- •Оглавление
- •Подготовка к работе
- •2 Работа в программной среде ewb 5.0с
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Литература
- •4 Задание для работы в лаборатории.
- •5 Указания к составлению отчета
- •Приложение а
- •Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Литература
- •4 Задание для работы в лаборатории
- •Приложение а
- •Все транзисторы имеют мощность рассеивания на коллекторе 150 мВт Лабораторная работа № 3.
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Литература
- •4 Задание для работы в лаборатории
- •5 Указания к составлению отчета
- •Приложение а
- •1. Цель работы
- •2. Подготовка к работе
- •3 Литература
- •4 Задание к работе в лаборатории
- •Величину резистора r4 выбираем по заданному варианту из таблицы 5.
- •5 Указания к составлению отчета
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Литература
- •4 Задание к работе в лаборатории
- •На входы одного из логических элементов имс подать сигналы от генератора слова в соответствии с вариантом задания 1.
- •5 Указания к составлению отчета
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Литература
- •4 Задание к работе в лаборатории
- •На входы одного из логических элементов имс подать сигналы от генератора слова в соответствии с вариантом задания 1.
- •5 Указания к составлению отчета
- •Валерий Леонидович Савиных Александр Иосифович Брикман Эльвира Николаевна Шилай
На входы одного из логических элементов имс подать сигналы от генератора слова в соответствии с вариантом задания 1.
Зарисовать осциллограммы двух входных сигналов и сигнал на выходе исследуемой микросхемы, располагая рисунки один под другим с соблюдением масштаба по оси времени.
4.9 Используя правила преобразования логических функций, составить структурную схему устройства, реализующего уравнение в соответствии с заданием 2. Собрать устройство и исследовать его. Зарисовать входные сигналы и сигналы на выходах каждого из используемых элементов.
5 Указания к составлению отчета
5.1 Указать номер варианта схем, которые исследовались в лабораторной работе.
5.2 Привести схемы исследуемых устройств и таблицы с результатами измерений.
5.3 На графиках № 1 и 2 построить входную и передаточную характеристики ЦИМС. По характеристикам определить I0ВХ, I1ВХ, U0 и U1.
5.4 На графиках № 3 построить выходные характеристики ЦИМС.
5.5 Вычислить и привести РПОТР СР.
5.6 На графиках № 4 и 5 построить зависимости tЗД Р СР = f (N) .
5.7 Дать сравнительную оценку среднего времени задержки при включенном диоде VD5 и без него. Объяснить это явление.
5.8 Вычислить энергию переключения W=РПОТР СР∙ tЗД Р СР без нагрузки.
5.9 Привести осциллограммы, полученные в п. 4.8.
5.10 Привести структурную схему устройства и осциллограммы его работы согласно п. 4.9
Приложение A.
Таблица А.1- Варианты заданий к лабораторной работе
№ варианта |
Тип диодов |
Тип БТ |
Задание 1 |
Задание 2 |
1 |
D219A |
KT3102A |
У = |
У=Х0∙Х1+Х2∙Х3 |
2 |
D220 |
KT3102B |
У = |
У=Х0∙Х2+Х1∙Х3 |
3 |
D220A |
KT3102D |
У = |
У=Х0∙Х3+Х1∙Х2 |
4 |
KD503A |
KT3102E |
У = |
У=Х1∙Х2+Х0∙Х3 |
5 |
KD504A |
KT3102G |
У = |
У=Х1∙Х3+Х0∙Х2 |
6 |
KD509A |
KT3102V |
У = |
У=Х2∙Х3+Х0∙Х1 |
7 |
KD510A |
KT315B |
У = |
|
8 |
KD512A |
KT315D |
У = |
|
9 |
D219A |
KT315E |
У = |
|
10 |
D220 |
KT315G |
У = |
|
11 |
D220A |
KT315I |
У = |
|
12 |
KD503A |
KT315V |
У = |
|
13 |
KD504A |
KT315Z |
У = |
|
14 |
KD509A |
KT316А |
У = |
|
15 |
KD510A |
KT316В |
У = |
|
Лабораторная работа № 6.
Исследование логических интегральных микросхем
на полевых транзисторах
1 Цель работы
Ознакомиться с принципом работы логических интегральных схем, выполненных на МДП ПТ, исследовать их характеристики и определить параметры.
2 Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса.
2.1.1 Понятие о логических элементах НЕ, ИЛИ, И, ИЛИ-НЕ, И-НЕ, их условные обозначения.
2.1.2 Схемотехническая реализация базовых логических ИМС на МДП-транзисторах:
а) логические ИМС на р- и n - канальных МДП ПТ;
б) логические элементы на ПТ с барьером Шоттки;
в) логические элементы на КМДП транзисторах.
2.1.3 Схемы для исследования характеристик и определения параметров.
2.1.4 Статические характеристики исследуемых логических ИМС и определение по ним параметров.
2.1.5 Переходные процессы в ПТ при переключении. Параметры переключения.
2.1.6 Основные параметры логических ИМС:
а) величина напряжения, соответствующего логическому нулю и единице;
б) входной и выходной токи, соответствующие логическому нулю и единице;
в) нагрузочная способность (коэффициент разветвления по выходу);
г) среднее время задержки распространения сигнала;
д) статическая помехоустойчивость;
е) потребляемая мощность;
ж) энергия переключения.
2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы.
2.2.1 Каков принцип работы логических схем И, ИЛИ, НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ?
2.2.2 Какой вид имеют принципиальные схемы базовых элементов и каковы принципы работы ИМС следующих типов:
а) логические элементы на р- и n - канальных МДП ПТ?
б) логические элементы на ПТ с барьером Шоттки?
в) логические элементы на КМДП транзисторах?
2.2.3 Привести статические характеристики исследуемых логических ИМС и показать определение по ним параметров.
2.2.4 Какие физические процессы определяют время включения и выключения электронного ключа на МДП ПТ?
2.2.5 Как влияет реактивная нагрузка на переключение МДП ПТ?
2.2.6 Как улучшить быстродействие электронных ключей на МДП ПТ?
2.2.7 Дать определение ниже перечисленных параметров логических ИМС и показать, каким образом они определяются:
а) величины напряжений, соответствующие логическому нулю и единице;
б) входной и выходной токи, соответствующие логическому нулю и единице;
в) нагрузочная способность (коэффициент разветвления по выходу);
г) среднее время задержки распространения сигнала;
д) статическая помехоустойчивость;
е) потребляемая мощность;
ж) энергия переключения.