5 Указания к составлению отчета

5.1 Указать номер варианта, для которого проводились исследования.

5.2 Привести схемы исследуемых функциональных узлов, таблицы с результатами измерений и осциллограммы напряжений, в соответствии с заданием каждого пункта работы.

5.3 Привести сравнение результатов экспериментальных исследований с расчетными.

5.4 Сделать выводы по каждому пункту работы.

Приложение А

Таблица А.1- Параметры ОУ.

Вариант	1	2	3	4	5	6	7	8
Тип ОУ	К140 УД2	К140 УД6	К140 УД7	К140 УД8	К140 УД9	К153 УД1	К153 УД2	К153 УД3
КU, тыс.	35	30	30	50	30	15	25	25
RВХ, Ом	0,3	1	0,4	10	0,3	0,2	0,3	0,4
RВЫХ, м	100	150	200	200	150	200	300	200
f1, МГц	1	1	0,8	1	1	1	1	1

Вариант	9	10	11	12	13	14	15	16
Тип ОУ	К153 УД4	К153 УД5	К153 УД6	К544 УД1	К551 УД2	К553 УД1	К553 УД2	К553 УД3
КU, тыс.	5	125	50	20	5	15	20	30
RВХ, Ом	0,2	1	0,3	10	0,5	0,5	0,3	0,3
RВЫХ, м	1000	150	200	200	150	150	300	300
f1, МГц	0,7	0,3	0,7	1	0,8	1	1	1

Лабораторная работа № 5.

Исследование логических интегральных микросхем

на биполярных транзисторах

1 Цель работы

Ознакомиться с принципом работы логических интегральных схем, выполненных на биполярных транзисторах (БТ), исследовать их характеристики и определить параметры.

2 Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса.

2.1.1 Понятие о логических элементах НЕ, ИЛИ, И, ИЛИ-НЕ, И-НЕ.

2.1.2 Условные обозначения логических ИМС.

2.1.3 Основные параметры и характеристики логических ИМС.

2.1.4 Схемотехническая реализация логических ИМС на биполярных транзисторах.

2.1.5 Схемы для исследования характеристик и определения параметров.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы.

2.2.1 Назначение и применение логических ИМС.

2.2.2.Принцип работы логических схем И, ИЛИ, НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ.

2.2.3 Основные законы алгебры логики.

2.2.4 Дать определение ниже перечисленных параметров логических ИМС:

а) величина напряжения, соответствующего логическому нулю и единице;

б) входной и выходной токи, соответствующие логическому нулю и единице;

в) нагрузочная способность (коэффициент разветвления по выходу);

г) среднее время задержки распространения сигнала;

д) статическая помехоустойчивость;

е) потребляемая мощность;

ж) энергия переключения.

2.2.5 Начертить схемы электрические принципиальные базовых элементов и объяснить принцип работы ИМС следующих типов:

а) диодно-транзисторная логика (ДТЛ);

б) транзистор - транзисторная логика (ТТЛ);

в) ТТЛ с открытым коллектором;

г) ТТЛ со сложным инвертором;

д) ТТЛ с тремя состояниями;

е) ТТЛ с диодами Шоттки (ТТЛШ).

2.2.6 Статические характеристики исследуемых логических ИМС и определение по ним параметров.