Рпзу-эс (электрическое стирание):

Используют двухзатворный транзистор. Добавлен управляющий затвор.

Запись производится аналогично РПЗУ-УФ.

Стирание: подается напряжение И-С порядка 20 В, а на затвор подается небольшое

отрицательное напряжение => поле затвора выталкивает электроны из плавающего затвора.

Оперативные запоминающие устройства – озу (ram)

Статические SRAM

Ячейкой памяти является триггер на двух КМОП ключах (VT2-3 и VT4-5)

Запись: на шины Dj и /Dj подается парафазный сигнал (если 1, то Dj=1, а /Dj=0, если 0, то

Dj=0, а /Dj=1). На линию выборки (ЛВ) подается 1, транзисторы VT1 и VT6 открываются и

данные с шины Dj записываются в ячейку памяти на КМОП ключах VT2-3 и VT4-5.

Чтение информации: подается 1 на шину адреса и выходы ключей подключаются к шинам

данных.

Достоинства: обладает высоким быстродействием, применяется для реализации кэш-памяти

в микропроцессорах.

Недостатки: занимает большую площадь на кристалле, высокая стоимость микросхем.

Flash память

Использует технологию РПЗУ с электрическим стиранием, ячейки памяти объединены в

блоки (группы ячеек памяти)

Периферийные интерфейсы

Классификация

по типу сигнала

– дискретные;

– аналоговые (для контроля данных);

– перестраиваемые (аналоговые + цифровые)

по направлению передачи сигнала

– однонаправленные порты (ввод, вывод);

– двунаправленные;

– порты с альтернативной функцией.

по алгоритму обмена –

с программно-управляемым вводом, выводом (установка и считывание определяется ходом

вычислительного процесса);

– стробированием (каждая операция подтверждает импульсом (стробом));

– с полным квитированием (вводят специальные служебные импульсы)