 16-разрядные шины данных на частоте 400 МГц. Передача идёт по фронту и спаду тактового сигнала, а потому пропускная способность: 16 бит * 400 МГц * 2 = 1,6 Гбайт/с.