2. Порядок выполнения работы

1. Ознакомиться с устройством и работой микроскопа МИМ-7.

2. Ознакомиться со свойствами травителей для германия, кремния, арсенида галлия (табл.1).

Таблица 1

Селективные травители для полупроводников

Материал	Травитель		Применение
	Состав	Пропорции
Германий	HNO3 : HF	1 : 1	Выявление границ зерен. Определение монокристалличности и поликристалличности слитков
Германий	H2O2 : HF : H2O	1 : 1 : 4	Выявление фигур травле­ния при комнатной темпе­ратуре в течение 3-5 мин.
Германий	HNO3 : HF : CH3COOH : Br2	5 : 3 : 3 : 0,6	Выявление дислокации в течение 3-5 мин при комн. температуре
	KOH : K3[Fe(CN)4] : H2O	3 : 2 : 2,5	Выявление дислокации на плоскостях (111) и (110) в течение 5-6 мин при кипячении
Арсенид галлия	HNO3 : H2O	1 : 1	Выявление дислокаций в течение 2-4 мин.
	HNO3 : HCl : H2O	1 : 2 : 2	Выявление дислокаций в течение 10 мин
	H2O2 : H2SO4 : H2O	1 : 1 : 8	Выявление границы зёрен
	H2O2 : NaOH	1 : 5	5%-ный. Выявление дислокаций на А и В - сторонах
Кремний	NaOH : H2O	1 : 1	Выявление фигур травления в кипящем растворе в тече­ние 10-15 мин

3. Приготовить селективные травители для выявления: а) монокристалличности; б) ориентации слитка; в) дислокаций - для одно­го материала (германия, кремния или арсенида галлия) по указанию преподавателя.

4. Получить шлифы для исследования. Произвести химическое поли­рование образцов в травителях по данным табл. 2.

Таблица 2

Полирующие травители для полупроводников

Материал	Травитель		Применение
	Состав	Пропорции
Германий	HNO3 : HF : CH3COOH	4 : 5 : 1	Полирование после шлифовки
	HNO3 : HF : H2O	4 : 4 : 1	Полирование после шлифовки в течение 15-20 с в нагретом травителе
Кремний	30%-ный NaOH или KOH		Полирование после шлифовки
	HNO3 : HF	1 : 4,5	Полирование после шли­фовки
Арсенид галлия	HNO3 : HCl : H2O	1 : 2 : 2	Полирование после шли­фовки
	HNO3 : HCl	1 : 1	Полированию после шли­фовки, скорость 40 мкм/ мин
	H2O2 : H2SO4 : H2O	1 : 3 : 1	Полирование после шли­фовки, удаляет со ско­ростью 5 мкм/мин

5. Установить монокристалличность или поликристалличность образ­цов.

6. Провести травление образцов в селективных травителях дал оп­ределения ориентации слитка по фигурам травления.

7. Зарисовать плоскость с фигурами травления.

8. Провести травление образцов в соответствующих селективных травителях для выявления дислокаций.

9. Зарисовать картину дислокаций.

10. Определить плотность дислокаций.

11. Сделать вывод о структурных свойствах исследованного кристалла.