Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ)

На втором рисунке показан ЗЭ на ЛИИЗМОП-транзисторе и стиранием информации электрическим путем. Запоминающий транзистор VT2 содержит управляющий электрод, который применяют для записи и стирания информации. При хранении информации этот электрод не используется.

К недостаткам репрограммируемых ПЗУ следует отнести:сложную структуру ЗЭ;необходимость введения элементов программирования;более высокую стоимость.

Репрограммируемые ПЗУ применяют там, где свойство перепрограммируемости являются определяющим.

Обобщенная структура ПЗУ

Обобщенная структура ПЗУ

На схеме показаны два управляющих сигнала CS. Выбор микросхемы задается одновременной подачей разрешающих значений обоих из них. Использование таких сигналов упрощает объединение микросхем при построении памяти заданной емкости и разрядности.

Обобщенные временные диаграммы работы

Для считывания информации необходимо подать адрес ЗЭ и сигналы выбора микросхемы.

Обобщенные временные диаграммы работы

Основными временными параметрами являются:tA – длительность сигнала адреса;

tAA – время выборки адреса;

tCS1- время выборки разрешения по входу CS1;tCS2 - время выборки разрешения по входу CS2;tOFF – время восстановления.