Структуры запоминающих устройств

Адресные структуры

(2D):

Матрица запоминающих элементов (ЗЭ) M=k*m, М – информационная емкость в битах, k –

число хранимых слов, m – их разрядность.

Дешифратор DC активизирует одну из выходных линий -> считываем или записываем

данные (слово) разрядностью m из ЗЭ. Возможно применение только для малой емкости.

Только чтение. 1 бит данных за 1 цикл. Выбирается 1 ЗЭ на пересечении активных

выходов. Адреса делятся как 2n/2

*2n/2

=2n

Модифицированная структура 2dm:

Дешифратор выбирает из матрицы 2n-k

x m2k

целую сроку, состоящую из m слов, каждое

разрядностью 2k

. Вторая часть разрядов адреса используется для выбора нужных разрядов и

строки m2k

. Из каждого 2k

выбирается 1 бит (на MUX 2k

-> 1). На выходах управляемых

буферов ЕО получается m-разрядное слово.

Память с последовательным доступом: На примере fifo

СчWR(СчRD) – счетчик записи(считывания)

Перед началом работы счетчики сбрасываются, при работе происходит чередование

циклов запись/считывание, т. е. счетчик чтения догоняет счетчик записи, если адреса

сравняются при чтении, то буфер пуст, а если при записи, то буфер полон. Файловый регистр

имеет независимые входы адреса чтения и независимые входы адреса записи. Файловый

регистр позволяет выполнять операции записи и чтения данных независимо друг от друга.

КЭШ (Cache) – память (сокращенное время обмена данных). Ставится между процессором и оперативной памятью. КЭШ обладает малой емкостью и высоким быстродействием. При чтении данных сначала обращаются в КЭШ, для поиска данных используется

Tag – это отличительный

признак информации (обычно физический адрес RAM), если информация есть в КЭШ, то

вырабатывается сигнал Hit и данные считываются из КЭШ, если информации там нет, то она

считывается из RAM с одновременной записью в КЭШ

Полностью ассоциативная кэш память:

Физический адрес запрашиваемой информации сравниваются с полем Tag. При совпадении

устанавливается сигнал Hit и данные через буферы считываются на шину данных.

Программируемые пзу

	При подаче высокого напряжения плавкая вставка перегорает и образуется 0
	Вызывая пробой, получаем 1
	Вызывая пробой, получаем 0

Перепрограммируемые пзу

(репрограммируемые - РПЗУ)

РПЗУ-УФ (стирание ультрафиолетом):

На основе транзистора с плавающим затвором.

Программирование выполняют подачей напряжения исток (И) –

сток (С) порядка 20 В, происходит лавинный пробой p-n

перехода. Электроны, обладающие большой энергией, проникают

через диэлектрик на металлический затвор. После снятия

напряжения электроны остаются на затворе. Электроны,

находящиеся на затворе, создают поле, мешающее созданию

канала между истоком и стоком. Таким образом, в диапазоне

обычных рабочих напряжений, транзистор не открывается (канал

исток-сток не создается). Это можно трактовать как запись «0» в ячейку памяти.

Стирание информации производят облучением затвора ультрафиолетом. УФ лучи

создают в диэлектрике тепловые токи и заряд с затвора стекает в подложку. Число циклов

программирования десятки, сотни раз.