- •Энергетические зоны
- •Электронные полупроводники (n-типа)
- •Дырочные полупроводники (р-типа)
- •2) По характеру проводимости Собственная проводимость
- •Примесная проводимость
- •3)Физическая сущность возникновения p-n перехода
- •Пробой p-n-перехода
- •4)Возникновения прямого тока через p-n переход.
- •Возникновения прямого тока через p-n переход.
- •5) Понятие выпрямительного диода. Обозначение выводов. Условное обозначение в схемах. Вах диода.
- •6)Вах стабилитрона.Основные параметры. Материал для изготовления стабилитрона.Условное обозначение.
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •8)Светодиоды.Принцип действия.Применение.Недостатки и преимущества.
- •Преимущества
- •Стоимость
- •9)Структура динистора.Физические процессы динистора при подключении u.Вах
- •10)Понятие тиристора.Разновидности.Применение.Свойства
- •Отличие динистора от тринистора
- •[Править]Симистор
- •Симистор (симметричный тринистор) представляет собой тиристор, по своей структуре подобный двум встречно-параллельным тринисторам. Способен пропускать электрический Применение
- •11,12)Вах тринистора.Указать открытые и закрытые участки Способы управления тринисторами
- •13)Область применения электронных усилителей. Нарисуйте схему одного каскада
- •14)На чём основано усиление электрических сигналов с помощью транзистора?
- •15)Вывод уравнения характеристики для нахождения координат рабочей точки
- •Это соответствует замкнутому положению ключа.
- •20) .Стартёры
- •2. Имс можно разделить:
- •3. Полупроводниковые имс.
- •22) Гибридные интегральные микросхемы совмещают свой-
- •23) 3. Полупроводниковые имс.
- •25) 3.Фотолитография
- •36) Нанотехнологии и области применения
4)Возникновения прямого тока через p-n переход.
p-n переход при обратном напряжении
p-n переход при обратном напряжении
Рис. 4.22b. Потенциальные пороги вблизи p-n- перехода при прямом и обратном включении внешнего напряжения на нем |
Рис. 4.23. Зависимость тока основных и неосновных носителей через p-n- переход от напряжения на нем, ВАХ p-n- перехода |
Если к переходу приложить внешнюю разность потенциалов "наоборот", как это показано на рис. 4.22 (б) (так называемое обратное включение перехода), то внешнее поле увеличит существующее на границе поле , и высота порогов на рис. 4.21 увеличится. Ток основных носителей от этого уменьшится в соответствии с формулой (4.38). Ток неосновных носителей при этом практически не изменится, так как он лимитируется малым числом неосновных носителей. На рис. 4.23 изображены зависимости тока основных и неосновных носителей при "обратном" включении внешнего напряжения , и построен участок ВАХ при .
Пробой перехода. Если продолжать увеличение напряжения обратной полярности, то при некотором напряжении , называемом напряжением пробоя, произойдет пробой перехода. Это связано с тем, что в закрытом состоянии перехода почти все приложенное напряжение действует в тонком пограничном слое. Поэтому в нем сформируется большая напряженность электрического поля, способная ускорить электрон на малом расстоянии до энергий достаточных для "выбивания" электрона из ковалентной связи; далее уже оба электрона будут ускорены, они выбьют еще электроны и так далее. Получится подобие электронной лавины, приводящей к пробою перехода. Пробою соответствует участок около на ВАХ (см. рис. 4.23). Этот участок при имеет участок плавного нарастания тока, что позволяет использовать явление пробоя, вернее предпробойное состояние для стабилизации напряжения (см. ниже).
ВАХ перехода получается нелинейной, а главное несимметричной: в одну сторону переход проводит ток очень хорошо, а в другую - очень плохо.
Возникновения прямого тока через p-n переход.
Если к переходу приложить внешнюю разность потенциалов , как это показано на рис. 4.22 (а) (это - так называемое прямое включение перехода), то внешнее поле уменьшит существующее в кристалле поле , и высота порогов на рис. 4.22 уменьшится, тогда ток основных носителей возрастет в соответствии с формулой:
. |
(4.39) |
Ток неосновных носителей при этом практически не изменится, так как он лимитируется малым числом неосновных носителей. На рис. 4.23 изображены зависимости тока основных и неосновных носителей при увеличении внешнего напряжения , а также построен участок вольтамперной характеристики (ВАХ) при .
При включении перехода в прямом направлении (см. рис. 4.24 а) дырки в левой области будут двигаться к границе раздела, и электроны из правой области также будут двигаться к границе раздела. На границе они будут рекомбинировать. Ток на всех участках цепи обеспечивается основными носителями, сам переход обогащен носителями тока. Проводимость перехода будет большой.