5 Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 На графике № 1 построить ВАХ Ge и Si диодов. Пример построения характеристик показан на рисунке 1.5.
Обратить внимание на масштабы по осям тока и напряжения для прямой и обратной ветвей ВАХ!!!
5.4 По характеристикам определить сопротивление постоянному току и
дифференциальное сопротивление для каждого из диодов:
- при прямом токе 20 мА,
- при обратном напряжении 15 В.
Данные занести в таблицу 8.
5.5 На графике № 2 построить ВАХ стабилитрона IСТ=f(UСТ), пример - на рисунке 6. Определить дифференциальное сопротивление стабилитрона при обратном токе 20 мА
5.6 На графике № 3 построить зависимость UСТ=f(UОБР) (рисунок 7).
5.7 Привести пять осциллограмм, полученных при исследовании выпрямителя: входной сигнал – канал А и четыре выходных сигнала – канал В - при трех различных значениях С и его отсутствии. Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
5.8 Сделать выводы по проделанной работе.
Таблица 8 – Сопротивления диодов
-
Диод
RПР-
RПР ДИФ
RОБР-
RОБР ДИФ
Диод 1
Диод 2
Стабилитр
-
-
Рисунок
5 – ВАХ диодов
Рисунок 6 – ВАХ стабилитрона
Рисунок 7 – Зависимость UCT = f(UОБР).
Приложение а
Таблица А.1 – Варианты заданий
-
№ вар
Диоды
Стабил
С, мкф
С2, мкф
1
D11
D219A
D808
5
50
2
D12
D220
D809
5,5
55
3
D12A
D220A
D810
6
60
4
D13
D220
D811
6,5
65
5
D14
D226B
D813
7
70
6
D14A
D226D
D814A
7,5
75
7
D18
D226E
D814B
8
80
8
D20
D226G
D814V
8,5
85
9
D310
D226V
D815A
9
90
10
D311
D237A
D815B
9,5
95
11
D311A
D237B
D815D
10
100
12
D311B
D237E
D815E
10,5
105
13
D312
D237G
D815G
11
110
14
D312A
D237V
D815I
11,5
115
15
D312B
KD102A
D815V
12
120
16
D7B
KD102B
D816A
12,5
125
17
D7D
KD103A
D816B
13
130
18
D7E
KD103B
D816D
13,5
135
19
D7G
KD104A
D816G
14
140
20
D7V
KD105B
D816V
14,5
145
21
D9B
KD105G
D817A
15
150
22
D9D
KD105V
D817B
15,5
155
23
D9E
KD209A
D817G
16
160
24
D9G
KD209B
D817V
16,5
165
25
D9I
KD209V
KC147A
17
170
26
D9K
KD503A
KC156A
17,5
175
27
D9V
KD504A
KC162A
18
180
28
D9J
KD509A
KC168A
18,5
185
29
GD107A
KD510A
KC175A
19
190
30
GD107B
KD512A
KC182A
19,5
195
Лабораторная работа №2.
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ