97 Как по вах диода определить прямой ток и обратное напряжение?

98.Каковы основные параметры биполярного транзистора и их вах

Параметры биполярного транзистора

К основным параметрам транзистора относятся:

Статический коэффициент усиления по току:

B = I_к / I_б

Его величина находится а пределах 50…250

Дифференциальный коэффициент усиления по току:

при U_кэ = const

Статический коэффициент передачи тока эмиттеру:

Дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттеру:

Коэффициенты α₀ и α практически одинаковы. Их значения находятся в пределах 0,9…0,998 и являются функциями температуры и напряжения U_кэ

Дифференциальное выходное сопротивление:

при U_бэ = const

Дифференциальное входное сопротивление:

при U_кэ = const

Входная характеристика биполярного транзистора – это зависимость тока базы Iб от напряжения база-эмиттер Uбэ при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер Uкэ: Iб = f (Uбэ) Uкэ = const.

Выходной характеристикой называют зависимость тока коллектора Iк от напряжения коллектор-эмиттер Uкэ при фиксированном токе базы: Iк =f (Uкэ) I б = const

99. Биполярные транзисторы и физические процессы в активном режиме их работы.

Биполярный транзистор - электронный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Транзистор называется биполярный, поскольку в работе прибора одновременно участвуют два типа носителей заряда – электроны и дырки. Этим он отличается отуниполярного (полевого) транзистора, в работе которого участвует только один тип носителей заряда.

В рабочем режиме биполярного транзистора протекают следующие физические процессы: инжекция, диффузия, рекомбинация и экстракция.

Рассмотрим р-n переход эмиттер - база при условии, что длина базы велика. В этом случае при прямом смещении р-n перехода из эмиттера в базу инжектируются неосновные носители. Закон распределения инжектированных дырок р_n(х) по базе описывается следующим уравнением:

Процесс переноса инжектированных носителей через базу - диффузионный. Характерное рас-стояние, на которое неравновесные носители распространяются от области возмущения -диффузионная длина L_p. Поэтому, если необходимо, чтобы инжектированные носители достигли коллекторного перехода, длина базы W должна быть меньше диффузионной длины L_p. Это условие - W < L_p, является необходимым для реализации транзисторного эффекта - управление током во вторичной цепи через изменение тока в первичной цепи.

В процессе диффузии через базу инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями в базе. Для восполнения прорекомбинированных основных носителей в базе через внешний контакт должны подойти такое же количество носителей. Таким образом, ток базы - это рекомбинационный ток.

Продиффундировавшие через базу без рекомбинации носители попадают в электрическое по-ле обратно смещенного коллекторного p-n перехода и экстрагируются из базы в коллектор. Таким образом, в БТ реализуются четыре физических процесса:

· инжекция из эмиттера в базу;

· диффузия через базу;

· рекомбинация в базе;

· экстракция из базы в коллектор.