4.2. Методика эксперимента.

Принципиальная схема экспериментальной установки для получения осциллограм ИК-вспышки люминесценции показана на рис. 6.

П олупроводниковый фосфор, используемый в качестве образца (О) помещается в камере (К), имеющей нагреватель (Н) и дифференциальную медь-константановую термопару (Т), соединенную с милливольтметром (мВ). Возбуждение люминесценции осуществляется светом из области собственного погло­щения полупроводника посредст­вом ртутной лампы (S), излучение которой проходит через тепловой фильтр Ф₁ и фильтр Ф₂, выделяющий требуемую область излучения, и фокусиру­ется линзой Л₁ на образец. ИК-засветка осуществляется при помощи ИК-светодиода (S_ик) .

Люминесцентное свечение фокусируется линзой Л₂ на катод ФЭУ(Ф). Питание ФЭУ осуществляется от высоковольтного стабилизи­рованного источника ВС-22. Анодный ток, пропорциональный интен­сивности люминесцентного излучения, регистрируется при помощи осциллографа С1-93.

4.3. Порядок выполнения работы и задание.

1. Ознакомиться с измерительной установкой.

2. Получить осциллограммы ИК-вспышки люминесценции при комнатной и нескольких повышенных температурах кристаллофосфора (по указанию преподавателя).

3. Исходя из полученных осциллограмм, построить зависимость lnR от 1/T и рассчитать энергию термической активации ловушек.

4. Построить схему оптических переходов, происходящих при ИК-вспышке люминесценции.

Литература

1. Сердюк В.В., Ваксман Ю.Ф. Люминесценция полупроводников. - Киев-Одесса: Вища школа. - 1988.-200 С.

2. Виктор П.А. Компьютерный практикум для Физиков.Ч.1. ОГУ,1989. 65 С.